摘要:人乳头瘤病毒(HPV),尤其是HPV 16和18的高风险类型,可以从低级病变(LSIL)发展为癌症。虽然HR-HPV和LSIL经常自然退缩,但某些情况可能会导致恶性肿瘤。当前的治疗方法在疗效方面有所不同,可能会产生不利影响。对Crispatus M247乳杆菌和活性己糖相关化合物(AHCC)的新兴研究显示出增强HPV清除和LSIL回归的潜力,并具有最小的副作用。但是,这些治疗方法的确切影响仍在研究中。主要终点是评估AHCC和L. crispatus M247在治疗慢性宫颈炎或低级鳞状上皮内病变(L-SIL)高风险HPV引起的妇女中的有效性。次要终点是监测任何副作用并测量患者对治疗方案的依从性。这项前瞻性观察队列研究在6个月内跟踪了40名患有宫颈细胞学异常和HR-HPV感染的宫颈细胞学异常的女性。队列A(20例)接受了AHCC和Crispatus L. crispatus治疗,而同伴B(20例患者)经常进行随访,没有特定治疗。该研究评估了治疗的影响,控制了年龄,BMI,性史,避孕习惯和吸烟习惯。关键评估包括在研究期开始和结束时分子测试,阴道镜检查和活检,并对辍学率和依从率进行其他监测以及确定治疗方法的可行性和安全性的任何副作用。从最初的40名患者中辍学率为17.5%(主要是共同相关的),没有注意到副作用。HR-HPV清除率为73.3%,在第6个月中B组(P <0.001)中达到0%。l-SIL在A组13%的13%中回归为慢性宫颈炎(P = 0.048),而B组的26.3%则发展为H-SIL,在第6个月与A组(P = 0.042)明显不同。这项观察队列研究证实了AHCC和Crispatus M247补充HR HR-HPV清除率和L-SIL回归的可行性和功效,没有副作用和良好的依从性。结果通过随机对照试验和关于阴道菌群在癌症预防中的作用的研究支持进一步研究。
引入快速频率响应改进 (FFRA) 项目是为了增强电网稳定性和弹性。FFRA 包括实施一次频率响应、快速频率调节服务和快速频率响应市场。这些市场需要快速响应的能源资源,因此具有先进操作系统和数字控制的储能系统对于参与至关重要。德克萨斯州的一位客户要求 FlexGen 更新其现有的 HybridOS 能源管理系统,以满足最新的 FFR 软件和控制响应标准。
所有数据仅供参考,不保证或担保 Axiom Materials 承担法律责任的规格。用户应进行验证和测试,以确定其是否适合其特定工艺和固化条件。请参阅安全数据表 (SDS) 和标签,了解安全使用和处理说明。本产品适用于工业/商业用途,必须由受过培训的人员使用。2019 年 6 月 12 日修订
3. 要求:3.1 概述:单个项目要求应符合本文规定。3.2 封装:Kovar,100 至 250 微英寸镀镍。物理配置应如图 1 所示。热阻,θ JC:30 o C / 瓦。重量:最大 5 克。3.2.1 引线涂层:100 至 250 微英寸镍上镀 50 至 70 微英寸金。根据 MIL-PRF-55310 使用 Sn60/Pb40 焊料进行热焊锡是可选的,需额外付费。3.3 密封性:电阻焊接,密封,泄漏率最大为 1(10) -8 atm-cc/s。3.4 标记:零件应至少标有 Xsis P/N、Xsis 外壳代码、ESD 符号、日期代码和序列号。 3.5 绝对最大额定值:除非另有规定,绝对最大额定值应如下:电源电压 -0.5 至 +5 VDC 自然通风工作温度范围 -55 o C 至 +125 o C 存储温度 -55 o C 至 +125 o C 引线焊接温度/时间 +250 o C,10 秒
NGCP 与 SMCGP 菲律宾能源存储有限公司 (SPESCL – KABANKALAN 电池存储系统) 签订的辅助服务采购协议(用于调节储备)在 2022 年 1 月 6 日颁布的命令中,能源监管委员会 (ERC) 授予 NGCP 与 SMCGP 菲律宾能源存储有限公司 (SPESCL) 签订的辅助服务采购协议 (ASPA) 的临时权力,该协议被立案为 ERC 案件编号 2021-056 RC,题为“关于菲律宾国家电网公司 (NGCP) 与 SMCGP 菲律宾能源存储有限公司 (SPESCL) 之间辅助服务采购协议批准申请的事宜”。 (用于调节储备),经临时授权,须遵守以下费率和条件:1. 适用费率:SPESCL 应向 NGCP 提名调节储备 (RR) 容量的相应价格。有效认证证书中指示的 AS 容量应用于 RR 的提名和调度。如果所述提名容量计划用于辅助服务 (AS),则定价如下:a. 未调度能源的计划容量 NGCP 应向 SPESCL 支付该计划容量的相应提名价格,该价格不应超过 AS 证书中指示的容量±20 MW,根据 RR 规定。但是,提名价格在任何情况下都不得超过以下无最低成本费率:
摘要本文提出了一种新的技术,可以在芬费环振荡器的低功率耗散方面提高性能。5阶段环振荡器在FinFET技术的概念下设计。FinFET比普通CMOS技术提供更好的性能。FinFET(Fin Type Field效应晶体管)技术的呈现已在纳米创新中打开了新部分。超薄鳍的布置使抑制的短通道效应可替代单门MOSFET,凭借其出色的静电性能和可比性的可比性易于制造性。降低了亚微米区域的短通道效应并使晶体管仍然可扩展。由于这个原因,与大多数对应物相比,小长度晶体管可以具有更好的内在增益。仿真结果表明,使用FinFET技术对具有0.135MWATT功率和CMOS环振荡器的功率耗散的环振荡器提供0.232 MWATT。i为10.632mA,而FinFet环振荡器可提供0.381mA。关键字:FinFET技术,环振荡器,CMOS技术
。CC-BY-NC-ND 4.0 国际许可(未经同行评审认证)是作者/资助者,他已授予 bioRxiv 永久展示预印本的许可。它是此预印本的版权持有者此版本于 2020 年 1 月 20 日发布。;https://doi.org/10.1101/2020.01.20.912162 doi:bioRxiv 预印本