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对低功率CMOS操作放大器的评论
在图4，M1和M2的电路中是N型MOS晶体管，M3和M4是P型MOS晶体管。这些晶体管在CMOS拓扑中配置差分放大器，以最大程度地减少功率消耗[6]。偏置电路是由编程电流（I Ref）控制的镜电路（M5和M6），可为差分和通用源放大器提供适当的偏置电流。补偿电路涉及频率补偿的技术，其中使用这些技术的目的是避免产生正面反馈的意外创建，从而导致Op-Amp输出中的振荡并控制对单位步骤功能的响应[7]。频率补偿技术包括磨坊主补偿技术，无效电阻技术以及电压缓冲液或电流缓冲技术。
利用准差异放大器单元的级联单级分布放大器的增强设计
级联的单阶段分布放大器（CSSDA）由于其显着的增益带宽产品而有助于微波应用实现超宽带扩增。但是，它们的功能通常会因内部噪声而损害，这会对响应的线性产生有害。通过引入准差分分布式放大器（QDDA）提出了对这个普遍问题的创新解决方案。实施0.18μm互补的金属氧化物半导体（CMOS）技术，设计，制造和测试了具有单级四级级联配置的QDDA。经验结果表明，高增益为20dB，并且具有30GHz的带宽。此外，观察到噪声图为4.809，紧凑的芯片尺寸为0.74mm²。使用高级设计系统（ADS）RF模拟器完成了此设计和结果发现。随后使用Cadence工具生成电路布局和规格。这项研究证明了QDDA显着提高CSSDA的性能的潜力，这有助于进步超宽带微波炉应用。
使用CMOS逆变器和差分对放大器作为延迟元素的环振荡器配置的比较分析
摘要 - 环振荡器是集成电路的必要块，充当数字时钟生成器。该振荡器有几种进度技术。然而，最适当的环振荡器的拓扑选择需要对电气特征进行权衡的分析。本文介绍了两个拓扑之间的比较研究，以实施环振荡器。每个拓扑都使用特定的延迟单元格：CMOS逆变器或差分对放大器。目标输出频率为10.44 MHz，振荡器以130 nm的技术实现。拓扑是根据功率耗散，硅面积和制造过程变化的比较。电气模拟表明，逆变器环振荡器具有较小的功耗和较小的硅面积。在另一侧，差分放大器振荡器对过程变化的敏感性较小。这些结果可以帮助指导设计师确定适合集成电路设计中系统要求的最佳拓扑。索引项 - 逆变器，差分对，环振荡器，人体动作过程变化。
w波段的低噪声放大器用于空间应用
Spectrum Control Emeia与英国航天局合作，能够为欧洲航天局（ESA）提供一种独特的解决方案，该解决方案利用GMIC（玻璃微波集成电路）作为一种促成技术，并建立了工业合作伙伴关系，以提供MMIC解决方案和州的现状测试和测量能力。正在进行开发的解决方案是用于空间应用的W波段，双冗余的低噪声放大器，包括未来的高频数据通信，并在5G/6G和W波段雷达中脱离了应用。
用于隐蔽式耳内脑电图记录的高端和低成本脑电图放大器的系统比较
摘要：可穿戴脑电图 (EEG) 有可能通过脑机接口 (BCI) 改善日常生活，例如改善睡眠、自适应助听器或基于思维的数字设备控制。为了使这些创新更适合日常使用，研究人员正在寻找小型化、隐蔽的 EEG 系统，该系统仍能精确收集神经活动。例如，研究人员正在使用可附在耳朵周围的柔性 EEG 电极阵列 (cEEGrids) 来研究日常生活中的神经激活。然而，这种隐蔽 EEG 方法的使用受到测量挑战的限制，例如信号幅度减小和记录系统成本高。在本文中，我们将低成本开源放大系统 OpenBCI Cyton+Daisy 板与基准放大器 MBrainTrain Smarting Mobi 的性能进行比较。我们的结果表明，OpenBCI 系统是隐蔽 EEG 研究的可行替代方案，具有高度相似的噪声性能，但时间精度略低。对于预算较少的研究人员来说，该系统是一个很好的选择，因此可以为推进隐匿性脑电图研究做出重大贡献。
可变和可编程增益放大器及其应用综述
在许多应用中，包括 RF 设计的 VGA/PGA，具有 dB 线性（dB 尺度上的线性关系）增益特性的放大器是首选，因为它在 AGC 环路中使用时可以实现恒定的稳定时间 [13–15]。这种关系在 BJT 技术中很容易实现，其中增益与控制信号呈指数关系 [16–18]。对于 MOS 器件，尽管指数关系存在于亚阈值区域并可提供较宽的增益控制范围 [19]，但饱和区有利于降低噪声并增加带宽 [20]，并且由于后者的平方关系，需要指数 VI 转换电路来实现指数增益控制关系 [21]。实现指数转换器的一些方法采用 BiCMOS 技术[22–24]、寄生双极晶体管[20]或使用提供伪指数函数近似的 CMOS 电路[25,26]。
GaAs 功率放大器 - CTT 目录 2017
商用和军用系统将继续在整个电磁频谱范围内发展。二十年来，联邦政府对雷达频段 L 至 Ku 的频谱要求证实了这一要求的必要性。采用 GaN 器件的固态功率放大器具有五到十倍的功率处理能力，是此类应用的理想选择，使其成为目前使用 TWT 的系统中合适的替代品。尽管 GaN 技术在这些应用中的使用正在增长，但 CTT 的 GaAs 功率放大器继续在低功率低压系统以及要求高线性度的系统应用中提供特定优势 - GaAs 具有长期的可靠性、低成本、广泛可用性和出色的整体性能记录。不断涌现的应用程序的性质依赖于数字技术的进步所带来的复杂性
增益提升折叠共源共栅运算放大器，带电容耦合辅助放大器 M. Rashtian* a、M. Vafapour b
介绍了一种使用简单单级辅助放大器的新型增益提升折叠共源共栅运算放大器。所提出的辅助放大器的设计方式是，无需使用共模反馈网络，即可获得适当的输入和输出直流共模电压。辅助放大器的输入端由耦合电容器和浮栅 MOS 晶体管隔离。因此，直流输入电压电平限制已被消除。辅助放大器的输出端也使用了二极管连接的晶体管，使输出电压电平保持在所需的水平。与更复杂的放大器相比，简单的单级辅助放大器对主放大器施加的极点和零点更少，而且功耗也更低。0.18μm CMOS 技术的仿真结果显示直流增益增强了约 20 dB，而输出摆幅、斜率、稳定时间、相位裕度和增益带宽几乎与之前的折叠共源共栅设计相同。
