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适用于 5GHz Wi-Fi 应用的 22nm 低噪声放大器
图表 图 1 接收器架构 [7] .................................................................................................... 6 图 2 用于生成 S 参数的输入和输出端口。 [8] ........................................................... 6 图 3 体 CMOS 与 FD-SOI 结构 [9] .............................................................................. 8 图 4 共栅极放大器（左）共源放大器（右） ........................................................ 10 图 5 级联电感退化 CS LNA 原理图 ........................................................................11 图 6 测试台设置 ......................................................................................................................... 14 图 7 Cpad 的参数扫描 ............................................................................................................. 15 图 8 理想元件的 S11 行为 ............................................................................................................. 16 图 9 所需频带的 S21 行为宽度 ............................................................................................................. 17 图 10 S21 带宽 ............................................................................................................................. 18 图 11 理想元件的噪声系数 ............................................................................................................. 19 图 12 增益（单位为 dBm） ............................................................................................................. 20 图 13 非理想元件的 S11 行为 ............................................................................................................. 21 图 14 非理想元件的 S21 行为........................................................................... 22 图 15 S21 带宽 ...................................................................................................................... 23 图 16 非理想元件的噪声系数 ...................................................................................................... 24 图 17 功率增益 ...................................................................................................................... 25 图 18 完整布局 ...................................................................................................................... 26 图 19 电阻器 MOSFET 和电容器的放大布局。 ............................................................. 27
运算放大器的原理与应用
运算放大器广泛用于各种电子应用，包括音频放大器、信号调节器、滤波器、振荡器、稳压器等等。它们是模拟电子器件的基本组成部分，通常与其他元件配合使用，在电子电路中执行各种任务。运算放大器以集成电路 (IC) 形式提供，因此易于在各种应用中使用。运算放大器是线性集成电路 (IC)。线性集成电路是由许多晶体管、二极管、电阻器和电容器组成的设备，它们被制造在单个半导体材料微型芯片中，并封装在一个外壳中，以形成一个功能电路。
基于随机扩增标记的猪笼草遗传多样性
猪笼草又名猪笼草，是一种独特而有趣的植物，已被广泛开发作为观赏植物。这种植物的魅力不仅在于它的花朵，还在于它的花囊，花囊的形状和颜色多种多样。基于分子表征可以确定猪笼草的几种物种和杂交种的多样性。这项研究的目的是计算遗传多样性的值，并在分子基础上利用 RAPD 引物测试印度尼西亚猪笼草之间的关系。本研究使用的材料是从 Yagiza 苗圃猪笼草苗圃、食虫植物苗圃、Tulungagung 猪笼草群落和毒液苗圃的勘探结果中获得的 41 种物种和由 3 个个体组成的猪笼草杂交种。分子 DNA 分析是在加查马达大学 (UGM) 农学院农业栽培系遗传学和植物育种实验室进行的。 3个RAPD引物（OPD 8、OPC 2和OPC15）对41个物种及其杂交种进行检测，共得到85个位点，1370个DNA带，大小为150～1750 bp，多态性水平为100％，形成的特异性带数共12条。聚类分析结果表明，多样性水平在17％～100％之间，可分为A组和B组，相似性水平为17％。遗传参数分析结果表明，居群（N. eustahcya x N. ampularia）各参数的遗传差异最大且一致（Na=0.576±0.092、Ne=1.162±0.035、I=0.136±0.027），PLP为23,53%，平均杂合度（H）为0.093±0.019。最高相似系数值为0.338，表明N.veitchii与N.adnata亲缘关系较远，最低相似系数值为0.050，表明N.maxima wavy与N.maluku亲缘关系较近。AMOVA分析显示，猪笼草居群间遗传多样性分布值（74%）高于居群内多样性值（26%）。同时，猪笼草种群间遗传多样性分布值（70%）高于种群内遗传多样性分布值（30%）。关键词：猪笼草；分子；RAPD。
射频功率放大器/射频发生器
Elite RF 由前摩托罗拉工程领导于 2014 年创立，在设计和制造固态射频功率放大器和高功率微波发生器方面树立了极高的标准，可提供现成的现货和定制设计解决方案。凭借内部工程团队和质量控制的 22,000 平方英尺制造设施，我们的核心优势在于我们对协作工程、稳健设计、高制造质量和准时交付的承诺。我们致力于提高您的运营绩效，旨在为您在快速发展的射频领域提供显著的竞争优势。
用操作放大器向HEV/EV的未来充电
监视每个单独的逆变器腿使用低侧电流传感拓扑，而无需隔离放大器就可以完成，因为每条腿的共同模式电压接近零。有三种方法可以实现低端电流感应。一，二或三转的拓扑。虽然单次测量技术趋向于更高的带宽要求，但三转解决方案要求较低的速度，通用物质放大器（例如TLV9061-Q1），因为您能够单独监视每条腿。在OBC系统中准确的电流传感的一项重要要求是确保定居时间尽可能短，这就是为什么建议将TLV9061-Q1（10 MHz Unity增益宽宽放大器（1 µs沉降时间））以使该应用程序快速响应电流的变化。
采用 130nm CMOS 技术的射频功率放大器多级电源调制器：基于比较器的方法
摘要：节能功率放大器 (PA) 可以延长电池寿命，同时又不牺牲线性度，对移动设备来说越来越重要。包络跟踪 (ET) 设计中的电源调制器会影响射频 (RF) PA 的效率提升。本文介绍了一种基于比较器的电源调制器的设计，该调制器可动态控制驱动 PA 所需的电源电压。 前置放大器被设计用于放大 RF 输入信号，包络检测器在比较器的 0 - 3.3 V 摆幅范围内跟踪放大信号。 单位比较器被设计为工作在 2.1 GHz 频率下，最小上升时间延迟为 0.2 ns，并且它被级联以用作 8 位比较器。多级电源调制器接收来自 8 位比较器的输入。这通过限制流过由比较器关闭的晶体管的电流来确定流向 PA 的电流量。因此，基于比较器的包络跟踪系统旨在设计 ET 电路并将功率附加效率提高到大约 45%。此外，ET 电路不包含电感器等笨重元件，因此预计会占用较少的芯片面积。
适用于光接收器应用的低功耗两级 CMOS 运算放大器的设计方法
光接收器的性能受到互补金属氧化物半导体 (CMOS) 运算放大器 (op-amps) 设计的显著影响，这种设计受益于 CMOS 技术的进步，可降低噪声和功耗。本研究概述了低噪声 CMOS 运算放大器的设计过程，旨在实现高质量的信号输出，这对于必须尽量减少噪声干扰的专业音频设备和精密仪器等应用至关重要。通常，降低噪声的努力会导致速度降低和功耗增加。因此，实现性能参数的最佳平衡至关重要，噪声水平是主要关注点。提出了一种有效的设计方法来提高运算放大器的整体性能。采用分析方法来深入了解设计，优先考虑噪声性能。设备尺寸和偏置条件是根据噪声水平、带宽、信号摆幅、斜率和功耗等几个因素确定的。已经开发了一个两级运算放大器来验证所提出的设计方法。通过该方法得出的器件参数与使用 MATLAB 生成的模拟结果非常吻合，强调了设计过程的准确性和有效性。
CA-IS1311 5-kVRMS Reinforced Isolated Amplifier for Voltage ...
PARAMETER MIN MAX UNIT VDD1, VDD2 Supply voltage 2 – 0.5 6.5 V VIN Analog input voltage GND1 – 6 VDD1 + 0.5 3 V SHTDN Shutdown mode control input voltage GND1 – 0.5 VDD1 + 0.5 3 V VOUTP, VOUTN Analog output voltage GND2 – 0.5 VDD2 + 0.5 3 V I IN Input current to any pin except supply pins – 10 10 mA T J Junction Temperature 150 °C T STG Storage Temperature – 65 150 °C NOTE: 1. Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended Operating Conditions is not implied. Exposure to absolute‐maximum‐rated conditions for extended periods may affect device reliability. 2. All voltage values are with respect to the local ground terminal (GND1 or GND2) and are peak voltage values. 3. Maximum voltage must not exceed 6.5 V. 7.2 ESD Ratings VALUE UNIT
TBMDA7调制宽带驱动器放大器
TBMDA7调制的宽带驱动器放大器旨在为电子构建块和产品的免疫测试提供廉价的信号源。它在从1 GHz到3 GHz的频率范围内运行，设计为频谱分析仪的跟踪发生器输出驱动。具有350 MW AVG的1dB压缩点。和饱和的输出功率为500 MW AVG。，它可以提高跟踪发电机的输出功率，以使Tekbox在现场探针附近驱动Tekbox，以找到电子电路的敏感位置，或在驱动TEKBox TEM Cell TBTC0，80V/M cw/m cw，40v/m cw/m cw，45v/m cw，45v/m cw，40v/m c时，最高150V/m cw，80v/m am am驾驶TBTC2或27V/M CW时的V/M AM，驾驶TBTC3时15V/m AM。免疫测试的测试信号可以是CW，AM或PM。TBMDA7提供内置的调制能力，以生成1 KHz AM或PM信号。在PM模式下，TBMDA7还可以生成217 Hz信号，其占空比为12.5％，以模拟手机TDMA噪声。
通过 ACM 模型实现低功耗 CMOS 差分放大器
摘要 — 统计技术经常用于预测电子系统的性能。工艺变化考虑了制造时材料参数的不确定性，会对模拟集成电路的产量产生不利影响。对由于制造参数变化而导致的模拟电路关键输出参数变化进行统计分析，以预测产量，是模拟芯片制造中必不可少的步骤。在这项工作中，我们使用严格的统计方法来检查典型模拟电路的性能。我们设计了一个 65 nm 技术的两级 CMOS 差分放大器配置，使用 ACM 模型参数来检查工艺变化下的产量。我们采用三种不同的蒙特卡罗模型（均匀、高斯、最坏情况）来检查设计的 CMOS 差分放大器关键性能参数的统计变化。据报道，在典型工艺参数变化 10% 的情况下，关键差分放大器参数、最大增益、增益裕度和相位裕度都会发生变化。在最坏情况分布的情况下，变化最大，而在高斯分布的情况下，变化最小。结果表明，工艺变异对设计的CMOS差分放大器的成品率有显著影响。在高斯分布的情况下，增益裕度（dB）、相位裕度（度）和最大增益（dB）的标准差分别为11、25和24。