XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemBICMOS
零偏置功率检测器的设计对5G设备中的功耗优化
本文介绍了基于MOSFET晶体管的零偏置功率探测器的设计和表征，该晶体管从ST-Microelectronics中集成了SIGE 55 nm BICMOS技术。电路的工作频带位于（38-55）GHz范围内，致力于优化5G设备中的功耗。使用该技术中可用的三个NMO类别（GP，LP，HPA），目的是根据不同的NMOS类别设计多个检测器，以比较其性能。此外，设计了基于6 LP晶体管的堆栈的检测器，以增加动态范围。与最近的工作相比，HPA检测器的性能非常好，噪声等效功率值（NEP）3.8 PW/√和67 dB的大动态范围。这些检测器的提取的电压灵敏度值在（850-1400）v/w之间显示了与仿真结果的良好协议。
工学学士（微电子工程）（12240192）
集成电路 (IC) 或“芯片”是当今电子革命的发动机。电子学的影响日益扩大，主要由大规模 IC（如处理器和内存芯片）推动。只有通过研究针对 CMOS、双极和 BiCMOS 工艺制造集成电路设计的经典模拟电子学，才能深入了解这些芯片中使用的电子电路技术。此外，模拟电路技术在“现实世界”和数字系统之间的接口中起着至关重要的作用。例如：电压基准、放大器、滤波器、电平转换器、缓冲器。这方面的重要主题是专门用于电子电路的反馈和稳定性理论。本课程包括：IC 制造技术、IC 晶体管模型、晶体管电流源和放大器、输出级、运算放大器、反馈放大器的频率响应和稳定性、非线性和计算电路。
用于晶圆上测量应用的毫米波直通负载元件
摘要 — 本文介绍了一种创新的直通负载元件，旨在用于毫米波频率下的特性分析应用。根据直流控制电压，所提出的结构可以用作直通连接或 50 Ω 负载。除其他潜在应用外，该系统还可用于实现转换开关或衰减器。演示器采用 STM 55 纳米 BiCMOS 技术制造和测量。在 55 GHz 至 170 GHz 的宽带宽上，实验测量表明，当用作直通连接时，插入损耗最大为 1.6 dB，当用作 50 Ω 负载时，插入损耗最小为 14 dB。在这两种情况下，回波损耗都优于 10 dB。90 GHz 的插入损耗对于直通连接为 0.6 dB，对于 50 Ω 负载连接为 20 dB。
一种用于消除实际 CDM 故障的带插座和不带插座 CDM 测试方法 技术质量论文
在 30 种经过分类的双极、BiCMOS 和 CMOS 插座式 CDM 产品中，有 27 种产品的耐压为 ≥ 500V，且未出现实际 CDM 故障。在耐压 <500V 的三种产品中，有两种在经过分析和重新设计之前，因制造原因而多次出现 CDM 故障。对这两种产品的分析表明，插座式和非插座式 CDM 测试均在实际 CDM 故障中发现的相同故障位置复制了初始电介质击穿故障机制。然而，插座式 CDM 测试始终比非插座式 CDM 测试造成更严重的损坏。在一种产品上，这导致了与插座式 CDM 和实际故障完全不同的故障模式。基于这项工作，提出了一种结合插座式和非插座式 CDM 测试的方法来分类/评估新产品并推动 CDM 稳健性的改进。
KP25x 集成压力传感器 -英飞凌科技
描述 KP25x 集成压力传感器系列是基于电容原理的微型数字气压传感器 IC。它采用表面微加工，具有单片集成全数字信号调节电路，采用最先进的 0.5 微米 BiCMOS 技术实现。KP25x 提供 SPI 接口，以最少的物料清单实现直接微控制器连接。KP25x 经过单独校准和温度补偿，通过提供压力和温度的直接读数降低了软件复杂性。KP25x 提供小于 10 毫秒的快速启动时间、高达 1 kPa 的高精度和不同的灵敏度。结合 -40 至 125 C° 的宽工作温度范围、高 ESD 稳健性和出色的 EMC 性能，KP25x 非常适合汽车和工业应用中普遍存在的恶劣环境条件。KP25x 应用电路
可变和可编程增益放大器及其应用综述
在许多应用中，包括 RF 设计的 VGA/PGA，具有 dB 线性（dB 尺度上的线性关系）增益特性的放大器是首选，因为它在 AGC 环路中使用时可以实现恒定的稳定时间 [13–15]。这种关系在 BJT 技术中很容易实现，其中增益与控制信号呈指数关系 [16–18]。对于 MOS 器件，尽管指数关系存在于亚阈值区域并可提供较宽的增益控制范围 [19]，但饱和区有利于降低噪声并增加带宽 [20]，并且由于后者的平方关系，需要指数 VI 转换电路来实现指数增益控制关系 [21]。实现指数转换器的一些方法采用 BiCMOS 技术[22–24]、寄生双极晶体管[20]或使用提供伪指数函数近似的 CMOS 电路[25,26]。
已确认的全体会议和特邀发言人
NTT 300 GHz 频段 InP HBT 功率放大器和 InP-CMOS 混合相控阵发射器 Alyosha C. Molnar 康奈尔大学 超越 CMOS 的 N 路径混频器 Pascal Chevalier ST Microelectronics 用于有线、无线和卫星通信应用的 55 纳米柔性 SiGe BiCMOS 技术 Takuya Maeda 东京大学 ScAlN/GaN 电子设备应用特性 Trevor Thornton 亚利桑那州立大学 高功率器件的金刚石-BN 异质结：终极 HEMT ? Jim Sowers Maxar Space Infrastructure 商业通信卫星有效载荷中的 III-V 族半导体 Kenle Chen 中佛罗里达大学 用于下一代无线通信的负载调制平衡放大器 Bernhard Grote NXP 基站 GaN HEMT 和 GaN PA 技术进展 Lan Wei 滑铁卢大学 基于物理的单片 GaN 集成模型系列 Larry Dunleavy Modelithics Inc.，南佛罗里达大学
KP276A1201 - 英飞凌科技
KP276A1201 是一款基于电容原理的微型数字绝对压力传感器 IC。它采用表面微加工技术，具有采用 BiCMOS 技术实现的单片集成信号调节电路。传感器将压力转换为 12 位数字值，并通过 SENT 协议（SAE J2716 修订于 2016 年 4 月）发送信息。此外，还提供了用于外部负温度系数 (NTC) 温度传感器的接口。NTC 提供的温度信息也被数字化为 12 位值，并通过 SENT 协议传输。一个特殊的安全功能是集成诊断模式，允许测试传感器单元以及信号路径。此诊断通过为设备供电触发。该芯片采用“绿色”介质坚固的 SMD 外壳封装。该传感器主要用于测量歧管气压，但也可用于其他应用领域。该设备的高精度、高灵敏度和安全特性使其非常适合先进的汽车应用以及工业和消费应用。
2023 年年度报告
2023 年，我们通过增加新的高速设备（例如重驱动器、重定时器、多路复用器、解复用器和 USB HUB）来增强我们的高速产品组合，以支持 HDMI 2.1、DP 2.1 (20Gbps) 和 USB 4.0 (40Gbps)。我们专注于开发领先的高速技术和产品。我们成功大规模部署了第一代 USB 4.0 (40Gbps) 重定时器。我们还开发了第二代 USB 4.0 重定时器，以进一步提高性能并降低成本。因此，我们的 USB 4.0 重定时器一直享有较大的市场份额，并已成功设计到支持 AI 的笔记本电脑系统中。我们为工作站、服务器和高速电缆开发并推出了基于 SiGe BiCMOS 工艺的 PCIe Gen 4 (16Gbps) 和 Gen 5 (32Gbps) 以及 USB 4.2 (80Gbps) 高速重驱动器。我们还成功开发了 PCIe Gen 5 重定时器技术和产品，并将其设计到客户的系统中。
KP276A1201 - 英飞凌科技
KP276A1201 是一款基于电容原理的微型数字绝对压力传感器 IC。它采用表面微加工技术，具有采用 BiCMOS 技术实现的单片集成信号调节电路。传感器将压力转换为 12 位数字值，并通过 SENT 协议（SAE J2716 修订于 2016 年 4 月）发送信息。此外，还提供了用于外部负温度系数 (NTC) 温度传感器的接口。NTC 提供的温度信息也被数字化为 12 位值，并通过 SENT 协议传输。一个特殊的安全功能是集成诊断模式，允许测试传感器单元以及信号路径。此诊断通过为设备供电触发。该芯片采用“绿色”介质坚固的 SMD 外壳封装。该传感器主要用于测量歧管气压，但也可用于其他应用领域。该设备的高精度、高灵敏度和安全特性使其非常适合先进的汽车应用以及工业和消费应用。