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航空航天应用中的结构胶粘剂粘合
这本小册子旨在介绍粘合剂粘合的基础知识，并着眼于航空航天应用。只要有可能，本书都会结合航空案例来解释基础知识。书中讨论了飞机领域常用的粘合剂、所用材料（如铝或复合材料）的表面处理、飞机结构中常见的接头设计、制造方法以及疲劳等耐久性问题。书中的文字非常浅显易懂，并配有许多插图，方便读者理解书中介绍的概念。
航空航天应用中的结构胶粘剂粘合
航天领域在运载火箭和卫星的建造中广泛使用粘合剂粘合。与许多其他领域的情况一样，粘合剂在这些应用中的使用与复合材料的使用密切相关。虽然在太空竞赛开始时，运载火箭和卫星主要由金属制成，但复合材料整体结构部件在 20 世纪 70 年代开始成为常态，取代了许多（但不是全部）金属结构。这种使用是由于环氧树脂与玻璃和硼纤维的结合，这提高了复合材料的强度和稳定性，尽管其使用仍然仅限于整流罩和支架等次级结构。在 20 世纪 80 年代，碳纤维的使用开始成为常态，并开启了复合材料在主要结构部件、整体结构或夹层板中的使用。如今，许多火箭包括完全粘合的复合材料级，用作储罐，将推进剂冷却至低温。其中一些应用如图 1.13 所示。
接下来会发生粘结启动子树脂...
Resin Developed Pre-Commercial Designation Year Developed Compostion Penacolite® B1A 1940's Resorcinol - Formaldehyde Penacolite® B16 1950's Resorcinol - Formaldehyde Penacolite® B17 1962 Resorcinol - Formaldehyde Penacolite® B18 1964 Resorcinol - Formaldehyde Penacolite® B18S RDL - 065 1976 RF Resin + RM441 Penacolite® B19S RDL - 095 1978 RF Resin + RM441 Penacolite® B20S*** RDL - 055 1988 R + Styrene + F Resin Penacolite® B21S *** RDL - 516 2004 R + Styrene + F Resin Penacolite® B22 1950's Phenol + Resorcinol + FPenaColite®untipro 100 ***良好的年份代码：“ Rajic” 2003 M-羟基二苯胺Penacolite®I868 C *** CRL -434 2009 RESORCINOL -MDI ADRAUCT -MDI ADRAUCT
用于激光辅助键合的先进芯片光束对准方法
摘要 在激光辅助键合工艺中检查激光束和芯片是否对准的动作称为芯片束对准。当前的芯片束对准方法是简单的肉眼目视检查，这使得该方法极易受到人为错误的影响，因为它取决于负责它的工程师/操作员的感觉和能力。此外，它缺乏明确的定量评估标准。本研究的目的是开发一种基于计算机视觉算法的无人为错误的芯片束对准方法。专用的图像采集相机与基于计算机视觉的定制软件相结合，成功地将芯片和激光束对准，精度为 0.060 毫米。简单的硬件设置与用户友好的软件相结合，使其成为一种方便的现场使用方法。 关键词 计算机视觉、芯片束对准、激光辅助键合、LAB。
使用光子连接和包装多核纤维...
“具有蛾类抗反省结构的3D打印非球面”，（2024）Y. Mizuno等，Proc。SPIE 12898，用于微型/纳米光学和光子学的高级制造技术XVII，128980R
混合晶圆键合中的 CMP 挑战回顾...
ST Microelectronics 和 LETI：S. Lhostis、A. Farcy、E. Deloffre、F. Lorut 等人在拉斯维加斯电子元件和技术会议 ECTC 上发表演讲（2016 年）。
CU键合技术：用例和前景
Table of Contents Overview of Wafer Level 3-D ICs.- Monolithic 3-D Integrated Circuits.- Stacked CMOS Technologies.- Wafer Bonding Technologies and Strategies for 3-D ICs.- Through Silicon Via Fabrication, Backgrind, and Handle Wafer Technologies.- Cu Wafer Bonding for 3-D ICs Applications.- Cu/Sn Solid-Liquid Interdiffusion Bonding.- An SOI-Based 3-D电路集成技术。-3-D制造高性能CMOS技术的选择。-基于介电粘合键的3-D集成。-直接混合键合。-3-D内存。-3-D集成的电路体系结构。-3-D ICS的热挑战。
