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皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
Tower Semiconductor 与 Anello Photonics 宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发新型硅光波导工艺技术
关于 Tower Semiconductor Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) 是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等不断增长的市场提供集成电路 (IC) 技术和制造平台。Tower Semiconductor 致力于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响，包括广泛的可定制工艺平台，如 SiGe、BiCMOS、混合信号 CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、集成电源管理（BCD 和 700V）和 MEMS。Tower Semiconductor 还为 IDM 和无晶圆厂公司提供世界一流的设计支持，以实现快速准确的设计周期以及包括开发、转移和优化在内的工艺转移服务。为了向客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，Tower Semiconductor 在以色列设有两家制造工厂（150 毫米和 200 毫米），在意大利设有一家制造工厂（300 毫米），
低温仪器的功率控制电子
为了实现高效率高密度的低温仪器系统，电源处理电子设备应与传感器和信号处理电子设备一起放置在冷环境中。典型的仪表系统需要通常从处理线频率交流功率获得的低压直流。开关模式电源转换拓扑，例如前进，飞回，推扣和半桥，用于使用脉冲宽度调制（PWM）或谐振控制的高效电源处理。本文介绍了使用市售CMOS和BICMOS集成电路实施的几个PWM和多共振的功率控制电路，以及它们在液氮温度（77°K）下的性能与室温（300％）的性能相比。在低温温度下综合电路的运行在速度提高，闩锁易感性降低，泄漏电流降低以及降低热噪声方面的性能提高。但是，开关噪声以77％的速度增加，而300％则增加。实验室测试的功率控制电路在77°K下成功重新启动。
皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
基于硅的异质结构设备和电路
课程说明微电动设备和电路设计师长期以来一直在寻求结合带隙工程提供的卓越运输特性和设计灵活性（如在GAAS和INP等复合半导体中常规实践），以及高产量和较低的常规硅（SI）制造成本。随着介绍外延硅果（Sige）合金，这一梦想终于成为现实。SIGE异质结双极晶体管（SIGE HBT）是在SI材料系统中实现的第一个实用带段的实用设备。The first functional SiGe HBT was demonstrated in 1987, and the technology has matured rapidly, at present achieving a unity-gain cutoff frequency above 700 GHz, circuit delays below 2 picoseconds, and integration levels sufficient to realize a host of record-setting digital, analog, RF, mm-wave, and sub-mm-wave circuits.自然兼容，将SIGE HBT与最佳的SI CMO组成以形成SIGE HBT BICMOS技术，这显然适合于解决新兴的性能受限，高度集成的系统，目前正在商业和国防部门在全球范围内追求。
Amicsa2021-幻灯片-ADC Architectures.pdf
[5] P. Roche，J。L。Autran，G。Gasiot和D. Munteanu。技术降低了散装的辐射效果的恶化：SOI进行救援。技术文摘 - 国际电子设备会议，IEDM，2013年。[6] Oluwole A.等。收费收集和收费共享在130 nm CMOS技术中。在IEEE核科学交易中，第53卷，第3253-3258页，2006年12月。[7] David G. Mavis和Paul H. Eaton。SEU并在深subsicron技术中进行建模和缓解。年度会议记录 - 可靠性物理学（研讨会），第293-305页，2007年。[8] Balaji Narasimham等。。在130 nm和90 nm CMOS技术中的数字单事件瞬态脉冲宽度的表征。在IEEE交易中，核科学交易，第54卷，第2506-2511页，2007年12月。[9] R. Sorge等。。JICG CMOS晶体管减少130 nm散装SIGE BICMOS技术中总电离剂量和单个事件效应。物理学研究中的核仪器和方法，2021年1月。
基于INP的量子点材料的高光学增益是在电信波长下发射的硅上生长的
相干技术目前正在深入讨论短距离内的光学互连。本文报告了先前工作的进度，该工作分析了从C-到O带光学方面的好处，以实现数字信号处理。在这里，我们研究了将连贯的方法适应已建立的数据中心互连技术（PSM4）的可行性。这种类似PSM4的实现带来了对激光漂移的弹性大大提高的好处，从而减少或消除了对温度稳定激光器的需求，这通常假定是相干收发器的需求。分析取决于SIGE光子BICMOS技术中相干接收器的先前实验实现的部分模拟参数。此外，我们还利用了有关在20 nm波长窗口上优化O-带2D光栅耦合器在效率和低极化依赖性方面的最新结果。我们将这些耦合器确定为启用类似于PSM4的实现的构建块。©2023作者。代表日本应用物理学会出版，由IOP Publishing Ltd
数字集成电路分析和设计 - 书评
第1章“数字集成电路简介”，第1-43页，如前所述，是一个简短的概述；重点放在逻辑门上，其中包括transistor IC制造步骤的良好摘要（我希望为此看到用于CMOS和NPN的EBC标签的基板触点）。第2章“半导体材料”，第45-60页，第3章：“二极管”，第61 - 87页，第4章“双极连接晶体管”，第89-114页，通向第5章，进入第5章，“晶体管逻辑”，第115-206页，第6章，第6章，“ logitte”，“ emitter-cocite-co.coupled”。这些材料涵盖了大多数基本电子书中的材料，但是非常好的实验室练习和（家庭作业）问题，尤其是对于TTL材料。该书然后在第7章“现场效应晶体管”中转向FET设备的特征，第155-286页，然后在接下来的五章中使用（第8章，“ NMOS逻辑”，第8章，287–319;第9章，“ CMOS Logic”，pp。321–389;第10章，“低功率CMOS逻辑”，第1 pp。391–421;第11章，“ BICMOS Logic，：pp。423–447;第12章，“ GAAS Direct Concpled Fet Logic”，pp。449–480）。
航空电子辐射硬度保证（RHA）指南
3D Three-dimensional ADC Analog-digital Converters Ag Silver APEX Advanced Photovoltaic Experiment APS Active Pixel Sensor ASET Analog Single-event Transient ASIC Application-specific Integrated Circuit BCH Bose–Chaudhuri–Hocquenghem BiCMOS Bipolar CMOS BJT Bipolar Junction Transistor BNL Brookhaven National Laboratory BoK Book of Knowledge Br Bromine CAD Computer-aided Design CCA Circuit Card Assembly CCD Charge-coupled Device CGS centimeter–gram–second CIS CMOS Image Sensor CL Confidence Level CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor CONOPS Concept of Operations COTS Commercial off the Shelf CRRES Combined Release and Radiation Effects Satellite CRUX Cosmic Ray Upset Experiment CTE Charge Transfer Efficiency DC Direct Current DDD Displacement Damage Dose DRAM Dynamic随机访问记忆DRM设计参考任务DSEE破坏性的单事件效应DSET DESED数字单事件瞬态DSNE设计规范，用于测试的EDAC错误检测和校正EEEE EEEE电气，电子，机电和电位电流ELDRE，并增强了低剂量评分的敏感性
塔半导体释放300mm 65nm 3.3V基于BCD电源管理平台
塔半导体有限公司（NASDAQ/TASE：TSEM）是高价值模拟半导体解决方案的领先铸造厂，为消费者，工业，自动化，移动，移动，基础架构，医疗，医疗和空间和诸如消费者，工业，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，开发和Proce SS平台。Tower Semiconductor focuses on creating a positive and sustainable impact on the world through long-term partnerships and its advanced and innovative analog technology offering, comprised of a broad range of customizable process platforms such as SiGe, BiCMOS, mixed- signal/CMOS, RF CMOS, CMOS image sensor, non-imaging sensors, displays, integrated power management (BCD and 700V), photonics, and mems。Tower半导体还为IDM和Fabless公司提供了快速准确的设计周期以及包括开发，转移和优化在内的流程转移服务，包括开发，转移和优化，以提供世界一流的设计支持。为了为客户提供多枪的采购和延长的容量，塔半导体在以色列拥有两家设施（150mm和200mm），两家在美国（200mm），在日本（200mm）（200mm和300mm）拥有，它通过其在TPSCO中的51％持有量拥有51％的股份，可及时与Agrate一起使用，以及一定型号，以及一定的ITMM，以及一家人，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家人，以及一家人，以及一家300毫米的股票墨西哥工厂。有关更多信息，请访问：www.towersemi.com。