Josephson行动波参数放大器 / Guarcello的建模,Claudio;瓜里诺(Guerino)Avallone;卡洛男爵; Borghesi,Matteo;头发,西尔维亚; Carapella,Giovanni;安娜·保罗(Anna Paola)装满; Carusotto,Iacopo; Cian,Alessandro; Daniele的Gioacchino; Enrico,Emanuele; Paolo的Falferi;法萨(Fasolo),卢卡(Luca); Faverzani,Marco;费里(Ferri),埃琳娜(Elena); Filatrella,Giovanni; Gatti,Claudio; Giachero,Andrea; Damiano Giubertoni; Veronica Granata;希腊,安吉洛;拉布兰卡(Danilo);狮子座,安吉洛; Ligi,卡洛; Maccarrone,Giovanni; Federica Mantegazzini; Margesin,Benno; Maruccio,朱塞佩; Mauro,君士坦丁; Mezzena,Renato;莫特杜罗,安娜·格拉齐亚; nucciotti,安吉洛;卢卡·奥伯托(Oberto); Origo,卢卡; Pagano,Sergio; Pierro,Vincenzo; Piersanti,卢卡; Rajteri,毛罗; Alessio Rettaroli;里萨托,西尔维亚;范特,安德里亚; Zannoni,马里奥。- 在:IEEE超导性上的IEEE交易。- ISSN 1051-8223。-33:1(2023),pp。1-7。[10.1109/tasc。 2022.3214751]
摘要 CMOS 技术的扩展允许设计更复杂的系统,但同时也带来了一些可靠性问题。特别是,大幅扩展的微电子技术受到偏置温度不稳定性 (BTI) 老化现象的影响,这种现象导致晶体管阈值电压的绝对值随老化时间增加,从而降低微电子电路的可靠性。在本文中,我们估计了 BTI 对开环配置的运算放大器 (OPAMP) 以及基于 OPAMP 的三个卓越模拟放大器的性能下降。结果表明,BTI 会严重影响所研究电路的性能,并且这种性能下降会随着工作温度的升高而恶化。我们还简要介绍了一种可能的低成本监控方案,用于检测由 BTI 引起的 OPAMP 性能下降。我们的监控器的有效性已通过布局前电气模拟得到验证,结果表明它可以可靠地用于评估 OPAMP 的老化性能下降。
在现代通信标准中,功率放大器(PA)必须在越来越大的动态范围和带宽上实现高效率,同时保持严格的线性要求。效率提高可以通过负载调制体系结构(例如Doherty功率放大器)来实现。但是,基于此概念的放大器通常与线性降解有关。在4G网络中,数字预性用于减轻负载调节的放大器的非线性。但是,5G NR系统的更大带宽和复杂性限制了DPD的适用性。本论文旨在解决高效率功率扩增器的固有线性,以便无需有限的预期,可以充分地进行效率。它专注于负载模块的平衡放大器(LMBA)。LMBA是最近的建筑,作为经典Doherty PA的替代品。这里提出了对LMBA的新数学分析,重点是负载调制轨迹。这种基于阻抗的分析导致开发了一种新方法,用于从主晶体管的载荷测量值中设计线性/有效的功率放大器。将此方法应用于10W gan Hemt,我们表明,在单端配置中具有相似性能的三个不同的放大器在LMBA档案中使用时的性能非常不同。根据我们的理论,LMBA的幅度(AM-AM)和相(AM-PM)畸变取决于负载轨迹。然后,在GAAS技术中使用相同的方法在1W频段1W MMIC放大器上应用。选择它以使相失真最小化,然后可以选择第二个谐波终止以最大化效率。j级第二谐波终止被确定为最佳情况,导致-40.5dBC ACLR(相邻的通道泄漏比),当用10 MHz刺激10 MHz时,在2.4GHz的耗尽效率为40.5%,为8.6db Papr(峰值平均电力比)LTE信号。但是,在这些频率下,第二个谐波终止对功率放大器的效率的影响很小。缺乏这种额外的自由度,不能为缓解AM-PM选择载荷轨迹,并且效率/线性权衡会降低。最后,提出了阻抗不匹配在功率放大器中的起源和影响。研究了输出阻抗不匹配下负载调制平衡放大器的性能。我们观察到,如果未在输出处显示最佳阻抗,则会取消LMBA的效率提高。然后提出了一种新型的双重平衡LMBA,以实现高效率功率放大器中的不匹配弹性。
Supply Voltage, V+ to V– .................................................................... 7.5V Signal Input Terminals, Voltage (2) ..................... (V–) – 0.5V to (V+) + 0.5V Current (2) ..................................................... 10mA Output Short-Circuit (3) ..............................................................Continuous Operating Temperature .................................................. –55 ° C to +125 ° C Storage Temperature ...................................................... –65 ° C to +150 ° C Junction Temperature .................................................................... +150 ° C
运算放大器广泛用于各种电子应用,包括音频放大器、信号调节器、滤波器、振荡器、稳压器等等。它们是模拟电子器件的基本组成部分,通常与其他元件配合使用,在电子电路中执行各种任务。运算放大器以集成电路 (IC) 形式提供,因此易于在各种应用中使用。运算放大器是线性集成电路 (IC)。线性集成电路是由许多晶体管、二极管、电阻器和电容器组成的设备,它们被制造在单个半导体材料微型芯片中,并封装在一个外壳中,以形成一个功能电路。
Elite RF 由前摩托罗拉工程领导于 2014 年创立,在设计和制造固态射频功率放大器和高功率微波发生器方面树立了极高的标准,可提供现成的现货和定制设计解决方案。凭借内部工程团队和质量控制的 22,000 平方英尺制造设施,我们的核心优势在于我们对协作工程、稳健设计、高制造质量和准时交付的承诺。我们致力于提高您的运营绩效,旨在为您在快速发展的射频领域提供显著的竞争优势。
监视每个单独的逆变器腿使用低侧电流传感拓扑,而无需隔离放大器就可以完成,因为每条腿的共同模式电压接近零。有三种方法可以实现低端电流感应。一,二或三转的拓扑。虽然单次测量技术趋向于更高的带宽要求,但三转解决方案要求较低的速度,通用物质放大器(例如TLV9061-Q1),因为您能够单独监视每条腿。在OBC系统中准确的电流传感的一项重要要求是确保定居时间尽可能短,这就是为什么建议将TLV9061-Q1(10 MHz Unity增益宽宽放大器(1 µs沉降时间))以使该应用程序快速响应电流的变化。
摘要 — 统计技术经常用于预测电子系统的性能。工艺变化考虑了制造时材料参数的不确定性,会对模拟集成电路的产量产生不利影响。对由于制造参数变化而导致的模拟电路关键输出参数变化进行统计分析,以预测产量,是模拟芯片制造中必不可少的步骤。在这项工作中,我们使用严格的统计方法来检查典型模拟电路的性能。我们设计了一个 65 nm 技术的两级 CMOS 差分放大器配置,使用 ACM 模型参数来检查工艺变化下的产量。我们采用三种不同的蒙特卡罗模型(均匀、高斯、最坏情况)来检查设计的 CMOS 差分放大器关键性能参数的统计变化。据报道,在典型工艺参数变化 10% 的情况下,关键差分放大器参数、最大增益、增益裕度和相位裕度都会发生变化。在最坏情况分布的情况下,变化最大,而在高斯分布的情况下,变化最小。结果表明,工艺变异对设计的CMOS差分放大器的成品率有显著影响。在高斯分布的情况下,增益裕度(dB)、相位裕度(度)和最大增益(dB)的标准差分别为11、25和24。
• 放大器从低频到 40GHz • 功率从 1W 到 100kW • A 类和 AB 类放大器 • CW/脉冲 • 内置不同形式 - 模块、机架或定制外壳 • 内置保护、启用/禁用输入、高反向隔离和更多功能 • 选项
我们专注于固态射频和微波功率放大技术,高度重视客户满意度。利用我们内部的射频工程专家团队和先进的生产设施,我们制造出高达 40GHz 和 100kW 功率的强大射频放大器。从定制要求到现成供应,我们与客户合作,提供具有行业领先保修的经济高效的放大器。请参阅以下我们的热门型号,并与我们联系以讨论您的定制要求。