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适用于 CMP 应用的 Profile® II 过滤器：E63b - Pall Shop
AB1Y00225J 0.2 254 / 10 25 EPR AB2Y00225J 0.2 508 / 20 25 EPR AB1Y0033J 0.3 254 / 10 3 EPR AB2Y0033J 0.3 508 / 20 3 EPR AB1Y0053J 0.5 254 / 10 3 EPR AB2Y0053J 0.5 508 / 20 3 EPR AB1Y0103J 1 254 / 10 3 EPR AB2Y0103J 1 508 / 20 3 EPR AB1Y0303J 3 254 / 10 3 EPR AB2Y0303J 3 508 / 20 3 EPR AB1Y0503J 5 254 / 10 3 EPR AB2Y0503J 5 508 / 20 3 EPR AB1Y1003J 10 254 / 10 3 EPR AB2Y1003J 10 508 / 20 3 EPR AB1Y2003J 20 254 / 10 3 EPR AB2Y2003J 20 508 / 20 3 EPR AB1Y3003J 30 254 / 10 3 EPR AB2Y3003J 30 508 / 20 3 EPR AB1Y4003J 40 254 / 10 3 EPR AB2Y4003J 40 508 / 20 3 EPR
先进直接键合的 HVM CMP 工艺开发
简介 直接键合是一种在室温下自发的电介质-电介质键合，通过低温批量退火工艺（200°C – 300°C）实现金属-金属连接（此处为 Cu-Cu 键合）。因此，直接键合工艺对于异质集成具有吸引力，并且与使用焊料的微凸块键合相比具有多种优势 [1, 2]。此外，对于这种无金属帽键合工艺，互连密度和互连缩放限制较少。该技术可以消除电气短路的风险，因为键合过程中不会有焊料从微凸块中挤出，这对于细间距应用至关重要。通过混合键合成功开发晶圆-晶圆键合，导致该技术迅速引入大批量制造 [3]。混合键合互连在 Cu/Cu 界面处表现出出色的可靠性和稳定的微观结构，这已在最近的研究中发表。[4, 5, 6]
安集科技(688019.SH) 国内CMP抛光液领先企业
在集成电路制造过程中，晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一，化学机械抛光 （ CMP ）、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积（电镀）等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术，专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案，成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
获取CMP和capital-raise- ...
垂直整合的水服务公司Vysarn Limited（ASX：VYS）（Vysarn或Company）宣布，它已签订了具有约束力的股票销售协议（SSA），以收购CMP咨询集团PTY Group Pty Ltd（CMP）（CMP），咨询工程公司，咨询工程公司，一家咨询工程公司，具有特定的重点是对水工业的特定重点。此外，维萨恩（Vysarn）从机构和其他专业和先进的投资者那里收到了公司承诺，单次将大约9,550万份新的全额付款普通股（新股）（新股价）置于新股价，每股0.40美元，以筹集约3820万美元。根据SSA，该公司将从CMP（卖方）控制的三个独立的私人实体中获得CMP中发行股票的100％，以预期现金考虑2400万美元和1000万个普通Vysarn股票。在三年内进一步推迟考虑了3000万股Vysarn股份，在CMP之前，在利息税和折旧（EBITDA）目标之前获得收益。卖方收到的所有Vysarn股票将在发行之日起12个月内在自愿托管中持有。递延考虑股份将在未来的期间发行，公司将寻求股东批准。前期现金对价假定CMP是免费收购债务的，并且在收购完成时具有商定的营运资金水平（完成），预计将在2024年10月31日左右发生，并根据当时的实际债务水平和工作资本进行调整。完成后，CMP将成为Vysarn的全资子公司。CMP收购考虑的现金部分将通过资本筹集资金。以下附录中总结了完成条件和其他材料条款。Vysarn董事总经理兼首席执行官詹姆斯·克莱门特（James Clement）表示，成功收购CMP将是有影响力的，尤其是与公司建议购买废水服务PTY Ltd（WWS）的结合，从2024年9月1日起生效。“这项交易提供了国家规模，专业知识，客户的多样化以及维萨恩成长的重要平台，以及在维多利亚州，新南威尔士州和昆士兰州的一代水基础设施繁荣中一次接触一次。“合并后的公司处于良好的位置，可以从500亿美元的$ 50亿美元中受益，该亿美元专门用于在未来10年内投资于澳大利亚三个人口最多州的水基础设施和项目的投资。“ CMP和WWS交易都符合我们严格的投资标准，即收益积累，并具有一致的管理和资本光业务模型。结合了高质量客户的扩大和多元化的投资组合，维萨恩（Vysarn）的位置很好，可以为股东提供稳定的长期收入增长。”
大马士革与减法线 CMP 工艺用于电阻式存储器交叉开关 BEOL 集成
近年来，电阻式存储器已成为电子领域的一项关键进步，在能源效率、可扩展性和非易失性方面具有众多优势 [1]。这些存储器以其独特的电阻开关行为为特征，非常适合各种应用，从高密度数据存储到神经形态计算 [2]。它们与先进的半导体工艺的兼容性进一步增强了它们的潜力，使其能够无缝集成到现代电子电路中 [3]。电阻式存储器的一个特别有前途的途径在于将其集成在半导体制造的后端 (BEOL) 阶段 [4]。BEOL 集成涉及晶体管制造后发生的工艺，主要侧重于创建电气连接这些晶体管的互连。在此阶段集成电阻式存储器可实现紧凑、高效和高性能的架构，这对于数据存储和处理共置的内存计算应用至关重要 [5]。本文研究了使用化学机械抛光 (CMP) 工艺将基于 TiO x 的电阻式存储器集成到无源交叉阵列结构中的三种方法，重点是确定最佳集成技术。
用于 CMP 后清洗的无氨清洗溶液
摘要 自 2010 年 1 月 1 日起，氨氮是《环境质量法》（EQA）中《工业废水管理条例》中新增的参数之一。根据该条例，工业设施位于集水区上游还是下游，氨氮限值最高限制为 10 ppm 和 20 ppm。然而，由于一些受影响公司的担忧，对于 2010 年之前开始运营的半导体公司，氨氮限值已提高到最初限值的两倍。这一临时限制将放宽至 2020 年 1 月 1 日。氨氮是由晶圆制造行业使用氢氧化铵溶液产生的，特别是在化学机械抛光（CMP）过程中。在 CMP 中，用浆料抛光硅晶圆表面会导致碎屑沉积在晶圆上。抛光后的清洁过程称为 CMP 后步骤。本文重点介绍使用 SpeedFam IPEC (SFI) AvantGaard™ 776 抛光机工具评估 CMP 后清洁效率。CMP 后步骤分为两个阶段，即抛光和擦洗过程。过去的研究人员对 CMP 后清洁进行了研究，但这些研究都无法采用，因为与湿法清洁工艺相比，这些技术在生产规模上不经济，或者所选化学品是氨基的。这项研究的目的是分析抛光和擦洗步骤的清洁效率，并制定一种不含氨的替代溶液，而不会影响清洁效率。研究发现，在抛光步骤中，晶圆上的颗粒被有效去除，去除效率为 99%，特殊配制的酸 SilTerra 清洁溶液 (SCS) 对颗粒和金属的去除能力与氢氧化铵相当，两者都实现了高于 97% 的阳离子和阴离子去除效率。SCS 的独特配方含有过氧化氢、硫酸和添加剂。该化学品是 SilTerra 的专利，由包括通讯作者在内的四位发明人拥有。之所以选择 SCS 进行评估，是因为它含有氧化和溶解污染物的必要成分。在 CMP 后清洗过程中跳过使用化学品的尝试并不理想，因为阴离子去除效率低于 95%。关键词：氨氮、环境和 CMP 后清洗。1. 简介氨氮是衡量废品或废水中氨含量的指标。根据《环境质量法》（工业废水）2009 年法规 [1]，必须对废水废水分析中的氨氮进行监测和报告。