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双激子中单光子的级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a ，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b ，56 µ m × 56 µ m 范围内 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等高线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV (P1) 和 1.7206eV (P2)。d ，P1 和 P2 的提取线宽，绘制为激发功率的函数。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的分辨率受限线宽。e，P1 和 P2 的光子发射积分计数随着
双激子级联发射单光子...
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的设备示意图。 b ，在 56 µ m × 56 µ m 上，能量范围在 1.525eV 和 1.734eV 之间的光致发光强度云图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，WSe 2 单层中局部发射极在 4.5K 下的光致发光光谱，随着激光功率的增加显示出不同的发射行为，以 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）处的峰值为主。d ，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，P1 和 P2 的光子发射的积分计数随着激光功率的增加显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
结合DNA支架和声力光谱以表征单个蛋白键
铅卤化物钙钛矿纳米晶体是经典和量子光发射的有前途的材料。要了解这些出色的特性，需要对带边的激子发射进行彻底的分析，这是由于扩大效果而在整体和室温研究中无法达到的。在这里，我们报告了中间量子限制方案中单个CSPBBR 3 NC的光致发光的低温温度研究。我们揭示了观察到的光谱特征的尺寸依赖性：亮点激子能量分裂，TRION和BIEXCITON结合能以及光学声子复制频谱。此外，我们表明明亮的三重能量分离与纯交换模型一致，并且可以简单地考虑发射偶极子和发射状态的种群的方向来合理化所记录的极性特性和光谱。
来自驱动量子点的能量时间纠缠三级系统
纠缠是高级量子技术的主要资源，它可以在大距离内进行安全交换信息。能量时纠缠因其在基于纤维的量子通信中的有益鲁棒性而特别有吸引力，并且可以在弗朗森干涉仪中证明。我们在连续波动激发下报告了来自共鸣驱动的Biexciton级联反应的Franson型干扰。我们的测量结果产生的（73±2）％的最大可见性超过了违反贝尔不平等的限制（70.7％）的最大可见性。尽管无法满足无漏洞的违规行为，但我们的工作表明了关于这种系统的未来作品的有希望的结果。此外，我们对驾驶强度影响的系统研究表明，脱落机制和偏离级联排放的偏差对测得的能量时纠缠的程度产生了重大影响。
纳米线量子点的共振激发
纳米线中的 GaAs 量子点是可扩展量子光子学最有希望的候选者之一。它们具有出色的光学特性，可以频率调谐到原子跃迁，并为制造多量子比特设备提供了强大的平台，有望释放量子点的全部技术潜力。相干共振激发对于几乎任何实际应用都是必要的，因为它允许按需生成单个和纠缠光子、光子簇状态和电子自旋操纵。然而，这种激发方案下的纳米线结构的发射从未被证实过。在这里，我们首次展示了通过共振双光子激发和共振荧光从 AlGaAs 纳米线中外延生长的 GaAs 量子点实现双激子 - 激子级联发射。我们还报告说，共振激发方案与带隙以上激发相结合，可用于清洁和增强纳米线量子点的发射。
在80k
摘要：大规模量子网络要求实现长寿命的量子记忆，因为固定节点与光量线相互作用。外恋种植的量子点具有高纯度和无法区分性的单个单个和纠缠光子的需求产生的巨大潜力。将这些发射器与长期连贯性时间的记忆耦合，可以开发混合纳米光子设备，这些设备结合了两个系统的优势。在这里，我们报告了通过液滴蚀刻和纳米填充方法生长的第一个GAAS/ALGAA量子点，它发射了带有狭窄波长分布（736.2±1.7 nm）的单个光子，接近硅变量中心的零孔子线。极化纠缠的光子是通过biexciton-依赖性（0.73±0.09）产生的。较高的单光子纯度从4 K（g（2）（0）= 0.07±0.02）至80 K（g（2）（0）= 0.11±0.01），因此使该混合系统在技术上具有对现实世界中量子光谱应用的技术吸引力。关键字：GAAS半导体量子点，单光子，纠缠光子对，液氮温度，钻石颜色中心，SIV零声子线Q
使用电信 C 波段中的量子点进行千兆赫时钟时间箱量子比特的隐形传态
隐形传态是量子力学的一个基本概念，其重要应用在于通过量子中继节点扩展量子通信信道的范围。为了与现实世界的技术（如通过光纤网络进行安全量子密钥分发）兼容，这样的中继节点理想情况下应以千兆赫时钟速率运行，并接受 1550 nm 左右低损耗电信频段中的时间箱编码量子比特。本文表明，InAs-InP 液滴外延量子点的亚泊松发射波长接近 1550 nm，非常适合实现该技术。为了以千兆赫时钟速率创建必要的按需光子发射，我们开发了一种灵活的脉冲光激发方案，并证明快速驱动条件与低多光子发射率兼容。我们进一步表明，即使在这些驱动条件下，从双激子级联获得的光子对也显示出接近 90% 的纠缠保真度，与连续波激发下获得的数值相当。使用非对称马赫-曾德尔干涉仪和我们的光子源，我们最终构建了一个时间箱量子比特量子中继，能够接收和发送时间箱编码的光子，并展示出 0.82 ± 0.01 的平均隐形传态保真度，超过经典极限十个标准差以上。