AlSiC

键合过程参数对储存期间在200°C

电线粘结仍然是微电子包装中的主要互连技术。在过去的三年中，显而易见的是，从AU和Cu线粘合到Cu键合的显着趋势变得显而易见。这是由于一般努力降低诸如AU之类的原材料的制造成本和价格上涨所致。尽管在最近几十年中已经进行了许多研究，但大多数都集中在Au Ball/楔形上。这项研究的结果表明，键合参数，键合质量和可靠性密切相互联系。然而，与AU相比，Cu的不同材料特性（例如对氧化和硬度的依从性）意味着这些见解不能直接传递到Cu键合过程中。因此，有必要进一步研究。本文讨论了在各种键合参数下的键合界面形成的研究。Cu线在AlsICU0.5金属化上键合，并进行了键合参数优化以识别有用的参数组合。根据这种优化，使用低，中和高的美国功率和粘合力的参数组合组装不同的样品。通过剪切测试和HNO 3蚀刻进行了界面分析。在200 c退火168 h和1000 h的设备的横截面上分析了金属相生长。在剪切测试期间，与低键合力和高美国势力的接触倾向于围墙。 粘合力被证明对金属间的形成产生显着影响，而我们的功率仅施加了较小的影响。金属相生长。在剪切测试期间，与低键合力和高美国势力的接触倾向于围墙。粘合力被证明对金属间的形成产生显着影响，而我们的功率仅施加了较小的影响。使用EDX分析退火样品的金属间相形成，并根据相形成动力学进行解释。确定了三个主要的金属间相。2010 Elsevier Ltd.保留所有权利。