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BGRS/ SB -2024 -ICIG SB RAS div>
第1.1节。结构和功能组织Genomov ershov nikita Igorevich，FIC细胞学和遗传学研究所，因此，俄罗斯Novosibirsk，俄罗斯Afonnikov Dmitry Arkadievich，FICS细胞学和遗传学研究所，因此，Novosibirsk，Novosibirsk，Russia，Russia secte。监管基因组学Kulaksky Ivan Vladimirovich，Pushchino White Ran研究所；一般遗传学研究所。N.I. Vavilova Ran，莫斯科；喀山联邦大学Makeev All Yuryevich，一般遗传学研究所。 N.I. Vavilova Ran，Moskovsky物理学和技术研究所，莫斯科，俄罗斯Levitsky Viktor Georgiegich，细胞学和遗传学研究所，因此RAN，Novosibirsk，俄罗斯Merkulovova 1.3。 Fundamental and applied 3D genomics Grafodatsky Alexander Sergeevich , Institute of molecular and cellular biology SO RAN, Novosibirsk, Russia Veniamin Semenovich Fishman Fishman , FIC Institute of Cytology and Genitians SO RAN, Novosibirsk, Russia Battulin Nariman Rashitovich, FITS奔跑的细胞学和遗传学研究所，俄罗斯诺瓦西比尔斯克，第1.4节。 富含转录组学（基因的差异表达）Oshchepkov Dmitry Yurievich，Phic细胞学和遗传学研究所，SO RAN，俄罗斯Novosibirsk，Ponomarenko Mikhail Pavlovich，FIS，FIS，FIS，Notosibirs，Notosibirsk，Russia，Russia，RussiaN.I.Vavilova Ran，莫斯科；喀山联邦大学Makeev All Yuryevich，一般遗传学研究所。N.I. Vavilova Ran，Moskovsky物理学和技术研究所，莫斯科，俄罗斯Levitsky Viktor Georgiegich，细胞学和遗传学研究所，因此RAN，Novosibirsk，俄罗斯Merkulovova 1.3。 Fundamental and applied 3D genomics Grafodatsky Alexander Sergeevich , Institute of molecular and cellular biology SO RAN, Novosibirsk, Russia Veniamin Semenovich Fishman Fishman , FIC Institute of Cytology and Genitians SO RAN, Novosibirsk, Russia Battulin Nariman Rashitovich, FITS奔跑的细胞学和遗传学研究所，俄罗斯诺瓦西比尔斯克，第1.4节。 富含转录组学（基因的差异表达）Oshchepkov Dmitry Yurievich，Phic细胞学和遗传学研究所，SO RAN，俄罗斯Novosibirsk，Ponomarenko Mikhail Pavlovich，FIS，FIS，FIS，Notosibirs，Notosibirsk，Russia，Russia，RussiaN.I.Vavilova Ran，Moskovsky物理学和技术研究所，莫斯科，俄罗斯Levitsky Viktor Georgiegich，细胞学和遗传学研究所，因此RAN，Novosibirsk，俄罗斯Merkulovova 1.3。Fundamental and applied 3D genomics Grafodatsky Alexander Sergeevich , Institute of molecular and cellular biology SO RAN, Novosibirsk, Russia Veniamin Semenovich Fishman Fishman , FIC Institute of Cytology and Genitians SO RAN, Novosibirsk, Russia Battulin Nariman Rashitovich, FITS奔跑的细胞学和遗传学研究所，俄罗斯诺瓦西比尔斯克，第1.4节。富含转录组学（基因的差异表达）Oshchepkov Dmitry Yurievich，Phic细胞学和遗传学研究所，SO RAN，俄罗斯Novosibirsk，Ponomarenko Mikhail Pavlovich，FIS，FIS，FIS，Notosibirs，Notosibirsk，Russia，Russia，Russia
8月5日（星期一） / 8月5日（星期一）-BGRS \ SB < / div>
会议记录持续时间主持人：Nikolai Aleksandrovich Kolchanov，SB RAS的细胞学和遗传学研究所，俄罗斯Novosibirsk，俄罗斯主持人：Nikolay Kolchanov，FRC，FRC的细胞学和基因学研究所，俄罗斯分校，俄罗斯，俄罗斯，Novia，Noviricia，Novirator，Noviria， Vladimirovich Kochetov，FIC细胞学与遗传学研究所SB RAS，Novosibirsk，俄罗斯主持人：Aleksey Kochetov：FRC细胞学与遗传学研究所，西伯利亚分支机构，西伯利亚分支，西伯利亚分支，西伯利亚分公司，西伯利亚分公司，西伯利亚分公司，西伯利亚分公司，西伯利亚分支机构，俄罗斯分支机构，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯。 Orlova，SB RAS细胞学与遗传学研究所，Novosibirsk，俄罗斯主持人：Galina Orlova，FRC细胞学与遗传学研究所，西伯利亚分公司，俄罗斯科学学院，俄罗斯，俄罗斯，
社论：基因组调节的生物信息学，第II卷
本研究主题II卷，“基因组调节的生物信息学”，继续在基因表达的生物信息学领域的研究中最初在遗传学期刊（https：//www.frontiersin.org/ronsearch-/sresearch-topics/8383383383/8383/bio--formenssics-----endocution-insunssics-insumpution-insumpution in Comletiers in Genetics Journal in Genetics in in Genetics in of Gene Formenfortics''继续提出。 （https://www.frontiersin.org/research-topics/14266/bioinformatics-genome-regulation-regulation-volume-i）。此处介绍的材料在俄罗斯Novosibirsk（https://bgrssb.icgbio.ru/2020/2020/）的BGRS \ SB（基因组调节和结构系统生物学生物学生物学）会议系列中进行了讨论。BGRS是自1998年以来每隔一年在俄罗斯诺瓦西比尔斯克举行的计算遗传学领域的中心事件（Orlov等，2015）。后来通过有关基因表达分析调节的计算方法的新研究完成了出版物。从2018年开始，遗传学和基因组学材料的材料在遗传学领域呈现，由于2021年的流行需求，它被扩展为II卷。BGRS会议系列已在早期的特别期刊问题上介绍（Orlov等，2016; Tatarinova等，2019; Orlov等，2015; Orlov等，2019a; Orlov等，2019b; 2019b; 2019b; Baranova et al。，2019年）和最近（Tatarinova et al。 Al。，2020年； Orlov等，2021a；我们必须承认MDPI IJMS（https://wwwww.mdpi.com/journal/ijms/ special_issues/special_issues/beioinformatics_genomics）的“基因法规和结构的生物信息学”，以及PEERJ Journal bgrs-2020 Collection（Htttps：/htttps：/htttps：/htttpps：/httttps：/ peerj.com/collections/72-bgrs-SB-2020）。本研究主题介绍了有关医学基因组应用，新的生物信息学工具和实验室动物模型的应用以及植物科学的一篇论文。生物医学论文从应用到癌症研究开始。小杨等。 讨论了人类疾病在多个生物学水平上之间的相互作用。 作者展示了精神分裂症在心肌梗塞病理发展中的作用，这表明其在促进不同水平的心肌梗塞的发展和进展中的作用，包括基因，小分子和复杂的分子。 途径分析揭示了连接这些疾病的九个基因。小杨等。讨论了人类疾病在多个生物学水平上之间的相互作用。作者展示了精神分裂症在心肌梗塞病理发展中的作用，这表明其在促进不同水平的心肌梗塞的发展和进展中的作用，包括基因，小分子和复杂的分子。途径分析揭示了连接这些疾病的九个基因。
基于横向BJT的高阶曲率补偿电压基准
固定的1.2V输出，接近于硅的带隙电压。电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，可以根据应用需要进行调整，这也是电流型BGR仍在许多模拟集成电路中广泛使用的原因。由于电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，因此称之为电压基准（VR）更为合适。目前，VR的研究方向都与其主要性能参数有关。一是功耗，降低功耗的常用方法是采用亚阈值金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），因为亚阈值MOSFET的电流比普通MOSFET低得多，适合于低功耗设计[1-8]。另一个是输出电压的温度系数（TC），它是反映VR性能的重要参数。迄今为止，世界各地的研究人员已经提出了许多方法来提高VR的TC，以适应不同的应用。传统BGR输出电压中含有高阶非线性项，导致输出电压的温度曲线具有一定的曲率，从而决定了输出电压的温度系数。有的文献利用非线性电流来补偿输出电压中的高阶非线性项[9~14]。也有研究者将温度范围分成几部分，对每部分温度分别进行补偿，这种方法称为分段补偿[9，15]。一般来说，这种方法的补偿效果较好，但是电路结构稍复杂。针对正向偏置PN结电压的非线性特性，补偿方法有两种，一种方法是利用流过正向偏置PN结的不同TC电流来补偿曲率[10，16~20]，另一种方法是通过不同的器件来补偿曲率[21，22]。以上两种方法都是利用PN结的温度特性来补偿温度曲率，比较适用于基于传统BGR电路结构的VR。亚阈值BGR在低功耗方面具有优势，但是传统BGR具有更好的工艺兼容性和更好的TC，这也是本文基于传统电流型BGR设计VR的原因。段全振等人在2015年提出了一种利用NPN BJT进行补偿的方法[21]，该补偿曲率的方法简单实用，但需要NPN BJT工艺的支持，有些特定工艺无法提供NPN BJT，根据特定工艺的特点，我们利用工艺设计了一种高精度曲率补偿VR