Bernal

CVD Bernal 堆叠双层石墨烯中的可调 1/f 噪声...

摘要：低频噪声是几乎所有电子系统中限制性能的关键因素。凭借其极高的电子迁移率等优异特性，石墨烯在未来的低噪声电子应用方面具有很高的潜力。本文，我们对基于化学气相沉积 Bernal 堆叠双层石墨烯的双栅极石墨烯晶体管中的低频噪声进行了实验分析。制备的双栅极双层石墨烯晶体管分别采用原子层沉积的 Al 2 O 3 和 HfSiO 作为顶栅极和背栅极电介质。结果揭示了明显的 M 形栅极相关噪声行为，可以用定量电荷噪声模型很好地描述。在室温下，10 Hz 下的最小面积归一化噪声谱密度低至约 3 × 10 − 10 μ m 2 · Hz − 1，远低于之前报道的石墨烯器件的最佳结果。此外，在 20 K 温度下，观察到的噪声水平进一步降低了 10 倍以上。同时，噪声谱密度幅度可以在 20 K 时通过双栅极电压调整超过 2 个数量级。关键词：Bernal 堆叠双层石墨烯，双栅极晶体管，1/f 噪声，电荷噪声模型，低温■引言