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BTI 老化现象对模拟放大器影响的研究
摘要 CMOS 技术的扩展允许设计更复杂的系统，但同时也带来了一些可靠性问题。特别是，大幅扩展的微电子技术受到偏置温度不稳定性 (BTI) 老化现象的影响，这种现象导致晶体管阈值电压的绝对值随老化时间增加，从而降低微电子电路的可靠性。在本文中，我们估计了 BTI 对开环配置的运算放大器 (OPAMP) 以及基于 OPAMP 的三个卓越模拟放大器的性能下降。结果表明，BTI 会严重影响所研究电路的性能，并且这种性能下降会随着工作温度的升高而恶化。我们还简要介绍了一种可能的低成本监控方案，用于检测由 BTI 引起的 OPAMP 性能下降。我们的监控器的有效性已通过布局前电气模拟得到验证，结果表明它可以可靠地用于评估 OPAMP 的老化性能下降。
BTI 客户服务 A 团队 2024 执行摘要
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BTI 应力对 FDSOI MOSFET 射频小信号参数的影响
最近，随着无线技术的快速发展，人们对射频操作下纳米级设备的性能和可靠性表征的兴趣日益浓厚。到目前为止，直流可靠性方法被广泛使用，在大多数情况下都需要保护带。然而，随着技术达到缩放极限，设备被推向更高的性能和更严格的保护带。因此，随着可靠性和性能的提高，表征设备老化不仅在传统直流操作方面，而且在动态和高频操作方面也变得越来越重要[1]。BTI 和热载流子注入 (HCI) 是金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 中的两种主要退化机制。HCI 得到了广泛的研究，其对小信号参数的影响之前已有报道[2]、[3]。从 S 参数表征方面对 HCI 退化的研究使我们能够揭示和监测在传统直流表征方法下看不到的高频参数变化[3]。S 参数表征也有助于理解退化机制和各种应力条件引起的潜在物理扰动效应。然而，据我们所知，目前还没有关于 BTI 对 RF MOSFET 小信号行为影响的报道。为了全面理解和模拟各种应力模式引起的小信号行为，有必要评估晶体管在动态和高频操作下的 BTI 效应。在这项工作中，我们研究了 BTI 应力对全耗尽绝缘体上硅 (FDSOI) MOSFET 小信号参数的影响。
描述由组合标准单元和处理器逻辑路径制成的 1.2V 65nm CMOS 振荡器中的 BTI 和 HCD
摘要 — 偏置温度不稳定性 (BTI) 和热载流子退化 (HCD) 是主要的老化机制，经常通过晶体管测量或基于反相器 (INV) 的环形振荡器 (RO) 测量进行研究。然而，大规模数字电路通常用标准单元（如逻辑门）制造。在可靠性模拟流程中（例如，基于 SPICE 的标准单元特性与退化晶体管）必须对标准单元做出许多假设（例如负载电容、信号斜率、老化模型的不确定性等），并且可能导致较高的模拟不确定性。在这项工作中，我们建议用硅中的标准单元振荡器测量来验证这种标准单元特性。为此，我们提出以下新颖的贡献：1）首次基于从处理器中提取的逻辑路径对异构振荡器（一个 RO 中的多种不同单元类型）进行 BTI 和 HCD 测量。 2） 第一项工作探索了 BTI 和 HCD 对包含组合标准单元的振荡器的影响，即包含多个逻辑门的单个单元（例如与-或-反相器 (AOI) 单元和或-与-反相器 (OAI)）和执行复杂操作（例如全加器）的单元。
WRAP 影响 BTI 引起的阈值电压偏移拍摄 ...
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用于评估创伤性脑损伤的医疗器械
设备类型 自动神经心理学评估指标 (ANAM) 计算机化神经认知评估 脑震荡后即时评估和认知测试 (ImPACT) 计算机化神经认知评估 EyeBOX 眼动追踪 Eye-SYNC 眼动追踪 Banyan 脑外伤指标 (BTI) 血液生物标志物 i-STAT TBI 血浆测试 血液生物标志物 BrainScope TBI 电生理学 (EEG) InfraScanner 2000 近红外光谱