美国更新国防部中国军民融合贡献者名单:1 月 6 日,国防部发布了年度更新的 1260H 名单,这些实体被指定为中国军事公司或支持中国军民融合战略并在美国开展业务。媒体通常将 1260H 名单称为国防部的“黑名单”,旨在支持国防部限制采购中国实体生产的用于中国军方的产品的努力。指定并不构成制裁,也不构成投资限制、出口管制或私人交易。被指定实体目前不受任何限制,该名单将作为一种点名羞辱机制,直至 2026 年。从 2026 年开始,国防部将被限制与指定实体签订合同或进行采购。特朗普在其第一任期的最后几周努力扩大国防部“黑名单”,拜登团队也扩大了 1260H 名单,将一些在美国运营的中国最大实体纳入其中,包括主要的科技、电池、半导体和能源公司。这可能会带来法律挑战——国防部的中国军工公司名单一直受到法律挑战,因为这些实体辩称自己与解放军没有关系,也不向解放军供货。
BGR 即将迎来一个里程碑式的生日。这当然是值得祝贺的恰当理由,但也提供了一个回顾过去、展望未来的机会。五十年前,即 1958 年 11 月 26 日,第一任联邦经济部长路德维希·埃哈德 (Ludwig Erhard) 颁布法令成立了 BGR,作为联邦政府的中央地球科学咨询机构。就人的一生而言,50 年是一段相当长的时间,但我们能够理解。然而,对于地球科学家来说,它似乎相对较短,因为在几十亿年的地质时间尺度上,50年只不过是短暂的一瞬。
联邦地球科学与资源研究所 (BGR) 即将迎来一个里程碑式的生日。这当然是值得祝贺的恰当理由,同时也提供了一个回顾过去、展望未来的机会。五十年前,即 1958 年 11 月 26 日,第一任联邦经济部长路德维希·埃哈德 (Ludwig Erhard) 颁布法令,成立了联邦地球科学与资源研究所 (BGR),作为联邦政府的中央地球科学咨询机构。从人的一生来看,50 年是一段相当长的时期,但我们能够理解。然而,对于地球科学家来说,这一段时期似乎相对较短,因为在几十亿年的地质时间尺度上,50 年不过是一瞬。
裁剪:将输入图像尺寸(640x480 BGR)转换为肖像图像尺寸(270x480 BGR)。调整大小:将图像尺寸(270x480 BGR)转换为 HWC 张量尺寸(192x256x3)。转换为 fp16:从 int8 转换为 fp16 进行 DRP-AI 处理。标准化:使用“平均值”和“标准差”进行标准化。
1 德国科学与人文委员会于 2006 年对 BAM 进行了评估,德国联邦材料研究与测试研究所 (BAM) 于 2007 年进行了评估,请参阅:德国科学与人文委员会:关于联邦材料研究与测试研究所 (BAM) 的声明,柏林,Drs 7256-06,纽伦堡,2006 年 5 月; Ders.:关于联邦地球科学及自然资源研究所 (BGR) 的声明,汉诺威,Drs 8173-07,法兰克福,2007 年 11 月。
带隙参考(BGR)是模拟,混合信号,射频和生物医学应用中的关键电路。它提供了与温度无关的电压/电流,以引用低液位调节器(LDO)或临界电路的偏置电压。其输出电压也应对过程电压和温度(PVT)角敏感得多(Wong等,2004)。同时,对于在电池电源上运行的生物医学设备的功率必须是超低功率;因此,电池寿命很大。低温漂移电路是可穿戴生物医学设备中的关键模拟块。例如,具有1 mV分辨率的ADC需要具有0.5 mV最差温度漂移的BGR电路(Nagulapalli等,2017)。 因此,这显示了高度准确的参考电路的必要性。例如,具有1 mV分辨率的ADC需要具有0.5 mV最差温度漂移的BGR电路(Nagulapalli等,2017)。因此,这显示了高度准确的参考电路的必要性。
固定的1.2V输出,接近于硅的带隙电压。电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关,可以根据应用需要进行调整,这也是电流型BGR仍在许多模拟集成电路中广泛使用的原因。由于电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关,因此称之为电压基准(VR)更为合适。目前,VR的研究方向都与其主要性能参数有关。一是功耗,降低功耗的常用方法是采用亚阈值金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),因为亚阈值MOSFET的电流比普通MOSFET低得多,适合于低功耗设计[1-8]。另一个是输出电压的温度系数(TC),它是反映VR性能的重要参数。迄今为止,世界各地的研究人员已经提出了许多方法来提高VR的TC,以适应不同的应用。传统BGR输出电压中含有高阶非线性项,导致输出电压的温度曲线具有一定的曲率,从而决定了输出电压的温度系数。有的文献利用非线性电流来补偿输出电压中的高阶非线性项[9~14]。也有研究者将温度范围分成几部分,对每部分温度分别进行补偿,这种方法称为分段补偿[9,15]。一般来说,这种方法的补偿效果较好,但是电路结构稍复杂。针对正向偏置PN结电压的非线性特性,补偿方法有两种,一种方法是利用流过正向偏置PN结的不同TC电流来补偿曲率[10,16~20],另一种方法是通过不同的器件来补偿曲率[21,22]。以上两种方法都是利用PN结的温度特性来补偿温度曲率,比较适用于基于传统BGR电路结构的VR。亚阈值BGR在低功耗方面具有优势,但是传统BGR具有更好的工艺兼容性和更好的TC,这也是本文基于传统电流型BGR设计VR的原因。段全振等人在2015年提出了一种利用NPN BJT进行补偿的方法[21],该补偿曲率的方法简单实用,但需要NPN BJT工艺的支持,有些特定工艺无法提供NPN BJT,根据特定工艺的特点,我们利用工艺设计了一种高精度曲率补偿VR