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异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
靶向躁郁症患者
尽管最近在治疗双相情感障碍的药物治疗方面取得了进步，但即使缓解后，大多数患者仍然存在残留症状（Judd等，2002）。，并且预测躁郁症的病程差（Otto等，2006; Putnins等，2012）;但是，治疗选择的证据是有限的。失眠和焦虑通常用辅助性苯二行 - 埃文斯治疗，如果使用时使用了滥用和依赖性的危险（Uzun等，2010）。越来越多的人目前正在美国使用草药，双相情感障碍的人也不例外。在1999年由国家健康统计中心于1999年进行的国家卫生访谈中，过去一年中，有28.9％的非制度化的美国成年人在过去的一年中使用了至少一种补充和替代医学（CAM）疗法，而草药是三种最常用的疗法形式之一（9.6％）（9.6％）（9.6％）（ni等）。反映这一现象，总计
双极抑郁症患者的低剂量白介素-2
保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。（未经同行评审证明）是作者/资助者，他已授予Medrxiv的许可证，以永久显示预印本。此预印本版的版权持有人于2024年7月19日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.07.19.24310686 doi：medrxiv preprint
双极内存之间的可逆转换...
本文档是公认的手稿版本的已发表作品，该作品以ACS应用材料和接口的最终形式出现，版权所有©2020 American Chemical Society之后，在同行评审和发行商的技术编辑后。要访问最终编辑和发布的工作，请参见https://doi.org/10.1021/acsami.0c04872。
针对抑郁症和躁郁症的开创性解决方案
斯坦福大学是重复经颅磁刺激（RTMS）发展的先驱，并具有活跃的临床和研究计划。现在，这种非侵入性疗法已扩展到斯坦福大学研究人员对儿童和青少年的研究。Nolan Williams，医学博士，已经开发了一种新颖，更集中和强烈的加速theta爆发RTM，以提供更大的功效和更快的响应。Amit Etkin，医学博士，博士正在使用RTM和其他技术探索脑电路，以揭示特定脑电路在心理病理学和治疗反应中的作用。Leanne Williams博士正在阐明使用磁共振成像确定的大脑活动模式如何用于亚型患者，以指导临床医生更快地选择最佳治疗。
抑郁症和躁郁症支持联盟经验
尊敬的主席 Pallone 和排名成员 Walden，抑郁症和双相情感障碍支持联盟 (DBSA) 赞扬众议院能源和商业委员会领导层于 2020 年 6 月 30 日就“高度焦虑和压力：危机期间改善心理健康的立法”举行听证会。我们恭敬地提交以下意见作为委员会记录的书面证词。DBSA 是领先的全国同侪关注组织，为患有抑郁症和双相情感障碍的个人提供支持。DBSA 的同侪、健康导向和赋权服务和资源可在人们需要时、在需要时、以他们需要的方式提供 — 全天候在线、在当地支持小组、在音频和视频广播中，或在 DBSA、我们的分会和美国各地的行为护理机构分发的印刷材料中。根据 SAMHSA 的定义，同侪支持包括与被诊断患有精神健康状况物质使用障碍或两者兼有的类似经历的人之间的一系列活动和互动。同伴支持工作者与正在康复或寻求康复的人之间的这种互惠关系（通常称为“同伴关系”）可以促进联系并激发希望。同伴支持提供了许多其他专业关系中无法找到的接受、理解和认可程度。通过分享自己的生活经验和实用指导，同伴支持工作者可以：帮助人们制定自己的目标，制定自我赋权策略，并采取具体步骤为自己建立充实、自主的生活。抑郁症和躁郁症支持联盟经验 DBSA 成立于 35 年前，其理念是同伴支持同伴。创始人的一个主要目标是为当地社区患有行为健康疾病的人提供由志愿者创办、同伴领导的支持小组会议。同伴支持小组的范围很广，可以从作为综合行为健康治疗计划的一个治疗组成部分，到作为个人的唯一支持系统。支持小组
在躁郁症的情况下处理多动症
o成年期4-7％o的儿童患病率约为2.5％o系统的审查表明，在15-60％的病例中，儿童和青少年的儿童和青少年3：1男性：女性o成年：成年人o降低至2：1男性：女性：女性
与双相情感障碍不排除相关的因素
目的：这项研究的目的是确定与双相情感障碍非排行有关的因素。患者和方法：精神病患者门诊诊所（Musubi）研究的多中心治疗调查使用了2016年9月至10月在日本176个诊所进行的问卷调查。临床精神科医生对连续躁郁症病例进行了回顾性病历调查。患者被认为处于缓解状态：他们的躁狂或抑郁症状不处于边缘或不存在（对应于临床全球印象量表上的2或1点，双极性版本），并且他们的精神病学家在临床上认为它们是缓解的。招收的患者被分为汇总组，非临床者组和人口统计学和临床特征在两组之间形成鲜明对比。非驱动器与启动器进行了比较。结果：本研究中总共包括3130名患者（1420名男性：平均年龄：50.3岁）； 1307名患者（41.8％）处于缓解状态。在其余的1823例患者中，有1260名（40.3％）的抑郁症轻度至重度抑郁症，261例（8.3％）患有躁狂或躁狂发作，302（9.6％）处于混合状态。逻辑回归分析发现，双相情感障碍患者的以下八个因素与不排斥显着相关：女性性别，年龄较小，失业状态，快速循环模式，滥用酒精/药物滥用，较差的社会功能，锂不使用和抗抑郁药 - 抗抑郁药 - 抗抑郁药。结论：穆苏比研究是对躁郁症的全国性最大研究，确定了八个与双极患者非损伤相关的临床相关因素。它们具有重要的临床意义；需要进一步的前瞻性研究来复制这些发现，并指导有严重需求的人的更好管理。关键字：躁郁症，非压力，全国研究，情绪稳定剂，抗精神病药
躁郁症中的开关现象：这是什么？
情感开关过程的现象尚不清楚。很难区分躁狂/易感发作的自然出现过程。国际双极疾病学会（ISBD）已经确定了开关的操作定义。躁郁症I与双相情感障碍II相比具有最高的转换率。三轮车和四环素抗抑郁药和Venlafaxine的开关速率最高。在保护免受开关的情绪稳定器的作用上存在争议。转向抑郁症，但荟萃分析并未集中在这个问题上。在预测的相关性，情绪障碍的积极家族史，亚阈值躁狂症的症状，情绪失调，行为问题，精神病性症状，自杀症状和高分在年轻躁狂症的侵略性干扰行为项目上的相关性似乎很有希望。开关的机制尚待理解。在小儿情绪中断中提出了短期抗抑郁药的谨慎开处方。关键字：开关，躁郁症，抗抑郁药，情绪稳定器，小儿BD简介
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25