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构建公共领域创新信息标准...
Svensk Byggtjänst 调查显示，在建筑过程中使用高效的数字通信可以降低 15-25% 的成本。这一潜力的一个重要部分是使用建筑信息标准。BISI 项目研究了建筑信息标准的使用及其对创新的影响。标准主要被理解为信息分类和建筑流程规则。创新有助于增加价值，而不仅仅是降低成本。BISI 文献研究揭示了建筑相关标准化的多重特性。我们的概念是建筑信息标准，因为相关标准不仅仅是对信息进行排序（分类），它们还涵盖了其他方面的标准，例如流程规则。文献综述还发现标准和创新之间存在许多有利的联系。
使用培养物学比较阴道和子宫内膜微生物群：概念证明
1微生物学和感染控制部，Vrije Universiteit Brussel（VUB），大学医院布鲁塞尔大学（UZ Brussels）（UZ Brussels），1090年，布鲁塞尔，比利时2号布鲁塞尔2号制药科学系，实体或体外毒理学，体外毒理学（BISI），布鲁塞尔大学免费大学（VUB），Laarbeeklaan 103，1090 Brussels，比利时4号布鲁塞尔4号，安特卫普大学生物科学工程系（UA），2020年安特斯特普，比利时5布鲁斯尔5布鲁塞尔IVF，大学医院Brussels（UZ Brussels） （vub），laarbeeklaan 103，1090布鲁塞尔，比利时 *通信：thomas.demuyser@uzbrussel.be
景观水平的人类干扰导致热带森林中哺乳动物种群的丧失和收缩
Ilaria Greco ID 1 *，Lyelic Beaudrot 2.3，Chris Sutherland 4，Simone Tenan 5，Syone 2.3，Daniel Gorzynski 6，Ahumada 13，Rajan Amin 14，Megan Baker-Watton 1 Cremonesi 1 Cremonesi 1 Cremonesi 1 Cremonesi 1 Cremonesi 23：Adeline Fayolle 22:28，Adeline Fayolle 22:28，Davy Fonty Harry 31 22 Alys Granados 32.33，Patrick A. Jansen 34.35，Jayasilan Mohd-Azlan 11，Caspian Johnson Marcelo Magio 21：41,42，Emanuel H. Martin 43，Adriano Martinole版本28，Patrics C. Wright C. Wright C. Wright 25.50，C.
GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中穿线位错引起的垂直场不均匀性
数据可用性声明：支持本研究结果的数据可根据合理要求从通讯作者处获取。1 H. Amano、Y. Baines、E. Beam 等人，2018 年 GaN 电力电子路线图，Journal of Physics D: Applied Physics。51，(2018)。2 K. Husna Hamza 和 D. Nirmal，GaN HEMT 宽带功率放大器综述，AEU - 国际电子和通信杂志。116，153040 (2020)。3 G. Meneghesso、M. Meneghini、I. Rossetto、D. Bisi、S. Stoffels、M. Van Hove、S. Decoutere 和 E. Zanoni，GaN 基功率 HEMT 的可靠性和寄生问题：综述，半导体科学与技术。31，(2016)。 4 JA del Alamo 和 J. Joh，GaN HEMT 可靠性，微电子可靠性。49，1200-1206 页 (2009)。5 M. Meneghini、A. Tajalli、P. Moens、A. Banerjee、E. Zanoni 和 G. Meneghesso，基于 GaN 的功率 HEMT 中的捕获现象和退化机制，半导体加工材料科学。78，118-126 页 (2018)。6 B. Kim、D. Moon、K. Joo、S. Oh、YK Lee、Y. Park、Y. Nanishi 和 E. Yoon，通过导电原子力显微镜研究 n-GaN 中的漏电流路径，应用物理快报。104，(2014)。 7 M. Knetzger、E. Meissner、J. Derluyn、M. Germain 和 J. Friedrich，《用于电力电子的碳掺杂变化与硅基氮化镓垂直击穿之间的关系》，《微电子可靠性》。66，16-21 (2016)。 8 A. Lesnik、MP Hoffmann、A. Fariza、J. Bläsing、H. Witte、P. Veit、F. Hörich、C. Berger、J. Hennig、A. Dadgar 和 A. Strittmatter，《碳掺杂氮化镓的性质，固体物理状态 (b)》。254，(2017)。 9 B. Heying、EJ Tarsa、CR Elsass、P. Fini、SP DenBaars 和 JS Speck，《位错介导的氮化镓表面形貌》，《应用物理学杂志》。 85,6470-6476 (1999)。