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Partha Chakrabarti博士，CSIR IICB pchakrabarti@iicb.res.res.in sinjay Singh csir csir ceri ceeri sinjay sinjay sinjay sinjay sinjay ; Sanjay Kumar博士，csir-nml sunju@nmlindia.org S P Das博士，CSIR-IMMT spdas@immt.res.res.r. in P. Sujatha devi博士，CSIR-NIIST PSUJATHADEVI@NIIST.RES.NIIST.RES.NIIST.RES.INS.IN csir-apri cksangi@immt.res.res.in Ashok Kumar博士，csir-cbri ashokkumar@cbri.res.res.res.r.in shri s negi，csir-cbri sknegi@cbri@cbri@cbri.res.in e madhu博士Asokan Pappu，csir-mbri pasokan@ampri.res.res.ins saptarshi sasmal博士，csir-serc saptarshi@serc.res.res.res.res.r.in p harikrishna博士Partha Chakrabarti博士，CSIR IICB pchakrabarti@iicb.res.res.in sinjay Singh csir csir ceri ceeri sinjay sinjay sinjay sinjay sinjay ; Sanjay Kumar博士，csir-nml sunju@nmlindia.org S P Das博士，CSIR-IMMT spdas@immt.res.res.r. in P. Sujatha devi博士，CSIR-NIIST PSUJATHADEVI@NIIST.RES.NIIST.RES.NIIST.RES.INS.IN csir-apri cksangi@immt.res.res.in Ashok Kumar博士，csir-cbri ashokkumar@cbri.res.res.res.r.in shri s negi，csir-cbri sknegi@cbri@cbri@cbri.res.in e madhu博士Asokan Pappu，csir-mbri pasokan@ampri.res.res.ins saptarshi sasmal博士，csir-serc saptarshi@serc.res.res.res.res.r.in p harikrishna博士
机械工程中的更环保技术（...
KS Sangwan 教授，皮拉尼校区 MS Dasgupta 教授，皮拉尼校区 Abhijeet K. Digalwar 教授，皮拉尼校区 Bijay K. Rout 教授，皮拉尼校区 Manoj Soni 教授，皮拉尼校区 Rajesh P Mishra 教授，皮拉尼校区 Dhananjay Madhukar Kulkarni 教授，果阿校区 教授Pravin Madanrao Singru，果阿校区 Shibu Clement 教授，果阿校区 R. Karthikeyan 教授，迪拜校区 Amit Kumar Gupta 教授，海得拉巴校区 Jeevan Jaidi 教授，海得拉巴校区 Morapakala Srinivas 教授，海得拉巴校区 N Suresh Kumar Reddy 教授，海得拉巴校区 Sandip S. Deshmukh 教授，海得拉巴校区 Srinivasa 教授Prakash Regalla，海得拉巴校区 YV Daseswara Rao 教授，海得拉巴校区 NVM Rao 教授，Pilani 校区 Shamsher Bahadur Singh 教授，Pilani 校区 Ajit Pratap Singh 教授，Pilani 校区 Annapoorna Gopal 教授，Pilani 校区 Arya Kumar 教授，Pilani 校区 PB 教授Venkataraman，皮拉尼校区 Srikanth Mutnuri 教授，果阿校区 D. Sriram 教授，海得拉巴校区 Sanket Goel 教授，海得拉巴校区 S Gurunarayanan 教授，海得拉巴校区 Venkata Vamsi Krishna Venuganti 教授，海得拉巴校区 Bhausaheb Botre 博士，CSIR - CEERI，皮拉尼 Udit Narayan Pal 博士，CSIR - CEERI，皮拉尼
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
科学与创新研究学院
Code Lab Name 1 Cbri, Roorkee 2 Igib, New Delhi 3 CCMB, Hyderabad 4 CDRI, Lucknow 5 CECRI, KARAIKUDI 6 CEERI, Pilani 8 CFTRI, MYSURU 9 CGCRI, Kolkata 10 Cimap, Lucknow 11 CLRI, Chennai 12 CMERI, Durgapur 14 CRRI, New Delhi 15 CSIO，Chandigarh，16 Csmcrri，Bhavnagar 17 IICB，加尔各答18 IICT，海德拉巴19 IIP，Dehradun 20 Imtech，Chandigarh 22 IITR，chandigarh 22 IITR，Lucknow 24 Nbri Lucknow 26 NCL 26 NCL，NCL，Pune 27 Neeri，Pune 27 Neeri，Neeri 27 Neeri，Neeri 28 nergri，Nio Hedri，Hyderiio 330 Niohiio，Hyderabad 29 Nio Hederabad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 NML, Jamshedpur 32 NPL, New Delhi 33 IHBT, Palampal 36 IMPRI IIIM, Jammu 38 Neist, Jorhat 39 Niist, Trivendrum 41 SERC, Chennai 42 Niscair, New Delhi 43 CIMFR, Dhanbad 44 Urdip, Pune 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 63 LVPEI，海得拉巴64 BSIP，勒克瑙65 Nimr，新德里66 Iasst，GuwahatiCode Lab Name 1 Cbri, Roorkee 2 Igib, New Delhi 3 CCMB, Hyderabad 4 CDRI, Lucknow 5 CECRI, KARAIKUDI 6 CEERI, Pilani 8 CFTRI, MYSURU 9 CGCRI, Kolkata 10 Cimap, Lucknow 11 CLRI, Chennai 12 CMERI, Durgapur 14 CRRI, New Delhi 15 CSIO，Chandigarh，16 Csmcrri，Bhavnagar 17 IICB，加尔各答18 IICT，海德拉巴19 IIP，Dehradun 20 Imtech，Chandigarh 22 IITR，chandigarh 22 IITR，Lucknow 24 Nbri Lucknow 26 NCL 26 NCL，NCL，Pune 27 Neeri，Pune 27 Neeri，Neeri 27 Neeri，Neeri 28 nergri，Nio Hedri，Hyderiio 330 Niohiio，Hyderabad 29 Nio Hederabad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 Niobad 29 NML, Jamshedpur 32 NPL, New Delhi 33 IHBT, Palampal 36 IMPRI IIIM, Jammu 38 Neist, Jorhat 39 Niist, Trivendrum 41 SERC, Chennai 42 Niscair, New Delhi 43 CIMFR, Dhanbad 44 Urdip, Pune 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 63 LVPEI，海得拉巴64 BSIP，勒克瑙65 Nimr，新德里66 Iasst，Guwahati
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GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。