XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemCDCL
tassat：转移和共享SAT⋆
SAT问题询问是否存在命题逻辑中给定公式的令人满意的真理分配。sat非常棘手[10]，但是现代的SAT求解器，尤其是冲突驱动的子句学习（CDCL）求解器，在从各种应用程序中求解大型公式方面取得了重大进展。在组合问题方面，随机局部搜索（SLS）求解器通常比CDCL更有效。由于SLS和CDCL求解器具有互补的优势，因此一些SAT求解器，例如Kissat [7]和Cryptomin- iSat [16]组合SLS和CDCL技术，SLS方法在塑造现代SAT求解器的能力方面起着关键作用。sls求解器通过翻转单个变量的真实价值直到找到解决方案或超时为止。求解器通常会尝试翻转变量，以最大程度地减少伪造的从句的数量。求解器确定没有可变翻转会根据某些启发式或度量标准导致改进时，它已达到局部最低限度。为了逃避局部最小值，求解器可以进行随机翻转或调整其内部状态，直到改善为止。尽管是逃脱本地最小的算法的有效算法，但动态搜索（DLS）吸引了
人工智能：表征与问题解决
• DPLL、CDCL、WalkSAT、GSAT • 确定一个句子是否可满足 • 描述后继状态公理 • 描述和实现 SATPlan（规划为可满足性） • （混合代理）
通过Cube-and- ...
MD4和MD5是1990年代初提出的基本加密哈希功能。MD4由48个步骤组成，并产生一个128位哈希，给出了任意有限大小的信息。MD5是MD4的更安全的64步扩展。MD4和MD5都容易受到实际碰撞攻击的影响，但是倒置它们仍然不现实，即找到给定的消息的消息。在2007年，MD4的39个步骤版本通过减少SAT和应用CDCL求解器以及所谓的Dobbertin的约束而反转。至于MD5，在2012年，其28步版本通过CDCL求解器倒置，用于指定的哈希，而无需添加任何额外的约束。在这项研究中，将立方体构孔（CDCL和LookAhead的组合）应用于MD4和MD5的逐步减少版本。为此，提出了两种算法。第一个通过逐渐修改多伯丁的约束来为MD4产生反问题。第二算法尝试具有不同截止阈值的立方体和固定的固定阶段，以找到具有征服阶段最小运行时估计值的一个。该算法以两种模式运行：（i）估计给定命题布尔公式的硬度； （ii）不完整的SAT解决给定的令人满意的命题布尔公式。虽然第一种算法专注于倒数降级MD4，但第二个算法不是特定区域的，因此适用于各种类别的硬式SAT实例。在这项研究中，首次通过第一种算法和第二算法的估计模式倒入40-、41-，42-和43步MD4。另外，通过第二算法的不完整的SAT求解模式将28步MD5倒入四个哈希。对于其中的三个哈希，这是第一次完成。
不丹：Phuents Holing Township Development Project
4。根据ADB的保障政策声明SPS 2009，PTDP已被归类为“环境保障”类别“一个”项目，用于社交保障措施。因此，CDCL作为实施机构具有确保环境和社会保障措施符合相关的国家法律以及ADB的政策和准则。根据2000年的《环境评估法》的要求以及2017年9月获得环境清除（EC）的国家环境委员会（NEC）的规定参考条款（TOR），对该项目的环境影响评估（EIA）进行。EIA报告是制定承包商环境管理计划（CEMP）的基础，该计划用于实施HSE保障措施。
铁电 Cd 基混合有机-无机钙钛矿中的化学和电可调自旋极化
密度泛函理论计算用于预测 Cd 基混合有机-无机高 TC 铁电钙钛矿的电子结构，TMCM-CdCl 3 是其中一种代表。我们报告了这些非磁性化合物价带中的 Rashba-Dresselhaus 自旋分裂。有趣的是，我们在计算中发现分裂不一定对材料的极化敏感，而是对有机分子本身敏感，这为通过分子的选择实现其化学可调性开辟了道路。通过在 CdCl 3 链中替换 Cl，可以进一步实现自旋分裂的化学可调性，因为发现价带源自 Cl-Cl 周键合轨道。例如，在 TMCM-CdCl 3 中用 Br 替换 Cl 导致自旋分裂增加十倍。此外，这些材料中的自旋极化产生了与极化方向耦合的持久自旋纹理，因此可以通过电场进行控制。这对于自旋电子学应用来说很有前景。
203 CdMnSe 的光电特性...
摘要。所研究的光伏电池半导体结构由 SnO 2 镀膜玻璃和 CdMnSe 薄膜组成。通过检查激光功率和样品温度下 CdMnSe 薄膜表面的光致发光，研究了原生薄膜、空气退火薄膜和经过 CdCl 2 处理的薄膜。在玻璃基板上生长 Cd 1-x Mn x Se（x =0.02）薄膜。根据光电流的动力学衰减确定了脉冲照射下的载流子寿命。在激光辐射影响下对非平衡光电导弛豫曲线的研究证实了两个复合通道的存在——本征和杂质。光电流弛豫通过快速和慢速复合通道发生。与本征跃迁相关的快速弛豫时间 τ = 6 μs，而慢速弛豫时间则归因于杂质激发，τ = 22 μs。研究了Cd1-xMnxSe（x=0.02）薄膜的光致发光光谱，在光致发光研究中观察到两个最大值，它们是由供体-受体复合和Mn原子的中心内跃迁引起的。
光伏
图18。（a）化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响，（b）BII 3，（c）AGBII 4（缺陷型旋转结构）和（d）AGBII 4（CDCL 2-type结构）的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可，69（1），（2024）。[139]版权所有©2024，Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的，用于图像分析，然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩，以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A）CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B）CS 3 Bisbbr 3 I 6和C）CS 3 SB 2 BR 3 I 6，使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A）CS 3 BI 2 I 9 B）CS 3 BI 2 BR 9 C）CS 3 SB 2 I 9和D）CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a）cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006]，b）cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201]，c）cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d）cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a）cs 3 bi 2 I 9，b）cs 3 bi 2 br 9，c）cs 3 sb 2 i 9和d）cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。（a）CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑，以及（b）Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300K pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300k pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a）在合成的当天未涂层，b）合成后23天未涂层，c）在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗，而d）d）在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b）110ᵒC，c）120ᵒC，d）130ᵒC，e）140ᵒC和f）150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像，标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a）未使用反溶剂，b）氯苯，c）IPA，d）甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100