关于国际能源署《节能终端使用设备实施协议》(4E):节能终端使用设备技术合作计划(4E TCP)自 2008 年以来一直致力于支持各国政府协调有效的能源效率政策。14 个国家和一个地区已联合起来建立 4E TCP 平台,以交流技术和政策信息,重点是增加高效终端使用设备的生产和贸易。然而,4E TCP 不仅仅是一个信息共享论坛:它汇集了各种项目的资源和专业知识,旨在满足参与国政府的政策需求。4E 的成员发现这是对稀缺资金的有效利用,其成果比单个司法管辖区所能实现的更为全面和权威。4E TCP 是在国际能源署(IEA)的支持下成立的,是一个功能和法律上独立的机构。 4E TCP 的现有成员为:澳大利亚、奥地利、加拿大、中国、丹麦、欧盟委员会、法国、日本、韩国、荷兰、新西兰、瑞士、瑞典、英国和美国。
近年来,自主导航变得越来越流行。但是,大多数现有的方法在公路导航方面有效,并利用了主动传感器(例如LIDAR)。本文使用Passive传感器,特别是长波(LW)高光谱(HSI)的遍历性估计,重点介绍了自主越野导航。我们提出了一种方法,用于选择一部分高光谱带,该方法通过设计一个最小的传感器设计带选择模块,该模块设计一个最小的传感器,该模块设计了一个最小的传感器,该模块可以测量稀疏采样的光谱带,同时共同训练语义段网络网络,以进行遍历性估计。使用我们的LW HSI数据集在包括森林,沙漠,雪,池塘和开放式田野的各种越野场景中证明了我们方法的有效性。我们的数据集包括在各种天气条件下白天和夜间收集的图像,包括具有广泛障碍的具有挑战性的场景。使用我们的方法,我们学习了所有HSI频段中的一个小子集(2%),这些子频段可以在利用所有高光谱带时获得竞争性或更好的遍历性估计精度。仅使用5个频段,我们的方法能够实现平均类别的效果,该级别仅比使用完整的256波段HSI低1.3%,而仅比使用250频段HSI实现的效果仅比使用了0.1%,这证明了我们方法的成功。
免责:通过参加 Olustee 乐队大战,所有参赛者、乐队成员和巡演工作人员(以及参赛者的父母/法定监护人,如果参赛者是符合条件的未成年人),同意免除 Blue-Grey Army 和 Starlight Sound & Recording 的任何和所有责任,包括损失、损害、损坏、伤害、成本或费用,包括但不限于基于公开权、诽谤或侵犯隐私权的任何索赔或诉讼,包括与此相关的任何旅行。赞助商、其母公司、关联公司、子公司、合作伙伴、代表、代理人、继任者、受让人、员工、官员和董事对任何伤害或损害不承担任何责任
杂交轨道,通过混合2 s,2 p x和2 p y轨道形成三个SP 2杂交轨道,而第四轨道则保持为2 p z。重叠的SP 2杂交轨道来自两个相邻原子会产生强σ共价键(C - C键);这些平面σ键将每个碳原子连接到三个邻居。这些碳原子的其余2个P Z轨道形成π键,这些碳构成了将碳层结合在一起的石墨中。因为π键比σ键弱得多,所以石墨具有低剪切强度,因此可以轻松将其碳层脱离。对于单层石墨烯而言,这些几乎游离的π电子负责其大多数实验观察到的电子和光学特性。由于保利排除原理要求来自不同碳原子的π电子不占据相同的状态,因此石墨烯中大量紧密堆积的碳原子会导致退化的能量水平分裂为连续分布的非等级允许能量状态,从而形成能带。石墨烯的真实空间二维蜂窝晶格如图1.1(a)所示。石墨烯中两个相邻的碳原子之间的距离为
28. 海洋工程 29. 水清洁基础设施与卫生设施管理 30. 水资源管理 31. 公路工程与开发 32. 采矿工程 33. 石油工程 34. 地球物理工程 35. 冶金工程 36. 地热工程 37. 发展研究 38. 交通运输 39. 建筑 40. 区域与城市规划 41. 城市设计 42. 旅游规划 43. 景观建筑 44. 管理科学硕士 45. 工商管理硕士 46. 工商管理硕士 - 雅加达 47. 药学 48. 体育硕士 49. 制药业 50. 生物学 51. 生物技术 52. 生物管理 53. 纳米技术 54. 电气工程 55. 信息工程
摘要 带隙工程是开发光电器件的关键方法,特别是对于近红外 (NIR) 应用,其中精确控制材料的电子和光学特性至关重要。本研究探讨了三种 III-V 半导体合金——砷化镓锑 (GaAsSb)、砷化镓锑氮化物 (GaAsSbN) 和砷化镓铝 (GaAlAs)——在定制带隙以满足 NIR 器件特定需求方面的潜力。GaAsSb 通过调整锑含量提供可调带隙,使其成为 NIR 光电探测器和激光二极管的多功能材料。GaAsSbN 中的氮进一步降低了带隙,增强了其对长波长应用的适用性,并提供与 GaAs 基板更好的晶格匹配。GaAlAs 以其稳定性和与 GaAs 的兼容性而闻名,可用于形成异质结和量子阱,从而实现高效的载流子限制和发射控制。通过改变这些合金的成分,工程师可以实现精确的带隙调节,从而优化一系列 NIR 波长范围内的器件性能。本摘要强调了成分变化、应变工程和量子阱设计在开发先进 NIR 光电器件中的重要性。尽管存在材料质量和热管理等挑战,但这些材料的持续改进对电信、医学成像和传感技术中的下一代 NIR 应用具有重要意义。简介 带隙工程是半导体技术中的一项基本技术,可以精确操纵材料的电子和光学
15. 哈里亚纳邦是一个农业邦,因此农民的福利是我国政府政策的核心。为此,我国政府最近废除了殖民时代的“abiyana”(一种传统税)。哈里亚纳邦已成为印度第一个以最低支持价格(MSP)购买二十四种作物的邦。由于今年季风延迟,农民不得不安排额外资源来播种喀里夫作物,这增加了种植成本。为了提供救济,我国政府为所有喀里夫作物的每位农民每英亩提供两千卢比的奖金。这是哈里亚纳邦历史上首次采取这样的举措。
参照上述内容,我们告知交易所,根据 2024 年 4 月 3 日阿马拉瓦蒂法庭国家公司法法庭通过的命令,公司已进入企业破产解决程序,该程序由 RDC Concrete India Private Limited 提交,公司申请编号为 CP(IB)/24/9/AMR/2021。RDC Concrete India Private Limited 是公司的运营债权人,根据经修订的 2016 年破产法第 9 条,该公司有 7,20,85,716 卢比(本金 6,39,21,113 卢比以及利息 81,64,603 卢比)的未付运营债务。 PVBSudhakararao先生(注册号IBBI/IPA-002/1P-N00795/2019-2020/12547)获委任为本公司临时决议专员(“IRP”)。乙
MBenes 是二维 (2D) 材料中的一种新兴成员,因其独特的机械和电子特性以及多样化的晶体对称性和结构而备受关注,这些特性使其成为不同类型应用的有希望的候选材料 [1, 2]。然而,原始 MBenes 的固有金属性质可能会成为光学领域中涉及光子吸收、发射和电子学的多种应用的障碍。在半导体材料中,带隙是最重要的参数,人们投入了大量精力来寻找具有广泛带隙的新型纳米材料。虽然 MBenes 通常表现出金属行为,但可以通过能带工程将其调整为半导体。在这项工作中,ScB MBenes 的电子能带结构已利用表面功能化和应变电子学等能带工程技术进行了修改。我们研究了 ScB MBenes 的各种晶体对称性,并检查了它们的结构和动态稳定性。我们的结果表明,具有六方晶体对称性的 ScB 是最稳定的。我们已经研究了具有 O-、F-、OH- 和 H- 官能团的 ScB 的电子结构,并且能带结构计算表明,用 O 官能化的 ScB 在 DFT+U 和混合交换关联函数 HSE06 中分别具有约 0.1 eV 和 0.5 eV 的半导体带隙。除了用 O 官能化之外,施加的平面双轴应变还使带隙进一步增大了 0.8 eV。这可以使 ScBO MBene 充分利用电子、光学和其他多种应用。
本文介绍了一种用于雷达应用的新型 X 波段碳化硅 (SiC) 共面波导 (CPW) 单片微波集成电路 (MMIC) 高功率放大器 (HPA) 设计。在设计中,采用了 0.25 μ m γ 形栅极和高电子迁移率晶体管 (HEMT),它们采用了碳化硅基氮化镓技术,因为它们具有高热导率和高功率处理能力。此外,在 8.5 GHz 至 10.5 GHz 的频率范围内,反射系数低于 -10 dB,可产生 21.05% 的分数带宽。此外,MMIC HPA 在 2 GHz 带宽内实现了 44.53% 的功率附加效率 (PAE),输出功率为 40.06 dBm。此外,由于 MMIC HPA 具有高输出功率、宽工作带宽、高 PAE 和紧凑尺寸,因此非常适合用于 X 波段有源电子扫描阵列雷达应用。索引术语 — 有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达、共面波导 (CPW)、碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN)、高电子迁移率晶体管 (HEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、高功率放大器 (HPA)。