充电电压:DC 12.6V〜13.6V余额版本产品尺寸:41*61*4毫米增强版本产品尺寸:41*55*4mm连续充电电流:最多20A说明:连续放电当前:40A最大电流:最大耗散环境(如果热量耗散环境不好 18650, 26650, polymer lithium battery), can be drilled below 170W Note: 1: Successfully start the drill requires 3 10C-20C power batteries, or 6 5C-10C power batteries (recommended power battery models: sony vtc4, vtc4A, vtc5A, vtc6) OV and 12.6V cable, use Copper wire of 3 square millimeters or more (nickel sheets cannot be used) 2:根据图严格连接0V,4.2V,8.4V,12.6V。在焊接电线时,请勿触摸板上的任何组件。不要故意短路。3:在第一次焊接电池或进行充电时,只要单个电池超过4.2V,“ 430”电阻将加热并放电(放电到约4.19V以停止加热)。如果“ 430”电阻非常热,请检查错误的线是否连接。硬件准备:准备3S 12.6V 40A锂电池保护模块,电池,电源,高电源负载电阻
b'摘要\xe2\x80\x94准确估计充电状态 (SOC) 对于储能应用中电池管理系统 (BMS) 的有效和相对运行至关重要。本文提出了一种结合卷积神经网络 (CNN)、门控循环单元 (GRU) 和时间卷积网络 (TCN) 的新型混合深度学习模型,该模型结合了 RNN 模型特征和电压、电流和温度等非线性特征的时间依赖性,以与 SOC 建立关系。时间依赖性和监测信号之间的复杂关系源自磷酸铁锂 (LiFePO4) 电池的 DL 方法。所提出的模型利用 CNN 的特征提取能力、GRU 的时间动态建模和 TCN 序列预测强度的长期有效记忆能力来提高 SOC 估计的准确性和鲁棒性。我们使用来自 In\xef\xac\x82ux DB 的 LiFePO4 数据进行了实验,经过处理,并以 80:20 的比例用于模型的训练和验证。此外,我们将我们的模型的性能与 LSTM、CNN-LSTM、GRU、CNN-GRU 和 CNN-GRU-LSTM 的性能进行了比较。实验结果表明,我们提出的 CNN-GRU-TCN 混合模型在 LiFePO4 电池的 SOC 估计方面优于其他模型。'
有以下几个不同的海报展示会: ESA-SRB-ANZBMS 海报展示会 阿德莱德会展中心 H 厅 11 月 11 日星期一,下午 5:30 – 7:30 海报可从周日下午/晚上开始展示。您的海报必须在周三早茶前取走。在此时间之后留在海报板上的任何海报都将被取下。代表应询问 ASN 工作人员他们可以在哪里领取他们的海报。 为了让会议上具有相似研究领域的同行进行讨论,我们将海报展示会分为两次观看时间。 如果您的海报是奇数,您应该在下午 5:30 – 6:30 站在您的海报旁边。 如果您的海报是偶数,您应该在下午 6:30 – 7:30 站在您的海报旁边。 ANZBMS 特定海报会议和参观 ANZBMS 全体会议海报会议(在 ESA-SRB-ANZBMS 欢迎招待会期间) 全体会议海报将于 11 月 10 日星期日下午 6:00 至下午 7:30 在阿德莱德会议中心 H 厅举行的欢迎招待会期间展出 ANZBMS 海报参观
1。对本文档中电路,软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路,软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任,而这些损失和损失是由于使用这些电路,软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利,版权或其他知识产权的任何其他要求,或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的,包括但不限于产品,图形,图形,图表,图表,Algorith和Algorith和Algorith,以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利,版权或其他知识产权的权利下,没有明示,隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证,并获得合法进出口,出口,制造,销售,利用,分销或其他任何产品(如果需要)的任何产品(如果需要)的任何产品。5。您不得更改,修改,复制或反向工程师,无论是全部还是部分。6。“高质量”:运输设备(汽车,火车,船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任,这些损失或损失是由于这种更改,修改,复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类:“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级,如下所示。“标准”:计算机;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视觉设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;工业机器人;等。);交通控制(交通信号灯);大规模通信设备;关键财务终端系统;安全控制设备;等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品,否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统(人为生命或人工生命支持设备或系统; ),或可能造成严重的财产破坏(太空系统;海底中继器;核电控制系统;飞机控制系统;关键工厂系统;军事设备;等)。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任,这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表,用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。),或可能造成严重的财产破坏(太空系统;海底中继器;核电控制系统;飞机控制系统;关键工厂系统;军事设备;等)。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任,这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表,用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现,但Renesas Electronics绝对不承担任何责任或安全漏洞的责任,包括但不限于对使用Renesas电子产品或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的,或者不受腐败,攻击,病毒,干扰,黑客攻击,数据丢失或盗窃或其他安全入侵(“脆弱性问题”)。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外,在适用法律允许的范围内,Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件(包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证)方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时,请参阅最新产品信息(数据表,用户手册,应用程序注释,“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”,等等。),并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内,相对于最高评级,操作电源电源电压范围,散热特性,安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障,失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性,但半导体产品具有特定的特征,例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品,否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。,您有责任采取安全措施,以防止火灾受到人身伤害,伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险,例如硬件和软件的安全设计,包括但不限于预防裁员,防火和不适用任何其他适当的治疗方法,包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际,因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室,了解有关环境问题的详细信息,例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细,充分调查适用的法律和法规,这些法律和法规,这些法规和使用受控物质(包括不限于欧盟ROHS指令),并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规,主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任,或任何其他分发,处置或以其他方式将产品分发,处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方,在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意,不得以任何形式重印,复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问,请联系Renesas电子销售办公室。
总共提供 12 个专用缓冲高阻抗输入(V1 至 V10、VBAT1 和 VBAT2),用于测量来自外部传感器或电阻分压器的电压,从而可以测量电池组电压、温度、HV-Link 电压、底盘隔离以及监控接触器和保险丝的状态。在某些配置下,还有另外八个缓冲高阻抗输入(V11 至 V18),总共 20 个输入。ADBMS 电池组监视器的内置串行接口可以配置为与 BMS 控制器进行 SPI 或隔离 isoSPI 通信。它有一个额外的 isoSPI 端口,允许连接菊花链式 ADBMS 电池组监视器设备,可选择使用 ADBMS6840/6842/6843 电池监视器(ADBMS 电池监视器)进行扩展。
总共提供 12 个专用缓冲高阻抗输入(V1 至 V10、VBAT1 和 VBAT2),用于测量来自外部传感器或电阻分压器的电压,从而可以测量电池组电压、温度、HV-Link 电压、底盘隔离以及监控接触器和保险丝的状态。在某些配置下,还有另外八个缓冲高阻抗输入(V11 至 V18),总共 20 个输入。ADBMS 电池组监视器的内置串行接口可以配置为与 BMS 控制器进行 SPI 或隔离 isoSPI 通信。它有一个额外的 isoSPI 端口,允许连接菊花链式 ADBMS 电池组监视器设备,可选择使用 ADBMS6834/6836/6837 电池监视器(ADBMS 电池监视器)进行扩展。
新兴的量子计算利用量子现象有望显著提高特定任务的运行速度,这引起了越来越多研究人员将量子计算纳入其研究领域的兴趣。考虑到目前的数据库系统在传统计算机上存储和处理大型数据集时遇到困难,我们可以尝试使用量子计算机来处理大数据,从而显著减少存储需求并提高各种数据库操作和分析的速度。然而,为了在量子计算机上支持 RDBMS 的关系表,关系数据需要以量子兼容的格式表示。在本文中,我们提出了两种存储方法,量子列导向存储 (QCOS) 和量子行导向存储 (QROS),专门用于在通用量子计算机上存储关系表。我们对这两种存储方法中量子比特和量子门的成本进行了理论分析和模拟验证。结果表明,两种存储方法的量子比特成本都随着数据量的增加呈对数增长趋势。此外,这两种方法都保持了对 𝑀𝐶𝑇 门的线性要求。我们在 IBM 的各种真实量子机器上进行了大量实验,结果表明我们的方法可以使现有设备保存数据集。
其数据表中列出的Bourns®产品的特征和参数是基于实验室条件,并且有关产品适用于某些类型应用程序的陈述是基于Bourns对通用应用中典型要求的了解。用户应用程序中Bourns®产品的特性和参数可能因(i)Bourns®产品与用户应用程序中其他组件的组合而变化,或者(II)用户应用程序本身的环境。Bourns®产品的特性和参数在不同的应用中也可以并且确实有所不同,并且实际性能可能会随着时间而变化。用户应始终在其特定设备和应用程序中验证Bourns®产品的实际性能,并就其在其设备或应用中设计的额外测试保证金的数量做出独立的判断,以补偿实验室和现实世界中的差异。