法律信息 提及的所有商标均为 Huntsman Corporation 或其关联公司在一个或多个(但不是所有)国家/地区的财产或已获得授权。本文所述产品(以下简称“产品”)的销售受 Huntsman Advanced Materials LLC 或其适当关联公司的一般销售条款和条件的约束,包括但不限于 Huntsman Advanced Materials (Europe) BVBA、Huntsman Advanced Materials Americas Inc.、Huntsman Advanced Materials (Hong Kong) Ltd. 或 Huntsman Advanced Materials (Guangdong) Ltd.(以下简称“Huntsman”)。以下内容取代买方文件。尽管据亨斯迈所知,本出版物中的信息和建议在出版之日是准确的,但本出版物中包含的任何内容均不得解释为任何明示或暗示的陈述或保证,包括但不限于任何适销性或针对特定用途的适用性的保证、不侵犯任何知识产权的保证、或有关质量或与先前描述或样品的一致性的保证,并且买方承担因使用此类产品而导致的所有风险和责任,无论是单独使用还是与其他物质结合使用。本文中的任何声明或建议均不得解释为关于任何产品是否适合买方或用户的特定应用的陈述,或作为侵犯任何专利或其他知识产权的诱因。数据和结果基于受控条件和/或实验室工作。买方负责确定此类信息和建议的适用性以及任何产品是否适合其自身特定用途,并确保其对产品的预期用途不侵犯任何知识产权。产品可能具有或变得具有危险性。买方应 (i) 从亨斯迈获取材料安全数据表和技术数据表,其中包含有关产品危害和毒性的详细信息,以及产品的正确装运、处理和储存程序;(ii) 采取一切必要步骤,充分告知、警告可能处理或接触产品的员工、代理、直接和间接客户和承包商,并使他们熟悉与产品有关的所有危害以及安全处理、使用、储存、运输和处置及接触产品的正确程序;(iii) 遵守并确保可能处理或接触产品的员工、代理、直接和间接客户和承包商遵守适用的材料安全数据表、技术数据表或亨斯迈提供的其他说明中包含的所有安全信息以及与产品的处理、使用、储存、分销和处置及接触有关的所有适用法律、法规和标准。请注意,产品可能因国家/地区而异。如有任何疑问,请联系您当地的亨斯迈代表。
医疗系统中粘合剂的主要应用领域是针结合和注射器组件 - 不锈钢针或插管粘结到玻璃或塑料注射器中。这些针头大量生产,需要大量生产中的快速和可靠的键合。除了其机械键强度外,所使用的粘合剂还必须允许高精度生产和永久连接,并且必须承受各种灭菌方法。Panacol的紫外线治愈的Vitralit®粘合剂完全满足这些要求。vitralit®粘合剂有各种粘度范围,可完全适合针线轮的设计,并填补轮毂和针之间的间隙。轮毂和针的材料也影响粘合剂的选择:许多粘合剂都是紫外线,这需要使用透明和紫外线的材料。对于阻断紫外线(例如聚碳酸酯)的材料,建议使用长波LED可固化的粘合剂。建议用于针头键合的所有Vitralit®粘合剂均为无溶剂和认证的USP IV类和/或ISO 10993用于医疗设备。此外,即使在几个灭菌周期后,也要用所有针键粘合剂测量高针提取力。进行视觉质量检查,还提供了我们的医学级粘合剂的荧光版本。选择粘合剂需要一个匹配的分配系统,以在快速生产环境中可靠,精确地分配。使用BDtronic提供的迷你溶液,无论粘合粘度如何,在微氧范围内的分配都变得容易。随着针线粘合的应用,医疗设备所需的高质量需求证实了Bdtronic的体积分配设备的选择。由于连续的体积分配,分配是无脉冲的,可确保最佳过程速度,可重复性和准确性。最后,紫外线固化设备的选择取决于触发聚合的粘合剂和波长。用于使用Vitralit®产品进行针头键合您可以使用UV-A或可见的LED灯。由于特殊的LED组件和自己优化的电源,HönleLED Powerline LC保证了最快的固化和最短周期时间的高密集型照射。此外,可以在0.01 - 99.99秒的范围内选择辐照时间,因此可以精确地适合过程要求。
a) 拆除和清除所有架空输电线和结构、变压器、建筑物和所有其他辅助设备,以及与将设施连接到电网无关的设施运行产生的碎片。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(i) b) 拆除所有地下电缆和管道,深度达 24 英寸,如果运营后土地使用需要,可拆除得更深。参考 ARM 17.86(1)(e)(ii) c) 拆除风力涡轮机和太阳能基础以及其他混凝土基础和板,拆除深度至少为自然坡度以下 36 英寸,或如果适合运营后土地使用,则拆除部门批准的其他深度。参考ARM 17.86(1)(e)(iii) d) 将设施场地复垦至设施开工前大致的原始地表地形,并对扰动区域进行平整,在扰动区域施以与扰动前深度相似的表土,重新播种和重新植被,以达到与退役时周围区域相同的效用,防止不利的水文影响。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(iv) e) 修复和重建因设施运行或退役直接造成的公共道路、涵洞和自然排水道损坏。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(v) f) 拆除所有通道并将其平整至施工前或自然坡度(视情况而定)。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(vi)
混合键合是一种用于堆叠两个结构的技术,例如芯片,晶圆和底物,每个结构都由金属和周围的介电材料组成。在混合键合过程之后,金属互相键合,并且介电材料也无缝连接。混合键合被认为是3D IC整合中的最终技术之一。但是,在混合键合的出现之前,首先引入了Cu-to-Cu键合,以实现3D IC集成的概念。在1999年至2002年之间,REIF在麻省理工学院的小组提出了一种晶圆级3D集成方案,其中包括使用处理晶片(Si Carrier晶片),研磨技术和Cu-to-to-Cu直接键合,如图1 [1]所示。要键合的Cu结构由Cu垫组成,类似于当今使用的Cu凸起和CU支柱。
法律信息 提及的所有商标均为 Huntsman Corporation 或其关联公司在一个或多个(但不是所有)国家/地区的财产或已获得授权。本文所述产品(“产品”)的销售受 Huntsman Advanced Materials LLC 或其适当关联公司的一般销售条款和条件的约束,包括但不限于 Huntsman Advanced Materials (Europe) BVBA、Huntsman Advanced Materials Americas Inc.、Huntsman Advanced Materials (Hong Kong) Ltd. 或 Huntsman Advanced Materials (Guangdong) Ltd.(“Huntsman”)。以下内容取代买方文件。尽管据 Huntsman 所知,本出版物中包含的信息和建议在出版之日是准确的,但本文所含内容不应被解释为任何明示或暗示的陈述或保证,包括但不限于任何适销性或特定用途适用性的保证、不侵犯任何知识产权的保证、或有关质量或与先前描述或样品的一致性的保证,并且买方承担因使用此类产品而导致的所有风险和责任,无论是单独使用还是与其他物质结合使用。此处的任何声明或建议均不得解释为关于任何产品是否适合买方或用户的特定应用的陈述,或侵犯任何专利或其他知识产权的诱因。数据和结果基于受控条件和/或实验室工作。买方负责确定此类信息和建议的适用性以及任何产品是否适合其自身特定用途,并确保其对产品的预期用途不侵犯任何知识产权。产品可能具有或变得具有危险性。请注意,产品可能因国家/地区而异。如有任何疑问,请联系您当地的亨斯迈代表。买方应 (i) 从亨斯迈获取材料安全数据表和技术数据表,其中包含有关产品危害和毒性的详细信息,以及产品的正确装运、处理和储存程序;(ii) 采取一切必要措施,充分告知、警告可能处理或接触产品的员工、代理、直接和间接客户和承包商,并使其熟悉与产品有关的所有危害以及安全处理、使用、储存、运输和处置及接触产品的正确程序;(iii) 遵守并确保可能处理或接触产品的员工、代理、直接和间接客户和承包商遵守适用的材料安全数据表、技术数据表或亨斯迈提供的其他说明中包含的所有安全信息,以及与产品的处理、使用、储存、分销、处置和接触有关的所有适用法律、法规和标准。
Anita 配备大型触摸屏面板。先进的软件可轻松操作:• 轻松编程简单和复杂的循环 • 立即启动循环,• 通过图形和表格演示进行过程监控,• 交互式选择温度控制模式:最热、平均……• 在两个独立通道上进行热量控制,用于 1 次维修(1 个或 2 个加热区)或 2 次单独维修,• 6000 瓦/220 伏大加热容量 • 用于维修鉴定的袋式真空感应;安装了 2 个传感器,• 面板打印机,• 全面功率检查和短路检测 • USB 连接:2 个端口 • 自动 pdf 报告 • 通过对话和软件调整操作轻松进行校准。
摘要 目的——本文试图回顾使用铜线进行引线键合的最新进展。 设计/方法/方法——回顾了最近发表的数十篇期刊和会议文章。 发现——简要分析了诸如导线开路和短尾缺陷、针脚/楔形键合的键合性差、铜线氧化、应变硬化效应以及弱支撑结构上的硬线等问题/挑战。讨论了使用铜线进行引线键合的问题的解决方案和最新发现/发展。 研究局限性/含义——由于论文页数限制,仅进行简要回顾。需要进一步阅读以了解更多详细信息。 原创性/价值——本文试图介绍使用铜线进行引线键合的最新发展和趋势。通过提供的参考文献,读者可以通过阅读原始文章进行更深入的探索。
自20世纪60年代初半导体探测器问世以来,半导体一直被用于测量空间带电粒子。经过几十年的不懈努力,半导体探测技术得到了很大的发展[1]。硅正-本征-负(PIN)探测器因反向漏电流小、环境适应性强、稳定性高而成为辐射探测研究的热点[2-4]。PIN探测器是一种包括一层P型半导体、一层N型半导体以及二者之间的本征半导体(I层)的结构。I层的存在可以形成较大的耗尽区,增加粒子注入的概率,从而提高探测器的能量分辨率。由于PIN辐射探测器势垒层较厚、阻抗系数较大,因此可以获得较低的暗电流、较高的响应度,易于与焦平面阵列电路匹配。此外,该器件结构可以通过调节本征层厚度来提高量子效率[5,6]和响应速度。卫星用∆EE望远镜一般采用印刷电路板(PCB)和两个独立的薄、厚Si-Pin探测器封装而成[7]。∆EE望远镜广泛应用于重离子探测与跟踪、高γ短程粒子探测、X射线探测等。核粒子进入∆EE望远镜后,首先与薄探测器相互作用而损失能量(∆E),然后与厚探测器相互作用而损失剩余能量(E-∆E)。由于∆E与粒子质量成正比,与E成反比,由此可知粒子的性质。为使∆EE探测器中进入的高能粒子能量损失最小,对薄探测器的厚度有一定的要求(小于或等于100μm),但由于Si材料的材料特性,考虑到厚度较小的探测器易受到机械冲击,探测器装置更容易损坏。而且,两个独立的探测器也不符合小型化、高精度化的发展趋势。
在本文中,我们考虑了对于 D2W 键合,封装集成商可以使用几种键合技术,从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体,以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程,而与一直占主导地位的成熟引线键合相比,该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高,代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商,因此采用年轻的技术需要仔细规划,以解决潜在的差距和障碍,以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制,例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术,界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成;必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险,以确保