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CMOS7 抗辐射技术
Sandia 开发了一种结构化 ASIC，它通过使用预先合格的基础阵列，可以实现快速周转、降低非经常性工程 (NRE) 和开发成本，并降低开发风险。结构化 ASIC 是一种使用 ViASIC ® Via-Mask 技术的金属通孔可配置、规则结构状结构。Sandia 的结构化 ASIC 经过分区以实现电源排序和冗余，还允许关闭未使用的晶体管以最大限度地降低功耗、静态电流和光电流。还提供包含封装去耦电容器的选项。目前，已经开发了两个产品平台：Eiger ViArray 数字抗辐射结构化 ASIC 和 Whistler ViArray 混合信号抗辐射结构化 ASIC。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何设备更好的设备匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的设备在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更加坚固耐用。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何器件更好的器件匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的器件在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更坚固耐用。