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Bernal Birayer石墨烯中竞争的Laughlin State和Wigner Crystal
基于石墨烯的样品显示量子厅制度1-16中的相关阶段丰富。奇数和均匀的分数量子霍尔状态，在涉及石墨烯 - 己酮氮化硼的样品中已经实现了分数Chern绝缘子。同样感兴趣的是双层样品中的现场诱导的激子冷凝物。已经指出，AB堆叠（Bernal）双层石墨烯（BLG）系统具有方便的参数，可以通过实验调整：除了电子密度和外部施加的磁力纤维外，还可以进行实验调整。由于几个量子数的结合，BLG的中央兰道水平具有将近八倍的变性：普通旋转，山谷的自由度和轨道退化。这些级别中排序的模式是非常丰富而复杂的。已经表明，分数量子霍尔状态17中存在可调相变。电偏置直接控制轨道水平之间的分裂和电子之间的库仑相互作用也受到外部施加磁场的值以及偏置的影响。对整数量子厅状态进行了详细研究，已在这些系统18上进行，并表明适当的紧密结合模型可以捕获水平顺序。最近的进步导致观察到许多分数状态以及它们之间的过渡。这意味着我们可以使用一个物理系统，在该系统中，我们可以调节参数影响分数量子霍尔物理学19-27。在GAAS中的二维电子系统中，众所周知，不可压力的电子液体与电子晶体（所谓的Wigner晶体）之间存在竞争。对于最低的Landau水平的填充因子ν= 1 /3，具有库仑相互作用的电子系统的基态是一种不可压缩的液体，其特性由Laughlin波函数28很好地描述，仅针对小小的细小因素，即基态状态为晶体状态29。确定这些阶段之间的精确边界已证明了困难的问题30。晶体状态在降低温度时以纵向电阻的不同而显示为绝缘状态。当一个降低填充因子时，有实验证据是Wigner晶体重新进入的实验证据。晶体状态的研究很困难，因为破坏了分数量子霍尔液体所需的磁场值很大。晶体状态不是唯一与液态的竞争者。在较高的Landau水平上，已知电子系统还可能形成所谓的条纹或气泡相。作为Wigner Crystal，这种状态破坏了翻译对称性，并且认为它们处于截然不同的物质状态而没有拓扑顺序。他们的实验特征是具有其他各向异性特性的绝缘行为。我们注意到，在二维GAAS电子或孔系统中31–35在几个多体基础状态之间存在丰富的竞争，并且可以通过调谐门电位在1/3处稳定Wigner晶体。石墨烯系统是研究此类竞争阶段的另一个领域，特别是由于其可调性，AB堆叠了双层石墨烯。也已经知道，与较高的Landau水平混合会使竞争偏向Wigner Crystal状态。调整BLG系统以获得n = 0和n = 1特征的Landau水平的退化，可以看作是Landau级别混合的极端例子，尽管没有n>1。因此，可以调整Laughlin State和Wigner Crystal之间的竞争是合理的。在本文中，我们研究了对填充因子ν= 1 /3和ν= 2 /3发生的不可压缩量子霍尔的状态，当系统完全山谷以及在AB堆叠的双层石墨烯系统中旋转极化。有趣的物理学现在是从轨道特征n = 0和n = 1的水平的穿越中出现的。根据目前对级别订购的知识，这应该发生在接近ν= - 3的载荷的中心八位。电子形成一个有效的两个组件系统，具有可调的各向异性相互作用。
bernal tetralayer石墨烯中的栅极可调异常霍尔效应
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交换交换和旋转轨道诱导的相关阶段在接近的Bernal双层石墨烯
前范德华的异质结构利用了可调的层极化，以交换电子活动区域中的近距离交换和自旋轨道耦合。也许最简单的例子是由一侧分层磁体和另一侧的强型旋转材料封装的Bernal Biyer石墨烯（BBG）。将WS 2 / BBG / CR 2 GE 2 TE 6作为代表性的前循环装置，我们从头开始使用现实的Ab ISSIM启发的哈密顿量和有效的电子电子相互作用，以研究随机相位近似中相关相的出现。我们发现，可以将交换和自旋轨道耦合诱导的石器和Intervalley连贯性不稳定性交换为给定的掺杂水平，从而使人们可以探索单个设备中的整个相关相。
如何引用：Bernal Rivas，F。和Avello-Sáez，D。（2023）。父母的依恋和感官处理对儿童发育的影响。系统评价
本综述着重于儿童发育中两个基本因素的交集：感官处理和依恋。儿童期在大脑中发生的快速而深刻的转变会影响情绪调节，自尊和建立健康关系的能力。按照PRISMA指南，进行了系统的审查，以探讨0至14岁男孩和女孩的感觉处理与依恋之间的关系。使用与附件理论和感觉处理有关的关键字搜索了科学，Scopus，PubMed和Psycinfo数据库。从2022年5月的研究中选择了研究。在最初的87篇文章中，有17篇符合纳入标准，并就儿童早期的感觉处理与依恋之间的关系提供了多种观点。在感官处理障碍和依恋之间确定了一个显着的联系，强调了愿景在社会发展和沟通中的重要性，以及有效的育儿策略，健康的依恋风格和适当的感官处理。支持儿童期健康依恋促进感官处理的发展的想法。感觉整合在改善关系和指导未来的研究和实践中的实用性很明显。
CVD Bernal 堆叠双层石墨烯中的可调 1/f 噪声...
摘要：低频噪声是几乎所有电子系统中限制性能的关键因素。凭借其极高的电子迁移率等优异特性，石墨烯在未来的低噪声电子应用方面具有很高的潜力。本文，我们对基于化学气相沉积 Bernal 堆叠双层石墨烯的双栅极石墨烯晶体管中的低频噪声进行了实验分析。制备的双栅极双层石墨烯晶体管分别采用原子层沉积的 Al 2 O 3 和 HfSiO 作为顶栅极和背栅极电介质。结果揭示了明显的 M 形栅极相关噪声行为，可以用定量电荷噪声模型很好地描述。在室温下，10 Hz 下的最小面积归一化噪声谱密度低至约 3 × 10 − 10 μ m 2 · Hz − 1，远低于之前报道的石墨烯器件的最佳结果。此外，在 20 K 温度下，观察到的噪声水平进一步降低了 10 倍以上。同时，噪声谱密度幅度可以在 20 K 时通过双栅极电压调整超过 2 个数量级。关键词：Bernal 堆叠双层石墨烯，双栅极晶体管，1/f 噪声，电荷噪声模型，低温■引言
2024教师资料
内森·亚历山大（Nathan Alexander），博士学位………………………………………………………………1达伦·伯纳尔（Darren Bernal），博士……………………………………………………………………..2萨布丽娜·埃文斯，博士……………………………………………………………….5 J. Reese Faust，LL.M.，Ph.D。 ………………………………………………………………………………………………………………硕士……………………………………………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………………………
基于双层石墨烯的超级坡度低温FET
摘要：低温场效应晶体管（FET）为应用提供了巨大的潜力，最值得注意的例子是量子信息处理器的经典控制电子设备。对于后者，低功耗的片上FET至关重要。这需要在Millivolt范围内的操作电压，只有在具有超级阈值斜率的设备中才能实现。然而，在基于散装材料的常规低温金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 脱氧剂（MOS）FET中，由于疾病和MOS界面处的带电缺陷，实验上实现的逆下阈值倾斜在几个MV/DEC周围饱和。基于二维材料的FET提供了有希望的替代方案。在这里，我们表明，基于六角形硝化硼的Bernal堆叠的双层石墨烯和石墨门在0.1 K时表现出逆下阈值斜率，在0.1 K时表现出逆下阈值，接近250μV/dec，接近玻尔兹曼的限制。此结果表明在没有散装界面的范德华异质结构中对带尾的有效抑制，从而在低温温度下导致了卓越的装置性能。关键字：Bernal堆叠的双层石墨烯，带隙，子阈值坡度，疾病
量子人工智能和 NASA
Eleanor Riefel M. Sohaib Alam Lucas Brady David Bernal Neira Stephen Cotton Zoe Gonzalez Izquierdo Shon Grabbe Stuart Hadfield Aaron Lott Filip Maciejewski Salvatore Mandr`a Jefrey Marshall Gianni Mossi Jason Saied Nishchay Suri Norman Tubman Davide Venturelli 王志辉 现职实习生
高温量子谷霍尔效应具有量化的电阻和
拓扑绝缘子的边缘状态可用于探索低维和拓扑界面上出现的基本科学。实现可靠的电导量化已被证明对螺旋边缘状态具有挑战性。在这里，我们在扭结状态下显示了宽的电阻平台 - 伯纳尔双层石墨烯中量子谷霍尔效应的表现 - 量化为零磁场处的预测值。高原耐药性的温度依赖性非常弱，高达50 kelvin，并且在数十MV的直流偏置窗口内是平坦的。我们演示了拓扑控制开关的电气操作，开/关比为200。这些结果证明了扭结状态的鲁棒性和可调性及其在构建电子量子光学设备方面的承诺。