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DCA™ 数字影院放大器 - QSC
图形符号说明...................................... 2 图形符号说明 Erklärung der Bildsymbole Explicación de símbolos 目录 ..... .. ................................................. 3 目录 Inhaltsverzeichnis Tabla de las materias符合性声明 ................................................ 4 符合性声明 Konformitätserklärung Declaración de Conformidad介绍 ................................................. .. 5–8 前言 简介 前面板 .................................................................. ......................7 前面板 Vorderseite 前面板 后面板 .................................. ................................................ 8 后面板 Rückseite 面板后部功能和设置..................................................9– 16 特征及其用途 AUSSTATTUNG & EINSTELLUNGEN调整和特性 削波限制 ................................................ ......................9 削波限制器 削波限制器 Limitador de picos 输入滤波器 ....................... . ...................................................... 10 滤波器输入 Eingangsfilter 输入滤波器并行输入模式....................................................... ..11 并行输入模式 Eingangsparallelschaltung 并行输入模式 桥接单声道模式 .................................................. .. ..............13 单声道桥接模式 Monobrückenbetrieb Modo puenteado en mono 立体声、并行输入和桥接单声道模式之间有什么区别？........................................ . ...................15 立体声、并行和桥接模式有何区别？Unterschiede zwischen 立体声、并行和单声道模式 立体声、并行输入和桥接单声道模式之间有什么区别？
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
LM2900/LM3900/LM3301 四路放大器
绝对最大额定值 如果需要军用、航空航天专用器件，请联系美国国家半导体销售办事处、分销商，了解供货情况和规格。 LM2900、LM3900 LM3301 电源电压 32 V DC 28 V DC g 16 V DC g 14 V DC 功耗 (T A e 25 � C)（注 1） 模压 DIP 1080 mW 1080 mW S�O� 封装 765 mW 输入电流 � I IN a 或 I IN b 20 mA DC 20 mA DC 输出短路持续时间 � 一个放大器 连续 连续 T A e 25 � C（参见应用提示） 工作温度范围 b 40 � C 至 a 85 � C LM2900 b 40 � C 至 a 85 � C LM3900 0 � C 至 a 70 � C 存储温度范围 b 65 � C 至 a 150 � C b 65 � C 至 a 150 � C 引线温度（焊接 10 秒） 260 � C 260 � C 焊接信息 双列直插式封装焊接（10 秒） 260 � C 260 � C 小型封装气相（60 秒） 215 � C 215 � C 红外线（15 秒） 220 � C 220 � C 有关焊接表面贴装设备的其他方法，请参阅 AN-450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”。 ESD 耐受性（注释 7） 2000V 2000V