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bjstr.ms.id.009196.pdf
在太阳宽宽（良性深色皮肤斑点）和2型糖尿病的发生率之间，存在统计证明的正相关 - 糖尿病患者具有更多的太阳宽剂。都取决于长时间暴露于太阳辐射。仍然存在逻辑上的矛盾 - 而暴露于旷日持久的太阳辐射的太阳能宽元的频率会增加，其中糖尿病不太常见，因此，这两种疾病是负面的，不是阳性的，不积极的，相关的。如果人们认为两种疾病都取决于迄今与太阳辐射相关的公共风险因素，则可以解决争议，而不是电磁辐射，而不是可见的（光）和紫外线辐射。与欧洲和地中海死亡率统计的例子相结合，与卫星观测的数据相结合，发现所寻求的常见风险因素可能是高能太阳能α辐射到达地球轨道。通过某种机制，具有高能量进入地球轨道的带正电颗粒的流流增加了地球表面的死亡率。死亡率的增加在北半球的最大风险区域，平行于赤道，并由30°和50°北纬50°的相似之处界定。为内分泌，营养和代谢疾病（尤其是糖尿病）的欧盟死亡率提供了例子，证实了所描述的现象。已经提出了一种基于观察证据的假设机制，根据该机制，这种危险现象是由于高能量的太阳能α颗粒所致，足以克服大气的抵抗力并在有限的最大死亡影响区域中到达地球表面。
bjstr.ms.id.008015.pdf
在本文中，基于高浓度下硅硅的分析建模，可用于硅酸盐在高浓度上的分析建模，适用于Boron扩散和二氧化硅的薄膜上的薄膜，这是基于大量微加工（BMM）技术的生物医学应用的设计和制造的先进结果，该硅电容传感器的生物医学传感器的设计和制造。The boron diffusion in silicon for the fabrication of the silicon capacitive sensors for biomedical applications and other Microelectromechanical Systems (MEMS) is a critical process, because the boron diffusion profile depends on the diffusion oxidizing (BBr 3 , B 2 O 3 )/non-oxidizing (BN – Boron Nitride) sources, and furthermore, the subsequent etching速率（因此蚀刻时间）取决于硅体积中硼浓度C的深度分布x，因此对此曲线C（x）的精确模拟允许进行膜设计和制造的准确蚀刻过程。为此，为硼扩散和蚀刻过程提供了分析显式关系，适用于上述情况（BBR 3，B 2 O 3或使用），也适用于非线性扩散方程的一般溶液的一般形式，其溶液的一般形式具有与浓度C的扩散系数D的扩散系数D的扩散系数D的脉冲，以D〜C m（M M）的浓度（m - a - a - a sil difff contection dife contection） c = c（x），也作为反向关系x = x（c），以便于C.