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如何解决 BEOL RC 延迟问题？ P.17
英特尔的 Georgiopoulos 同意目前正在建设大量的基础设施。“这些基础设施既包括生成数据的能力，也包括处理边缘和云端数据的能力，”他说。好消息是，对这些数据进行分类可能会变得容易一些。“过去四五年来，最重要的事情之一就是生成的数据的质量，这减少了对极端算法开发的需求，”他说。“我们获得的数据越好，AI 神经网络就越合理，AI 网络就越简单，我们就可以提取所需的信息并将数据信息转化为美元。” 请访问我们的网站 www.solid-state.com，查看有关该小组的完整报告。
大马士革与减法线 CMP 工艺用于电阻式存储器交叉开关 BEOL 集成
近年来，电阻式存储器已成为电子领域的一项关键进步，在能源效率、可扩展性和非易失性方面具有众多优势 [1]。这些存储器以其独特的电阻开关行为为特征，非常适合各种应用，从高密度数据存储到神经形态计算 [2]。它们与先进的半导体工艺的兼容性进一步增强了它们的潜力，使其能够无缝集成到现代电子电路中 [3]。电阻式存储器的一个特别有前途的途径在于将其集成在半导体制造的后端 (BEOL) 阶段 [4]。BEOL 集成涉及晶体管制造后发生的工艺，主要侧重于创建电气连接这些晶体管的互连。在此阶段集成电阻式存储器可实现紧凑、高效和高性能的架构，这对于数据存储和处理共置的内存计算应用至关重要 [5]。本文研究了使用化学机械抛光 (CMP) 工艺将基于 TiO x 的电阻式存储器集成到无源交叉阵列结构中的三种方法，重点是确定最佳集成技术。
低功耗、可扩展、兼容 BEOL 的 IGZO TFT eDRAM 电荷域计算
摘要 — 在有限的芯片占用空间和能源供应下，边缘人工智能 (AI) 的快速发展对边缘设备的数据密集型神经网络 (NN) 计算和存储提出了很高的要求。作为一种有前途的节能处理方法，内存计算 (CiM) 近年来在缓解数据传输瓶颈的努力中得到了广泛的探索。然而，片上内存容量较小的 CiM 会导致昂贵的数据重新加载，限制了其在大规模 NN 应用中的部署。此外，先进 CMOS 缩放下增加的泄漏降低了能源效率。在本文中，采用基于铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的器件电路协同来应对这些挑战。首先，提出了 4 晶体管 1 电容器 (4T1C) IGZO eDRAM CiM，其密度高于基于 SRAM 的 CiM，并且通过较低的器件泄漏和差分单元结构增强了数据保留。其次，利用新兴全通道 (CAA) IGZO 器件的后端 (BEOL) 兼容性和垂直集成，提出了 3D eDRAM CiM，为基于 IGZO 的超高密度 CiM 铺平了道路。提出了包括时间交错计算和差分刷新在内的电路技术，以保证大容量 3D CiM 下的准确性。作为概念验证，在代工厂低温多晶和氧化物 (LTPO) 技术下制造了一个 128 × 32 CiM 阵列，展示了高计算线性度和长数据保留时间。在扩展的 45nm IGZO 技术上的基准测试显示，仅阵列的能效为 686 TOPS/W，考虑外围开销时为 138 TOPS/W。
在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。
Beol-Polymer-risidue-...
○ Ting Yao 1 , Yang Chen 1 , Wenjun Wang 1 , Xiaoyan Zhang 1 , Fuping Chen 1 , David H. Wang 1
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺