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MOSFET物理参数对阈值电压Milaim Zabeli，Nebi Caka，Myzafere Limani，Qamil Kabashi Electrical An
摘要：本文的目的是研究表征MOSFET晶体管结构对阈值电压值的物理参数的影响。还可以分析底物（身体效应）对阈值电压的作用。MOSFET阈值电压值将在设备的动态和静态工作状态（模式）中产生影响。基于获得的结果，我们可以进一步看到每个物理参数对阈值电压总值的影响。我们可以看到这些参数中的哪个将对阈值电压产生重大且小的影响。因此，考虑到我们可以调整MOSFET物理参数的值以达到所接受的阈值电压。关键词：MOSFET参数，阈值电压，身体效应，增强型NMO，掺杂密度，短通道，窄通道。1简介特征MOSFET晶体管的重要值是阈值电压的值。根据MOSFET类型，阈值电压的值可能为正值和负值。在MOSFET晶体管的制造过程中，可以控制此值。N通道增强型MOSFET（或NMO）的物理结构如图1所示。由于增强型NMO比其他类型的MOSFET晶体管具有优势，因此在遵循时，我们将分析此。MOSFET晶体管的末端用S（源），D（drain），G（Gate）和B（身体）表示。创建（诱导）导电通道（导致表面反转）所需的栅极到源电压V GS的值称为阈值电压，并用V t或V t表示[1、2、3、4]。阈值电压的值取决于某些特征MOSFET结构的物理参数，例如：栅极材料，氧化物层T ox的厚度，T OX的厚度，底物掺杂浓度（密度）N A，氧化物 - 接口固定电荷浓度（密度）N OX，N OX，n ox，n ox，通道长度l，通道宽和偏置Voltage V sb v sb [2，5]。