XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemBock
pnnl储能简介
1。伯特利·塔雷基（Bethel Tarekegne），丽贝卡·奥尼尔（Rebecca O'Neil），杰里米（Jeremy）Twitchell。“存储作为股票资产。”当前的可持续/可再生能源报告8，149-155（2021年9月）。2。Charlie Vartanian，Matt Paiss，Vilayanur Viswanathan，Jaime Kolln，David Reed。 “审查储能系统的代码和标准”。 当前的可持续/可再生能源8，138-148（2021年9月）。 3。 Patrick Balducci，Kendall Mongird，Mark Weimar。 “了解储能对电源系统的可靠性和弹性应用的价值。” 当前的可持续/可再生能源报告8，131-137（2021年9月）。 4。 Xiang Li，Peiyuan Gao，Yun-Yu Lai，J。DavidBazak，Aaron Hollas，Heng-Yi Lin，Vijayakumar Murugesan，Shuyuan Zhang，Chung-Fu Cheng，Wei-Yao Tung，Yuehting Lai，Yuehting Lai，Yueh-ting Lai，Ruozhu Feng，Yien Yien wang，Wei-wang，Weunwang，wang，W。 “有机铁复合体的对称性设计，用于长循环性有机氧化还原流动电池。” 自然能源6，873-881（2021年9月）。 5。 Ismael A. Rodriguez-Perez，Hee-Jung Chang，Matthew Fayette，Bhuvaneswari M. Sivakumar，Daiwon Choi，Xiaolin Li，David Reed。 “对轻度水解物中Zn – Mno 2电池中氧化还原过程的机理研究。” 材料化学杂志A 9（36），20766-20775（2021年8月）。 6。 Alasdair J. Crawford，Daiwon Choi，Patrick J. Balducci，Venkat R. Subramanian，Vilayanur V. Viswanathan。 “锂离子电池物理学和基于统计的健康模型。” 7。 8。 9。Charlie Vartanian，Matt Paiss，Vilayanur Viswanathan，Jaime Kolln，David Reed。“审查储能系统的代码和标准”。当前的可持续/可再生能源8，138-148（2021年9月）。3。Patrick Balducci，Kendall Mongird，Mark Weimar。“了解储能对电源系统的可靠性和弹性应用的价值。”当前的可持续/可再生能源报告8，131-137（2021年9月）。4。Xiang Li，Peiyuan Gao，Yun-Yu Lai，J。DavidBazak，Aaron Hollas，Heng-Yi Lin，Vijayakumar Murugesan，Shuyuan Zhang，Chung-Fu Cheng，Wei-Yao Tung，Yuehting Lai，Yuehting Lai，Yueh-ting Lai，Ruozhu Feng，Yien Yien wang，Wei-wang，Weunwang，wang，W。“有机铁复合体的对称性设计，用于长循环性有机氧化还原流动电池。”自然能源6，873-881（2021年9月）。5。Ismael A. Rodriguez-Perez，Hee-Jung Chang，Matthew Fayette，Bhuvaneswari M. Sivakumar，Daiwon Choi，Xiaolin Li，David Reed。 “对轻度水解物中Zn – Mno 2电池中氧化还原过程的机理研究。” 材料化学杂志A 9（36），20766-20775（2021年8月）。 6。 Alasdair J. Crawford，Daiwon Choi，Patrick J. Balducci，Venkat R. Subramanian，Vilayanur V. Viswanathan。 “锂离子电池物理学和基于统计的健康模型。” 7。 8。 9。Ismael A. Rodriguez-Perez，Hee-Jung Chang，Matthew Fayette，Bhuvaneswari M. Sivakumar，Daiwon Choi，Xiaolin Li，David Reed。“对轻度水解物中Zn – Mno 2电池中氧化还原过程的机理研究。”材料化学杂志A 9（36），20766-20775（2021年8月）。6。Alasdair J. Crawford，Daiwon Choi，Patrick J. Balducci，Venkat R. Subramanian，Vilayanur V. Viswanathan。“锂离子电池物理学和基于统计的健康模型。”7。8。9。权力来源杂志501，230032（2021年7月）。Hee-Jung Chang，Ismael A. Rodriguez-Perez，Matthew Fayette，Nathan L. Canfield，Huilin Pan，Daiwon Choi，Xiaolin Li，David Reed。“水基粘合剂对轻度水性锌电池中锰二氧化碳阴极的电化学性能的影响。”碳能3：（3），473-481（2021年7月）。Bhuvaneswari M. Sivakumar，Venkateshkumar Prabhakaran，Kaining Duanum，Edwin Thomsen，Brian Berland，Nicholas Gomez，David Reed，Vijayakumar Murugesan。“钒氧化还原流量电池中碳电极的长期结构和化学稳定性。”ACS应用能源材料4：（6），6074-6081（2021年6月）。Xiaowen Zhan，Minyuan M. Li，J. Mark Weller，Vincent L. Sprenkle，Guosheng Li。 “最近用于卤化钠卤化物电池的阴极材料的进度。” 材料14：（12），3260（2021年6月）。 10。 Ruozhu Feng，Xin Zhang，Vijayakumar Murugesan，Aaron Hollas，Ying Chen，Yuyan Shao，Eric Walter，Nadeesha P. N. Wellala，Litao Yan，Kevin M. Rosso，Kevin M. Rosso，Wei Wang。 “可逆的酮氢化和脱氢有机氧化还原流量电池。” 科学372：（6544），836-840（2021年5月）。 11。 J. David Bazak，Allison R. Wong，Kaining Duanmu，Kee Sung Han，David Reed，Vijayakumar Murugesan。 “使用多核NMR和DFT使用水性硫酸的浓度依赖性溶剂化结构和动力学”。 物理化学杂志B 125（19），5089-5099（2021年5月）。 12。 junhua Song，Kang Xu，Nian Liu，David Reed，小姐Li。 13。 14。Xiaowen Zhan，Minyuan M. Li，J.Mark Weller，Vincent L. Sprenkle，Guosheng Li。 “最近用于卤化钠卤化物电池的阴极材料的进度。” 材料14：（12），3260（2021年6月）。 10。 Ruozhu Feng，Xin Zhang，Vijayakumar Murugesan，Aaron Hollas，Ying Chen，Yuyan Shao，Eric Walter，Nadeesha P. N. Wellala，Litao Yan，Kevin M. Rosso，Kevin M. Rosso，Wei Wang。 “可逆的酮氢化和脱氢有机氧化还原流量电池。” 科学372：（6544），836-840（2021年5月）。 11。 J. David Bazak，Allison R. Wong，Kaining Duanmu，Kee Sung Han，David Reed，Vijayakumar Murugesan。 “使用多核NMR和DFT使用水性硫酸的浓度依赖性溶剂化结构和动力学”。 物理化学杂志B 125（19），5089-5099（2021年5月）。 12。 junhua Song，Kang Xu，Nian Liu，David Reed，小姐Li。 13。 14。Mark Weller，Vincent L. Sprenkle，Guosheng Li。“最近用于卤化钠卤化物电池的阴极材料的进度。”材料14：（12），3260（2021年6月）。10。Ruozhu Feng，Xin Zhang，Vijayakumar Murugesan，Aaron Hollas，Ying Chen，Yuyan Shao，Eric Walter，Nadeesha P. N. Wellala，Litao Yan，Kevin M. Rosso，Kevin M. Rosso，Wei Wang。“可逆的酮氢化和脱氢有机氧化还原流量电池。”科学372：（6544），836-840（2021年5月）。11。J. David Bazak，Allison R. Wong，Kaining Duanmu，Kee Sung Han，David Reed，Vijayakumar Murugesan。 “使用多核NMR和DFT使用水性硫酸的浓度依赖性溶剂化结构和动力学”。 物理化学杂志B 125（19），5089-5099（2021年5月）。 12。 junhua Song，Kang Xu，Nian Liu，David Reed，小姐Li。 13。 14。J. David Bazak，Allison R. Wong，Kaining Duanmu，Kee Sung Han，David Reed，Vijayakumar Murugesan。“使用多核NMR和DFT使用水性硫酸的浓度依赖性溶剂化结构和动力学”。物理化学杂志B 125（19），5089-5099（2021年5月）。12。junhua Song，Kang Xu，Nian Liu，David Reed，小姐Li。13。14。“在可充电锌电池复兴中的十字路口。”今天的材料45：191-212（2021年5月）。Nimat Shamim，Edwin C. Thomsen，Vilayanur V. Viswanathan，David Reed，Vincent Sprenkle，Guosheng Li。 “在剃须占空比下评估斑马电池模块。” 材料14：（9），2280（2021年4月）。 Biwei Xiao，Yichao Wang，Sha Tan，Miao Song，Xiang Li，Yuxin Zhang，Feng Lin，Kee Sung Han，Fredrick Omenya，Khalil Amine，Xiao-Qiao-Qinging Yang，Yang，David Reed，David Hu，Yanyan Hu，Gui-liang Xu，Enyyuan liia liia li，XIA，XIA，XIA，XIA，XINIA，XINIA，XINININ kininnin。 “富含锰的层状钠阴极的空缺 - 实现了O3相稳定。” Angewandte Chemie International Edition 60（15），8258-8267（2021年4月）。 15。 di Wu，Xu MA。 “用于控制和尺寸连接网格的能量存储的建模和优化方法：审查。” 当前的可持续/可再生能源报告（2021年3月）。 16。 di Wu，Xu MA，Patrick Balducci，Dhruv Bhatnagar。 “对幕后光伏的经济评估，并在夏威夷群岛上配对电池。” 应用能源286（2021年3月）。 17。 Vijayakumar Murugesan，Zimin Nie，Xin Zhang，Peiyuan Gao，Zihua Zhu，Qian Huang，Litao Yan，David Reed，Wei Wang。 “通过可调溶剂化学的化学反应加速了钒氧化还原流量电池的设计。” 细胞报告物理科学2（2），100323（2021年2月）。 18。 “应力和与界面兼容的红磷阳极，用于高能和耐用的钠离子电池。” ACS Energy Letters 6，547-556（2021年2月）。Nimat Shamim，Edwin C. Thomsen，Vilayanur V. Viswanathan，David Reed，Vincent Sprenkle，Guosheng Li。“在剃须占空比下评估斑马电池模块。”材料14：（9），2280（2021年4月）。Biwei Xiao，Yichao Wang，Sha Tan，Miao Song，Xiang Li，Yuxin Zhang，Feng Lin，Kee Sung Han，Fredrick Omenya，Khalil Amine，Xiao-Qiao-Qinging Yang，Yang，David Reed，David Hu，Yanyan Hu，Gui-liang Xu，Enyyuan liia liia li，XIA，XIA，XIA，XIA，XINIA，XINIA，XINININ kininnin。“富含锰的层状钠阴极的空缺 - 实现了O3相稳定。”Angewandte Chemie International Edition 60（15），8258-8267（2021年4月）。15。di Wu，Xu MA。“用于控制和尺寸连接网格的能量存储的建模和优化方法：审查。”当前的可持续/可再生能源报告（2021年3月）。16。di Wu，Xu MA，Patrick Balducci，Dhruv Bhatnagar。“对幕后光伏的经济评估，并在夏威夷群岛上配对电池。”应用能源286（2021年3月）。17。Vijayakumar Murugesan，Zimin Nie，Xin Zhang，Peiyuan Gao，Zihua Zhu，Qian Huang，Litao Yan，David Reed，Wei Wang。“通过可调溶剂化学的化学反应加速了钒氧化还原流量电池的设计。”细胞报告物理科学2（2），100323（2021年2月）。18。“应力和与界面兼容的红磷阳极，用于高能和耐用的钠离子电池。”ACS Energy Letters 6，547-556（2021年2月）。Xiang Liu, Biwei Xiao, Amine Daali, Xinwei Zhou, Zhou Yu, Xiang Li, Yuzi Liu, Liang Yin, Zhenzhen Yang, Chen Zhao, Likun Zhu, Yang Ren, Lei Cheng, Shabbir Ahmed, Zonghai Chen, Xiaolin Li, Gui-Liang Xu, Khalil胺。19。Minyuan M. Li，Xiaochuan Lu，Xiaowen Zhan，Mark H. Engelhard，Jeffrey F. Bonnett，Evgueni Polikarpov，Keeyoung Jung，David M. Reed，Vincent Sprenkle，Vincent Sprenkle，Guosheng Li。“高温硫磺电池在低温下通过优质的熔融性可润湿性。”化学通信57（1）45-48（2021年1月）。20。Maitri Uppaluri，Akshay Subramaniam，Lubhani Mishra，Vilayanur Viswanathan，Venkat R. Subramanian。“传输模型可以预测锂金属电池中的逆特征而不修饰动力学吗？”电化学学会杂志167，第16号，文章编号160547（2020年12月）。21。Qian Huang，Bin Li，Chaojie Song，Zhengming Jiang，Alison Platt，Khalid Fatih，Christina Bock，Darren Jang，David Reed。“通过稳定的参考电极对全瓦数氧化还原流量电池进行原位可靠性研究。”电化学学会杂志165，第16号，第160541条（2020年12月）。22。Jeremy Twitchell，Jeffrey Taft，Rebecca O'Neil，Angela Becker-Dippmann。2021，PNNL-30172，西北国家实验室，华盛顿州Richland。 嵌入式网格储能的调节含义23。 丽贝卡·奥尼尔（Rebecca O'Neil），杰里米（Jeremy）Twitchell，Danielle Preziuso。 2021，PNNL-30949，西北部国家实验室，华盛顿州里奇兰。 能源公平与环境正义研讨会报告2021，PNNL-30172，西北国家实验室，华盛顿州Richland。嵌入式网格储能的调节含义23。丽贝卡·奥尼尔（Rebecca O'Neil），杰里米（Jeremy）Twitchell，Danielle Preziuso。2021，PNNL-30949，西北部国家实验室，华盛顿州里奇兰。 能源公平与环境正义研讨会报告2021，PNNL-30949，西北部国家实验室，华盛顿州里奇兰。能源公平与环境正义研讨会报告
yariv photonics pdf
**灵魂鸡蛋**灵魂鸡蛋（SE）是一个神秘的鸡蛋，可以使所有未来的收入持续增长10％，这可以进一步升级。这些鸡蛋类似于石头，中间有紫色的珠宝。**获得灵魂鸡蛋**您可以通过抢劫，完成某些挑战或奖杯，收到每日礼物或实现合同中的目标来获得灵魂卵。使用复杂的公式根据您的总声望收入来计算获得的灵魂卵的数量。**升级灵魂蛋**有几种方法可以增加灵魂卵的力量：1。**灵魂食品**：一种史诗般的升级，通过增加1个百分点（最高140个水平，最大效果150％）来增强灵魂卵的能力。2。**灵魂石**：在人工制品中使用灵魂石也可以增加灵魂卵的奖励。3。**预言的鸡蛋**：这些鸡蛋将所有灵魂卵的效力提高了5-10％，具体取决于您的预言奖金水平（史诗般的升级，可以随着预言的石头和Basan书而进一步增加）。总的来说，灵魂鸡蛋是该游戏的宝贵资源，可以升级以提供重大好处。**什么是灵魂鸡蛋？**灵魂鸡蛋是一种罕见的鸡蛋，可以通过游戏中的某些动作获得。它的里面有紫色的二十面体珠宝，类似于石头。在游戏要求追踪设备的许可之前，需要一个灵魂鸡蛋。**如何获得灵魂蛋**可以通过抢劫（游戏动作），完成挑战或奖杯，每天收到礼物或实现合同中的某些目标来获得灵魂鸡蛋。通过使用特定公式的球员的总声望收入来计算通过验证获得的灵魂鸡蛋数量。**计算灵魂蛋获得的公式**计算灵魂蛋获得的公式很复杂，涉及多个步骤，包括最小功能，指数和大量数字（例如，11月1日）。但是，如果玩家的声望收入超过11月1日，则适用该公式的简化版本。**了解您的灵魂鸡蛋收集率**玩家可以在游戏统计菜单下查看其声望收入。如果他们的灵魂鸡蛋收集率提高，则需要将赚取的任何块乘以一个特定因素，以确定其修改后的声望收入数量。注意：我保留了要点和公式完整，但是改写了它们，以提高清晰度和可读性。插入上面的公式，例如，如果您获得了10亿杆元，而没有任何灵魂鸡蛋收集率修改器。然后增加20亿杆的bocks，同时拥有一个500倍的灵魂信标，而信标和 +400％的凤凰羽feather则又增加了36亿美元。可以通过使用灵魂食品来升级您的灵魂鸡蛋，这是一种史诗般的升级，可以增强灵魂鸡蛋的能力。此升级有140个级别。另一种方法是使用灵魂石，它会增加肌肉鸡蛋的奖励。最后，您也可以使用预言。灵魂食品将以140个水平最大化，总共150个，并获得最大的史诗般的研究。声望策略存在于前50 se之外。2。EB计算公式：EB =（10 +灵魂食物水平 +全部灵魂石奖励）×SE×（1.05 +预言奖金水平 + Basan Bonus Bonus + Total Prophecy Stone Bunus）玩家的EB通常用于评估他们在进步方面的距离。一般规则是，如果游戏正在放慢脚步，而无需留下目前的鸡蛋，那么该是时候了。可以通过专注于完成史诗研究或执行多构度来抵消回报的减少。单一声望预加载是一项有力的策略。The Standard Permit Simple Guide involves: - Going to your highest value egg unlocked on your farm - Ensuring high population and leaving space for chickens - Using a soul beacon, bird feed, and boosts while running chickens to increase earnings - Buying research during boosts and hitting the prestige button immediately after The General Preload Guide requires building up to Universe egg, buying optimal habitats and vehicles, maximizing research, activating artifacts with dilithium stones, and使用传奇的Tachyon Prism和Epic Boost Beacon。当内部孵化场增强或您的HAB满满时，请打开应用程序并完成剩余的研究，同时确保运输足够。避免完成HAB研究，直到棱镜不再活跃。激活伪影石岩石，结合下面列表中的增强偏好，然后立即切换到最佳的声望设置。使用地毯的智能助手进行最佳的单个原价。在提升之前，在提升期间运行鸡（旨在最大程度地运行鸡肉奖金）。在验证之前，切勿在浪费ge之前运行多个增强套件。取而代之的是，在再次提升之前，声望最大化SE收益！要建立单个预加载的宽岩声望（dili preload），您需要以下一个提升组之一：最有效：10倍提高信标（10分钟），用于8k和1,000x IHR Tachyon Prism（10mins prism），用于12K最具时光效果的速度：50x boost（10m）for：50 x准备工作涉及购买10列超环火车和所有四个HAB，以及除WD以外的最大化研究。完成后，切换到二锂集并激活上面提到的提升。让HAB填充直到满，然后停用增强功能，并重新启用降铁岩的效率：1k的宽梯灯泡，50倍鸟的饲料为2.5k，500x SOUL信标（10分钟）的10K和50倍Boost Boost Beacons for 100k。为了获得GE效率，请使用相同的提升，但比率不同。激活这些提升，然后切换到声望设置，并在大约10-15分钟内赚取相当数量的SE。此方法的效率不如基本的单一预加载声望，但允许您让手机运行并让它为您完成工作。提升组合：Pro许可预加载：Jimbo最好的鸟类饲料，传奇的灵魂信标和传奇的Boost Boost Beacon Standard许可证：与Pro许可证预装相同，但随着Bird Feed的增加，可以增加SE的增长。别忘了看广告！您的视频倍增器处于活动状态，单独增加了16％的SE。Multistiging是一种后期的声望策略，适用于100q％+声望的高收入奖金农民。它是专业许可证所有者独有的，并且涉及使用相同的增强功能进行多个声望运行，以最大程度地提高SE增益，同时最大程度地减少GE和时间。推荐的用于多列的人工制品套件包括您最好的版本的凤凰羽毛，Demeter的项链和Tungsten Ankh。第四项可以根据情况而有所不同，例如，单载体或在特定的鸡蛋计数中的巴兰收藏家书。要确定用于备件的最佳人工配置，请使用地毯的智能助手。多融合需要不同的收入奖金，并根据“柱头”水平（从Tristige到Octostige）提高持续时间。关键组成部分包括研究史诗研究和Hyperloop站。在具有合适插槽的伪像中设置二载体石，激活更长的增强并利用更长的增强事件可以显着提高GE效率。在一次双声望事件中，从启蒙运动到暂停提升，然后恢复延长时间的声望。在执行鸡肉，采购研究或在黑屏期间升级等动作时，尽可能多地“盲目”卵“盲目”鸡蛋。而不是单击“升级农场”按钮，而是尽可能快地在两个点之间交替以加快进度。您可以多次重复此过程以跳过几个农场，但请注意，它不允许您访问任何无法实现的农场。屏幕可能会稍微毛刺，但是从长远来看，它很少会崩溃并节省了很多时间。使用智能助手确定您最佳的多级文物设置。3。此外，迅速在红色鸡肉架按钮上迅速点击，在等待农场装载时，让您的鸡起步了。进行常规的多级指南，建立并建立到宇宙鸡蛋，最大程度地提高所有研究，栖息地和运输。在其中激活所有带有二硫族石头的人工制品，然后激活增强组合：50倍提升信标，50倍增压信标，1000倍IHR Tachyon Prism，50倍收益Jimbos Bird Feed和500x Soul Beacon。开始运行鸡以增加您的乘数，并继续直至达到您的声望。声望在跑步期间您的鸡肉人数中都相同的时候。可能需要几次跑步才能找到最佳的时间，但是您可以使用计算器来帮助找出时间和人群。根据您的EB，尽快建立到宇宙。一些通往宇宙的路径的例子包括：可食用>> crispr >> tachyon ^^暗物质^^宇宙，或可食用的>> tachyon ^^ ai或nebula $$宇宙等。回到宇宙后，至少购买了2个鸡肉栖息地和至少3个具有所有5辆马车的Hyperloops。最大化所有研究，然后完成采购运输和栖息地。运行鸡，直到您的鸡肉计数与步骤4对齐或提升完成。然后，声望并再次遵循步骤4或如果增强完成后重新开始。另外，您可以使用不同的增强组合来降低SE产量，但明显降低了GE成本：50倍增压信标，1000倍IHR Prism，500X Soul Beacon，50x Bird Feed和50x Bird Feed。此策略的成功取决于您的布景有多好。4。您知道您目前的设置完成了哪些人口和声望。我建议使用坚固的内部孵化速率（IHR）伪影集，理想情况下是带有T4 Life石的T4C单片/T4E圣杯，并具有额外的效果。它尚未在较低的多ebs进行测试，因此，如果您在没有声望固定的帮助的情况下购买有关堆积鸡蛋的研究可能不起作用。跳过HAB或购买车辆也使事情变得更容易。您是一个快速点击器，对吗？在运行之前，根据您的工件集来计算IHR乘数。例如，使用T4C单片和8个T4寿命石，大约为2.217。将您正常完成的研究人口乘以此数字减去。如果这是900m鸡，那么您正在寻找1.1B额外的鸡 - 本质上需要在4.9b上声望，而不是3.8B进行全面奔跑。记住要在主服务器上易于访问的位置保存您的IHR和声望集。装备您的宽岩套件，开始提升，放在您的声望套装上，然后移动。第一条腿之后，在您计算的较高人群中的声望（比正常人高约1.1B）。当鸡在堆积的鸡蛋上跑到下一个Hab时，请切换到IHR套装。从理论上讲，每条腿在效率上最适合效率，但由于声望设置较慢，这可能是不值得的。到达研究的宇宙阶段时，请根据需要购买HAB和运输 - 请记住要在进行研究或购买更多运输以获得最佳收益之前为您的声望设置装备。不建议使用低于100m GE或少于1,000个提升的玩家。感谢@staabmia建议在最初的鸡在堆积的鸡蛋上而不是宇宙之后的鸡肉中切换到IHR。一般技巧包括使用2-3个手指以双击X按钮的双击更快地滑动到工件大厅，更快地关闭菜单。Coop Discord Server指南 @YAMI_RL：100m+ GE Boost方法本指南适用于具有足够增强和/或GE的人，因为这是一种昂贵的方法。所需的提升： - 3x传奇增强信标（10分钟50倍）-12x 50x鸟饲料-12x 500x灵魂信标-24x 1000x IHR Tachyon Prisms（10分钟版本）步骤：1。从任何鸡蛋开始。切换到您的二锂套件。激活3x 50x增强信标和2倍传奇的Tachyon Prism。完成跳到大学所需的所有CR。5。请确保在跳跃之前购买所有四个HAB。6。暂时忽略Hyperloops。7。Max所有CR并运行RCB直到声望。**幽灵跳跃和声望：**1。迅速购买9个Hyperops。2。如果有可能发生的风险，请尽快取消Tachyons或切换到声望设置。3。尝试取消至少10B人口，旨在10.5-11b（最大3-5秒）。4。切换到声望套装后，激活1x 50x鸟饲和1x 500x灵魂信标。5。将RCB保持在09：20-09：30之间在灵魂信标上剩下的提升时间之间的声望。**高级技术：** - 在黑屏期间，在幽灵从Uni跳到Dili或您的特定鸡蛋时，在黑屏期间切换到IHR。- 在Uni中激活两个传奇的Tachyon Prism，而BlackScreen。tachyon Prism策略确保在完成UNI（或购买最后一个〜100级的物质重新配置）后立即激活RCB，并维持其直至声望。有关更详细的帖子和分析，请检查主Discord服务器。lunarstige：懒惰的声望策略lunarstige是声望最简单，最快的方法之一，尤其是在最近添加传奇的T4 Lunar Totem的情况下。此策略涉及在大部分跑步中脱机，使其非常适合那些旅行人员。最大程度地提高了普通研究，并在激活提升之前装备二硫思军。提升：1 1000x 10分钟的Tachyon Prism，2 50x 10分钟提升信标，1 50x 10分钟鸟类饲料和1 500x 10分钟的灵魂信标。此设置可为您提供124500 GE，如果您一次购买5个助推器，则为您的每个LunarStige或不到100000 GE。接下来，装备一个专注于外出收益/SE收益的工件。最好的月球图腾（最好是T4R）应配备尽可能多的月球石。此外，还有最佳的羽毛和传奇项链，上面有月球石头。第四插槽可以根据PE计数和可用伪影而有所不同。对于T4L ANKH，使用它直到115 PE左右，然后切换到Baban Bob或T4C（约190 PE）或Basan的T4E书籍（约160 PE）。使用地毯的智能助手来帮助您确定哪些工件是最好的。保持离线直到提升完成并单击声望。此策略在花费一半的时间时提供了所有Dilistige的好处，非常适合那些忙碌的时间表的人。该策略的SE增益显着增加。月球多阶段：这种替代方案的替代策略，遵循正常的多级规则，但大部分时间都在宇宙上脱机，通常在2-3分钟后进行审查。有一些可行的增强组合，包括2 50倍增强信标，1 50倍鸟饲料和1 500倍灵魂信标或3 50倍助推信标，带有1 50倍鸟饲料和2 1000x Tachyon Prism。选项1：升压-2 50x增强信标，1 50倍鸟饲料，1 500倍灵魂信标和100000倍的tachyon增强。成本-124500 GE策略 - 在完成UNI上完成CR并维护直到声望后立即激活RCB。在尽可能离线后的一分钟后，声望尽可能接近一分钟，而没有重新打开游戏直到那一刻开始。为了最大程度地提高月球寿命的收益，玩家应首先完成正常的跑步，然后立即声望，并使用最大的HAB，共同的研究和至少十架Hyperloop火车开始第二条。可以在增压计时器中尽可能多地重复此过程，以产生超过正常AIO产生的220％以上。或者，可以通过在每条腿的助推器的不同组合之间切换来利用增强，从而导致更高的SE增益。一种策略涉及使用三个50倍增压信标，在一个50倍鸟饲料和一个500倍灵魂信标之间切换，每条腿有两个1000倍的速度。据说这种组合据说净球员略高于普通AIO所获得的410％。另一种选择使用3 50倍增压信标，在一个500倍的鸟类饲料之间切换一个500倍灵魂信标和2 1000x Tachyon的每条腿增强，大约174500枚金蛋，每腿额外的36500。此外，无人机养殖是另一种策略，涉及运行具有特定增强组合的鸡，以最大化无人机盒奖励，从而使SE增益大约是一倍。但是，此方法的成本更高，可以在宽敞的无人机和声望事件等特殊事件中使用。播放器在尝试多lunarstige之前至少具有至少具有三重速度，因为当前未知多曲刺和普通多构成之间的差异。此策略还提供了比选项1多的灵魂鸡蛋多20％，但最大化的多lunarStige的成本约为446500金蛋。提升持续时间还有助于减轻精英无人机的低频和无人机的基本3：7 GE：BOCK比率，尤其是由于伪影插槽有限。根据农场价值增强最大运行鸡肉奖金（RCB），农场价值和无人机奖励，最大程度地提高了Terra Stone的使用情况。对于高收入奖金农民（S％范围或更高），由于农场价值提高，无人机策略的标准许可证版本是理想的选择。Pro许可组合包括：GE效率-2x Jimbo的最佳鸟类饲料 + 2x传奇灵魂信标 + 1X传奇Boost Beacon; SE效率-1x Jimbo的最佳鸟饲料 + 2X传奇灵魂信标 + 2x传奇Boost Beacon;推荐的Pro许可证套件包括Phoenix羽毛，水星的镜头，Neododmium Medallion和Aurelian Brooch。遵循二锂石的标准许可指南，以获取狩猎精英无人机和台石的时间，以增加SE的增长。多合一策略结合了单层，预紧力和多级策略，可有效利用增强剂。对于Pro许可证所有者，请考虑从宇宙（或最高解锁鸡蛋）开始进行常见研究，然后以特定的增强组合运行鸡。达到100q％的收入奖金时，请尝试双重固定；有关更多详细信息，请参见多个声望部分。τ{\ displayStyle \ tau}表示这两个因素在宇宙完成和IHR研究终止之间都具有完全潜在的恒定，以及与赚取相关的研究完成。此模型意味着在每条腿的转射点之后留在宇宙农场中。是（t i 2）0.21 = t i 0.42 {\ displayStyle（t_ {i}^{2} {2}）^{0.21} = t_ {i}^{0.42}}}与优化无关的常数。的优化问题，以找到腿N和{t i} {\ displayStyle \ {t_ {t_ {i} \}}的数量，以最大化s = ∑ i = 1 n t i 0.42 i 0.42 {\ sump.s = \ sum = \ sum _ = \ sum _ = 1} ∑ i = 1 n（τ + t i）= t +τ{\ displaystyle \ sum _ {i = 1}^{n}（\ tau + t_ {i}）= t + \ tau}。这将进一步简化为s（n）= n×（t +τn-τ）0.42 {\ displayStyle s（n）= n \ times \ left（{\ frac {\ frac {t + \ thau} {n} {n}} {n}}} - \ tau \ right） {\ frac {t+\ tau} {n}}}> \ tau}。The optimal number of legs is then determined to be approximately ⌊ 0.58 × ( T + τ ) τ ⌉ {\displaystyle \left\lfloor {\frac {0.58\times (T+\tau )}{\tau }}\right\rceil } , representing a rough estimate for most people, with the exact value depending on individual variables and约束。
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US