由于碳浓度对于高功率器件至关重要,因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器,以及即将在微电子(高速 FET 和 HEMT 器件)和功率器件(FET 阵列)中应用,到目前为止,砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度(液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”),位错问题已有所缓解。然而,腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化,典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2,以及实现用于高速设备的半绝缘材料(没有高度扩散的补偿铬)所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产(产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片)。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流,它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布(和数量?)。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式,并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。
一个人的人际生活取决于该人的设施,以使他人所知道的思想,感情和需求以及该人对他人与他或她共享类似数据的尝试的接受。交流是一种多方面的现象,是个人为此而努力的结果。可以简单地将通信视为消息的发送和接收,因为必须存在两个要素才能进行交流。但是,发送和接收的消息的基本交易并不能以沟通发生。通常,它仅部分发生或完全被流产,这是由于进行了沟通尝试的情况。这些情况可能是环境,情感,口头技能的,现象学的,或者是由于试图建立联系的个体中存在的许多条件而产生的。类比可能有助于阐明环境对发送和接收消息有效性的影响的概念。在下午晚些时候观察到日落时,太阳通常比中午时看起来更深红,更大,更强烈。这是由于折射现象,光线穿过地球大气时的弯曲以及空气中较高的灰尘密度随着太阳的降落而通过。太阳已经在地平线下方移动了,但是它仍然在视线中,因为它的排放被必须通过的介质的条件扭曲。以类似的方式,我们彼此发送的信息通常会被人际,人际和环境条件折射,这会导致我们与我们有关的气氛。我可能会通过口头和象征性发出混合的消息来扭曲我的信息,并且您可能会因为自己的需求和经验而扭曲所听到的信息。我们两个人可能位于身体和心理的环境中,这有助于清楚地分享我们打算的东西。,我们都可能在交流中过于谨慎。尽管随着时间的流逝,任何两个人或与我们必须与之交往的重要人物之间的时间不太可能是可能的,但从长远来看,会阻止和改变发送和接收的消息的意图的情况可能会产生较少的折磨和更好的沟通。