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3D 打印介电透镜可提高天线增益并扩大光束扫描角度
大多数电信和射频传感市场都在向更高性能的无线链路和传感技术迈进。为了实现这些新的吞吐量、延迟、可靠性、无线连接设备数量、可配置性和传感分辨率，从蜂窝电信到军用雷达应用，业界已投入大量资金来使用频谱的更高频率部分。这些努力要求开发更强大的先进/有源天线系统 (AAS) 用于电信，以及有源电子控制天线阵列 (AESA) 用于军事/国防传感和干扰技术。需要在更高频率下使用更复杂的 AAS 来克服与微波和毫米波通信和传感相关的高大气衰减和对准挑战。在大多数情况下，电子可控相控阵天线一直是实现 AAS 的最受探索的解决方案。
使用仿真数据的机器学习使用机器学习的到达角度估计
摘要 - 在汽车行业中，雷达技术正在越来越重要，因为它被用于对象检测，避免碰撞和巡航控制。鉴于雷达信号固有的大量数据，机器学习是制定对车辆情况意识至关重要的预测和决策的理想工具。该技术文档报告了一项初步研究，旨在通过使用机器学习技术的汽车雷达来估算目标，信号到达的方向。最初，进行了道路上的雷达方案的模拟，从而产生了64 GB的数据集，其中约为20万个样本。随后，该数据集被用于训练两种类型的深度学习算法：经典密集的神经网络和卷积神经网络。将结果与被称为音乐的经典信号方向进行比较。
化学合成氧化物氧化物介导的电极用于超级电容器应用：接触角的影响
摘要：使用连续的离子层吸附和反应（Silar）方法，将氧化物和氧化物基的电极的薄膜沉积在不锈钢基板上。X射线衍射（XRD）研究表明，底物上的无定形材料形成，并通过能量分散研究（EDS）证实了材料的组成。水接触角度测量显示了沉积材料的超吞噬表面。形态显示氧化摄氏类似于手指芯片型形态，而真菌喜欢和鳄鱼后生的形态，对于氧化氧化物氧化物氧化物和氧化物氧化物和氧化物氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物激活碳（AC）的复合。在0.2 m的非水力KCL电解质中进行了超级电容器施用的环状伏安测量。指定具有94.22°接触角的氧化物电极为106.25 f·g
直接视图在魔术扭转角度附近的石墨烯超晶格中的栅极可调小型散布
摘要：扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态，例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而，缺乏全面的理解，因为当电场应用以改变电子填充时，低能带的结构会发生强烈的变化。在这里，我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配，我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯（TBG）和扭曲的双重双层石墨烯（TDBG）的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比：可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体，将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中，我们发现了低能带的复杂行为，结合了非单调带宽变化和可调间隙开口，这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度，并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字：扭曲的双层石墨烯，Moire ́超级晶格，扁平带，微摩尔，原位门控，带宽重归于
一种适应性损害建模的自适应丽兹公式，以可变角度拖曳复合板
在这项工作中，提出，开发，实施和测试，用于分析具有损害启动和进化的可变角度拖曳复合板的自适应丽兹模型。使用一阶剪切变形理论表示板运动学表示，而在给定负载步骤处的板平衡方程是通过最小化结构势能来获得的。本构行为是在连续损伤力学框架内建模的。尤其是通过在拉伸或压缩载荷中定义与纤维和矩阵相关的不可逆伤害指数来跟踪损害的启动和演变。然后，通过假设能量最小化中主要运动学变量的多项式RITZ近似来获得离散方程。初步测试表明，该方法作为单域方法的应用如何引起有问题的虚假效应的出现，这与吉布斯人伪像有关，因为所选的多项式基础无法代表损害定位。因此，提出了一种自适应多域技术来规避此类问题，该问题已通过基准测试成功验证。最终，提出了有关在渐进式载荷下具有损害演变的可变角度拖放板的原始结果。
低温电解技术的电阻，孔隙率和水接触角度
多孔传输层是低温电解装置的重要组成部分，例如质子交换膜水电油夹或阴离子交换膜水电油层。PTL对细胞性能具有显着影响，因为它们的大量电阻会影响欧姆电阻，它们的接触电阻会影响电极性能，并且它们的结构会影响到细胞的液体流动，这可能会导致大规模传播损失。为了提高细胞性能，PTL的优化至关重要。应使用标准化协议来充分比较来自不同机构的PTL。此方法将详细介绍使用四线设置来测量PTL电阻的标准化协议，并将详细介绍使用毛细管流孔径测量PTL的孔隙率和水接触角的过程。
基于合成传感器的可认证空气数据系统流动角度估计的安全性分析
摘要：本研究涉及部分基于合成传感器的空气数据系统 (ADS) 的安全性分析。ADS 专为小型飞机运输 (SAT) 社区设计，适用于未来的无人机和城市空中交通应用。ADS 的主要创新在于使用合成传感器代替传统叶片（或传感器）来估计流动角（攻角和侧滑角），而压力和温度则直接用皮托管和温度探头测量。由于空气数据系统是安全关键系统，因此需要进行安全分析，并将结果与飞机集成商要求的安全目标进行比较。本文介绍了应用于部分基于合成传感器的安全关键系统的系统安全评估的常见航空程序。统计估计了 ADS 子部件的平均故障间隔时间，以评估 ADS 功能的故障率。所提出的安全分析还有助于识别最关键的空中数据系统部件和子部件。还确定了为实现非冗余架构的适航安全目标而可能填补的技术差距。
当手膜膜遇到皱纹时：视角独立波纹光子晶体
胆固醇液晶（CLC）相。[1] CLC相的最引人注目的特征是由于光的选择性反射，其异常的光旋转功率和结构颜色。[2]结构颜色是光干扰现象的结果，例如由周期性纳米结构引起的Bragg反射和棒状分子的平均折射率。CLC的初始缺口位置可以通过公式λ0= n×p 0表示，其中λ0是初始缺口位置，n是平均折射率，P 0是初始音高长度。[3]自然采用了这种螺旋纳米结构，向花瓣，蝴蝶翅和甲虫的表皮提供各种颜色信息。[4]灵感来自此类天然光子纳米结构，许多研究人员使用光子晶体，等离子体纳米结构和元素制造人造结构颜色。[5]这些天然螺旋纳米结构的实例和人造结构颜色的研究已用于设计具有先进功能的材料，例如在光学传感，伪装和反伪造技术中使用的材料。[6]
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
偏头痛的存在和严重程度与原发性开角型青光眼的发展有关：一项基于人群的纵向队列研究
偏头痛影响着全世界超过 10% 的成年人口，是世界上最严重的致残疾病之一 [1]。此外，偏头痛还会产生巨大的经济和社会影响：它会影响患者的生活质量并损害工作、社交活动和家庭生活 [2-4]。尽管偏头痛的性质和机制复杂且尚未完全了解，但潜在机制包括血管痉挛、血管内皮相关的高凝状态以及与皮质扩散性抑制相关的血管改变 [5,6]。偏头痛被认为是一种系统性血管病，与缺血性心脏病、中风和其他心血管疾病有关 [6]。青光眼也是一种多因素疾病，以进行性视神经病变和明显的视野缺损为特征 [7,8]。虽然眼压已被确定为青光眼发展的最重要风险因素，但其他风险因素也已被发现 [9,10]。已知女性 [ 11 ]、高龄 [ 8 ， 12 ， 13 ]、吸烟 [ 14 ， 15 ]、饮酒 [ 14 ， 16 ]、运动不足 [ 14 ， 17 ]、较低 BMI [ 14 ， 18 – 20 ] 和 CKD [ 21 ] 会增加患青光眼的风险。高血压和糖尿病等全身血管因素以及眼部血管因素（如眼血流和眼灌注压）均被认定为风险因素，强调了血管机制在其病理生理学中的作用 [ 9 ， 10 ， 22 ]。这种关联在正常眼压性青光眼 (NTG) 患者中似乎更为明显 [ 23 ]，NTG 是韩国最常见的青光眼类型。韩国 Namil 流行病学研究显示，韩国 POAG 患者中 NTG 的比例为 77% [24]。因此，我们将 NTG 患者纳入本研究的对象人群，以更好地代表韩国的流行病学状况。考虑到这种常见的病因，之前已经研究过偏头痛与原发性开角型青光眼 (POAG) 之间的潜在关联，但结果尚无定论。蓝山眼科研究表明，在 70-79 岁人群中，偏头痛与 POAG 之间存在正相关 [25]。相反，比弗坝眼科研究发现，没有证据表明开角型青光眼与偏头痛之间存在关联 [26]。在一项研究偏头痛与青光眼之间关联的荟萃分析中，病例对照设计研究发现了显著的关联，但在队列设计研究中并未发现，作者得出结论，这种关联仍然存在争议 [27]。此外，目前还没有研究根据偏头痛的严重程度探讨青光眼的风险。因此，本研究使用全国纵向队列数据，在 9 年的随访期内调查了偏头痛与 POAG 发病风险增加之间的关联。我们还检查了这种潜在关联是否与偏头痛的慢性程度和严重程度成正比。