提交申请的顾问应负责及时送达。对拟议文件的任何解释或变更均应通过附录进行,该附录发给每位已获得规范或已在港务局注册以接收此类附录的顾问。可通过索取文件或通过电子邮件向 sgafvert@clermontcountyohio.gov 提出此类请求进行注册。所有附录都应成为授予的任何合同的一部分。港务局不对任何其他解释或解释负责。每位受访者必须提交一式三份的资格声明,一份 (1) 原件和两 (2) 份复印件(每份复印件均加盖“复印件”印章),以及一份 (1) 可搜索的 USB 驱动器副本。资格声明应放在密封的信封中,信封上应标明:RFQ — 宽带扩展 — 建设、运营咨询和采购服务。
(o)(i)在企业,服务提供商,承包商或第三方响应消费者请求的背景下“不成比例的努力”是指企业,服务提供商,承包商或第三方花费的时间和/或资源,以应对企业的规模,而不是适用于企业,例如,企业对消费者的影响很大,例如,付出了较大的影响,例如,企业对企业的造成的影响很大,例如,该企业的范围是造成的。当事方,请求的性质以及影响其响应能力的技术限制。例如,当响应消费者请求知道的要求可能需要不成比例的努力时,当该请求的个人信息不采用可搜索或易于访问的格式时,仅出于法律或合规目的而维护,并且没有出售或用于任何商业目的,并且没有合理地预见的材料对消费者产生任何可靠的影响。对消费者的影响是拒绝纠正企业使用和/或出售信息的不准确信息的请求,这可能会超过企业,服务提供商,承包商或第三方的负担,以兑现该请求,而当否认拒绝
夹片键合 CCPAK-1212:设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano Dalcanale、John Denman、Zainul Fiteri、Hagop Tawidian、Manfred Rowe、Sven Zastrau、Adam Brown 和 Bas Verheijen Nexperia,Bramhall Moor Ln,斯托克波特,大曼彻斯特,英国 关键词:GaN、AlGaN、CCPAK1212、夹片键合、封装、产品可靠性。 引言 Nexperia 的商业化 GaN 基功率晶体管在功率器件市场表现出巨大优势,在 650 V 时提供低导通电阻。为了在不同应用(如车载充电器、DC-DC 转换器、牵引逆变器)[1、2] 中实现这种出色性能,Nexperia 推出了一种新型夹片键合封装 HEMT,在高工作电压下具有低关断态漏电。虽然这是 GaN 行业中第一个推出完全夹片键合解决方案而不需要任何引线键合连接的解决方案,但该解决方案的电感比引线封装低 5 倍(2.37 nH 对比近 14 nH),并且封装电阻超低,热阻小于 0.5 K/W [3]。要保持这种性能,需要高水平的器件工程设计,包括 HEMT 设计、MOSFET 设计以及紧凑型 CCPAK 中的共源共栅配置,从而形成具有行业领先性能的创新封装。夹片键合配置用于优化热性能和电气性能,简化的共源共栅可避免使用栅极驱动器。结果与讨论图 1 显示了共源共栅配置中的无引线键合 GaN HEMT 和 Si MOSFET。这些器件位于