摘要 由水稻白叶枯病 (BLB) 引起的水稻细菌性叶枯病 (Xoo) 是水稻生产的一个主要制约因素。一些野生型水稻品种对 BLB 的天然抗性是由于 SWEET 基因启动子区中的效应结合元件 (EBE) 发生突变。SWEET14 是大多数 Xoo 病原体 TALE 最常针对的基因之一。因此,本研究旨在通过 CRISPR/Cas9 介导的基因组编辑技术在籼稻品种 CO51 中的 OsSWEET14 基因的 EBE 中创建新的突变,以赋予其对 BLB 的抗性。使用未成熟胚进行农杆菌介导的转化,然后进行再生,从六个独立转化事件中获得了 11 株转基因植物,其中九株植物(属于五个事件)的靶序列发生突变。对四种突变植物(属于三个事件)进行的生物测定研究结果显示,两种植物(属于两个事件)对 BLB 具有抗性/中度抗性。
摘要 水稻细菌性叶枯病 (BLB) 被认为是一种具有经济价值的疾病,因为该疾病会导致所有水稻种植区产量严重下降。病原菌水稻白斑病 (Xoo) 产生的转录激活因子样效应物 (TALE) 分子与 SWEET 基因启动子的效应物结合元件 (EBE) 结合并激活 SWEET 基因的转录,使植物易患该疾病。某些水稻基因型对 Xoo 的先天抗性是由于 SWEET 基因上游调控区中的 EBE 发生突变。CRISPR 介导的易感基因/启动子的靶向修饰是提高水稻 BLB 抗性的有效方法。本研究尝试通过在当地流行的水稻基因型 CO51 中引入 OsSWEET13 基因的 EBE 插入缺失来抑制 TALE 触发的信号传导,采用 CRISPR/Cas9 介导的基因组编辑工具,以赋予 BLB 抗性。使用未成熟胚进行农杆菌介导的转化,然后进行再生,产生了四个独立的转化事件。发现代表三个事件的五株植物在目标序列中有一个核苷酸缺失。EBE 中的这些缺失突变可能会干扰相应 TALE 的结合,从而赋予对某些 BLB 菌株的抗性。
摘要。Rifhani NF,Apriana A,Sisharmini A,Santoso TJ,Trijatmiko KR,Slamet-Loedin IH,Yunus A. 2023。 CRISPR/CAS9模块的构建和芳族水稻CV的遗传转化。 Mentik Wangi用于开发细菌叶枯萎病。 生物多样性24:3258-3268。 米CV。 Mentik Wangi是一种局部芳香大米,容易受到害虫和疾病的影响,例如由Xanthomonas oryzae(XOO)引起的细菌叶枯萎病(BLB)。 该细菌会对植物造成损害,从而降低作物产量。 这项研究旨在获得CRISPR/CAS9模块构建体,并将该构建体引入大米CV。 Mentik Wangi用于发展BLB抗性。 使用金门法进行了CRISPR/CAS9模块的制造,并将该构建体引入米CV。 使用农杆菌Tumefaciens进行。 构建具有OSSWEET11和OSSWEET14基因的多个GRNA的CRISPR/CAS9模块已成功,使用再生和转换效率值产生的T0生成的129个推定的转换线分别为9.4%和9.8%。 结果表明,HPT基因的36行是阳性的,表明CRISPR/CAS9-GRNAOSSWEET模块构建体成功地输入了水稻CV。 Mentik Wangi。 需要进一步的分析来鉴定Ti产生转基因植物的靶基因区域中的诱变以及BLB耐药性的表型测试。Rifhani NF,Apriana A,Sisharmini A,Santoso TJ,Trijatmiko KR,Slamet-Loedin IH,Yunus A.2023。CRISPR/CAS9模块的构建和芳族水稻CV的遗传转化。Mentik Wangi用于开发细菌叶枯萎病。生物多样性24:3258-3268。米CV。 Mentik Wangi是一种局部芳香大米,容易受到害虫和疾病的影响,例如由Xanthomonas oryzae(XOO)引起的细菌叶枯萎病(BLB)。 该细菌会对植物造成损害,从而降低作物产量。 这项研究旨在获得CRISPR/CAS9模块构建体,并将该构建体引入大米CV。 Mentik Wangi用于发展BLB抗性。 使用金门法进行了CRISPR/CAS9模块的制造,并将该构建体引入米CV。 使用农杆菌Tumefaciens进行。 构建具有OSSWEET11和OSSWEET14基因的多个GRNA的CRISPR/CAS9模块已成功,使用再生和转换效率值产生的T0生成的129个推定的转换线分别为9.4%和9.8%。 结果表明,HPT基因的36行是阳性的,表明CRISPR/CAS9-GRNAOSSWEET模块构建体成功地输入了水稻CV。 Mentik Wangi。 需要进一步的分析来鉴定Ti产生转基因植物的靶基因区域中的诱变以及BLB耐药性的表型测试。米CV。Mentik Wangi是一种局部芳香大米,容易受到害虫和疾病的影响,例如由Xanthomonas oryzae(XOO)引起的细菌叶枯萎病(BLB)。该细菌会对植物造成损害,从而降低作物产量。这项研究旨在获得CRISPR/CAS9模块构建体,并将该构建体引入大米CV。Mentik Wangi用于发展BLB抗性。使用金门法进行了CRISPR/CAS9模块的制造,并将该构建体引入米CV。使用农杆菌Tumefaciens进行。构建具有OSSWEET11和OSSWEET14基因的多个GRNA的CRISPR/CAS9模块已成功,使用再生和转换效率值产生的T0生成的129个推定的转换线分别为9.4%和9.8%。结果表明,HPT基因的36行是阳性的,表明CRISPR/CAS9-GRNAOSSWEET模块构建体成功地输入了水稻CV。Mentik Wangi。需要进一步的分析来鉴定Ti产生转基因植物的靶基因区域中的诱变以及BLB耐药性的表型测试。
TBR225是越南北部最受欢迎的商业大米品种之一。然而,这种品种非常容易受到细菌叶枯白(BLB)的影响,这是一种由黄元莫纳斯·奥利扎·PV引起的疾病。oryzae(XOO),可能导致重要的产量损失。OSSWEET14属于编码糖转运蛋白的甜基因家族。与其他进化枝III成员一起,其表现为一种易感性(S)基因,亚洲XOO转录激活剂样效应子(Tales)对于疾病绝对必要。在这项研究中,我们试图在TBR225精英品种中引入BLB耐药性。首先,在TBR225感染后显示了两种越南XOO菌株在上调OSSWEET14。如果这种诱导与疾病易感性相关,则使用CRISPR/CAS9编辑系统获得了OSS-WEET14启动子的九个TBR225突变型线,其中九个具有突变,PTHXO3或TALF TALES TARES DNA TALES DNA目标序列。T 0和T 1个个体的基因分型分析表明,突变是稳定遗传的。三个无基因T2编辑线的所检查的农艺性状与野生型TBR225的较大不同。重要的是,具有最大的纯合6 bp缺失的T 2系之一,显示出OSSWEET14表达的降低,以及对越南XOO菌株的敏感性降低,并且对另一种菌株的完全抗性。我们的发现表明,CRISPR/CAS9编辑赋予了对越南商业精英大米品种的BLB耐药性。
TBR225 是越南北部最受欢迎的商业水稻品种之一。然而,该品种极易感染细菌性叶枯病 (BLB),这是一种由水稻白叶枯病 (Xoo) 引起的疾病,会导致严重的产量损失。OsSWEET14 属于编码糖转运蛋白的 SWEET 基因家族。与其他 Clade III 成员一起,它表现为易感性 (S) 基因,该基因由亚洲 Xoo 转录激活因子样效应物 (TALE) 诱导对于疾病是绝对必要的。在本研究中,我们试图在 TBR225 优良品种中引入 BLB 抗性。首先,两种越南 Xoo 菌株被证明在 TBR225 感染后会上调 OsSWEET14。为了研究这种诱导是否与疾病易感性有关,利用 CRISPR/Cas9 编辑系统获得了九个 TBR225 突变体系,这些突变发生在 OsS-WEET14 启动子的 AvrXa7、PthXo3 或 TalF TALEs DNA 靶序列中。T 0 和 T 1 个体的基因分型分析表明,突变是稳定遗传的。三个无转基因 T2 编辑系的所检查农艺性状与野生型 TBR225 的性状均无显著差异。重要的是,其中一个 T 2 系含有最大的纯合 6 bp 缺失,显示 OsSWEET14 表达降低,对越南 Xoo 菌株的易感性显著降低,对另一个菌株完全抗性。我们的研究结果表明,CRISPR/Cas9 编辑赋予了越南商业精英水稻品种更高的 BLB 抗性。
一、检查 / 二、检查 19 抵达中心/军需官 21 集合区 T BLB NRW 8 BwDLZ - 物业管理 8 BwDLZ - 现场服务 8 BwDLZ - 变压器 16A BwDLZ - 技术。运营集团 8 国际。MilSport NwG 13 专业信息中心 3 遛马机 32 教学/训练组 1 运动治疗组 3 干草和稻草储存 31 供暖中心 16 洗车大厅 28 储藏大厅 6 训练大厅 30 奥林匹克训练中心 4 消防和灌溉用水开关设备17 体育促进组 4 特殊运动服装 5 联邦国防军体育学校 2 UstgPers StOÄ,信息点 21 警卫队 14 车间 5, 8 Bw 运动医学中心 25
a Institute of Machine Tools and Production Technology, Technische Universität Braunschweig, Brunswick, 38106, Germany b Battery LabFactory Braunschweig (BLB), Technische Universität Braunschweig, Brunswick, 38106, Germany c Chair of Electrical Energy Systems, University of Bayreuth, Bayreuth, 95447, Germany d Bavarian Center for Battery Technology, University of Bayreuth, Bayreuth, 95447, Germany e Chair Manufacturing and Remanufacturing Technology, University of Bayreuth, Bayreuth, 95447, Germany f Institute for Engineering Design, Technische Universität Braunschweig, Brunswick, 38106, Germany g Fraunhofer Institute for Ceramic Technologies and Systems IKTS, Freiberg, 09599,德国H Fraunhofer技术中心高性能材料THM THM,Freiberg,09599,德国I材料科学研究所,Tu Dresden,Dresden,Dresden,01069,德国J生态资源技术主席,Bayreuth,Bayreuth,Bayreuth,Bayreuth,Bayreuth,95447,德国,德国,
Marcel Meeus(Emiri),Keya Shatani(EIT InnoEnergy),Franco di Persio(Circe),Aitor Apraiz(Mondragon S.Coop),Akos dervalics(InnoEnergy) ,Maria Giovia(OSET),Daria Anacci(Geyser OY),Denilson Da Silva Perez(CEA),Dinesh Thirunavukkarasu(RWTH UACHEN),DIRK UWE SAUER(RWTH) XA小组,Franco(Eubat),Z Schwarz(SGL碳),Jana Husmann(Tu Braunschweig),Jani Kiuru(Minerals Group),Jan-Linus Popien(BLB),Kaan Cakti,Kaan Cakti Inda Ager-Wick Ellingsen(媒体运输研究所),Maria(UCL),Nga Thi Quynh Do(Tu Braunschweig),Roland Hischier(Empa),Rudy Pastuzak(Dassault Systemes),Tessa Quandt(varta) Zu(HZB),Moulay Tahar Soug Rati(Polog),萨尔瓦多(Polog),萨尔瓦多(Pologna),Marcelo MI),Evelina Castellana(Lom),Isaac Herraiz Cardona(Lom) ,David Mc Nulty(Ulimerick),Elza Bontempi(Instm),Matteo Mc Nulty(Scoma),Doli(Scoma)
安得拉邦贡土尔阿查里亚 NG 兰加农业大学 Maruteru 区域农业研究站 (RARS) 开发了一种超级水稻品种 Swarna。Swarna 是一种采用谱系育种法开发的籼稻品种。该品种源自 Vasista 和 Mahsuri 的杂交,全球种植面积近 500 万公顷(Merugumala 等人,2019 年)。该植物为半矮生,直立株型,穗型发达,株高 90-110 厘米,每平方米 250-260 个穗,叶子深绿色,成熟期为 145-150 天。该品种无芒,尖穗呈黄色,容重为 21.5 克。籽粒长 5 毫米,宽 2.46 毫米。 Swarna 的白色谷粒的脱壳、碾磨和整精米回收率分别为 78%、68% 和 65%。该品种的碱扩散值为 4,直链淀粉含量为 24.5%。该品种的一个重要表型标记是壳,颜色为金黄色。谷粒偶尔出现白垩质。该品种的平均产量为 5.5 吨/公顷。该品种抗细菌性叶枯病 (BLB)。然而,它具有中等抗倒伏性、中等早期幼苗活力、中等根系结构和高氮磷利用效率。该品种的谷粒短而粗,直链淀粉含量中等。由于该品种在低投入管理下具有高产量,农民广泛采用该品种。Swarna 水稻品种通常在雨养和灌溉条件下种植。该品种在不同环境下表现出更高的缓冲能力(Mohapatra 等人,2021 年)。
一、SRAM 静态随机存取存储器 (SRAM) 是一种静态存储单元,它使用触发器来存储每位数据。它广泛应用于各种电子系统。SRAM 存储器中的数据不需要定期刷新。与其他存储单元相比,它速度更快,功耗更低。正因为如此,SRAM 是 VLSI 设计师中最受欢迎的存储单元。 SRAM 操作 传统的 6T SRAM 单元由两个背靠背连接的反相器组成。第一个反相器的输出连接到第二个反相器的输入,反之亦然。基本上,SRAM 执行三种操作,即保持、读取和写入操作。 保持操作:在待机操作或保持操作中,字线 (WL) 处于关闭状态。连接到字线和 B 和 BLB 线的存取晶体管也处于关闭状态。为了使 SRAM 以读取或写入模式运行,字线应始终处于高电平。 写入操作:存储数据的过程称为写入操作。它用于上传 SRAM 单元中的内容。写入操作从分配要写入 Bit 的值及其在 Bit' 的互补值开始。为了写入“1”,Bit 预充电高电压,并将互补值“0”分配给 Bit'。当通过将 WL 置为“高”将 M5 和 M6 设置为 ON 状态时,在 Bit 处分配的值将作为数据存储在锁存器中。M5 和 M6 MOS 晶体管设计得比单元 Ml、M2、M3 和 M4 中相对较弱的晶体管强得多,因此它们能够覆盖交叉耦合反相器的先前状态。读取操作:恢复数据的过程称为读取操作。它用于获取内容。读取操作首先将字线“WL”置为高电平,这样在将位线和位线预充电至逻辑 1 后,访问晶体管 M5 和 M6 均将启用。第二步是将存储在数据和数据线中的值传输到位线,方法是将位保留为其预充电值,并通过 M4 和 M6 将位线放电至逻辑 0。