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e beam光电师PMMA，CSAR标准操作...
聚甲基丙烯酸酯（PMMA）抗性是在学术界和行业中用于高分辨率特征和升降应用的行业标准电子束抵抗。它也可以用于纳米印刷应用以及其他晶圆厂和研发过程，例如石墨烯薄片转移。CSAR是一种高科技抗电子光刻的抗性，它允许在微电子中实施高端应用，例如航空航天行业或高性能计算机。即使是小于10 nm的小结构，也可以通过这种抗性来实现。根据我们的实验室中的应用，使用电子束敏感的抵抗。电子束抗的例子是在氯苯，苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯酚或乙二醇溶剂中稀释的聚甲基丙烯酸酯PMMA。两种溶剂之间的差异有可能稀释至抗抗性的粘度。乙基酯通常用于抗抗性的较薄版本。在暴露过程中，在正音调的情况下，聚合物链会分解，从而导致开发后基质上的空区域。相反，具有负抗性的辐照面积是交叉连接/硬化的，因此开发人员不会攻击它 - 它将仅溶解未暴露的抗性。
机载系统 - 沙漠狼
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真相：可追踪辐射测量技术支撑地面
• TRUTHS 卫星将被发射到高度约为 610 公里的极地非太阳同步轨道。TRUTHS 将测量整个地球：陆地、海洋、冰川和大气层，每 61 天至少访问一次地球上的每个区域。• TRUTHS 将拥有两种主要仪器：• 高光谱成像光谱仪 (HIS) 将连续测量从紫外线到红外线（320-2400 纳米）所有波长范围内的窄光谱带辐射，地球上的空间分辨率为 50 米；• 低温太阳绝对辐射计 (CSAR) 将测量入射太阳能并作为机载“黄金标准”。• TRUTHS 还将拥有一个机载校准系统 (OBCS)，该系统将使用单色仪将阳光分解成不同的波长，以提供从 CSAR 到 HIS 的校准链路——该过程和参考标准模仿了泰丁顿 NPL 实验室在地面上使用的流程和参考标准。
敏捷软件开发— - AFCEA NOVA
人员恢复 C2 ISPAN Msn 规划和分析系统 ISPAN 核规划和执行系统 ISPAN GAP CIE NCR‐IADS 任务规划 CSAR Pedro King C‐sUAS Medusa C2 C2AOS/C2IS 目标瞄准和 GEOINT UC2 AF‐DCGS Phoenix OA‐DCGS DMO DIB 气象数据分析 Cheyenne Mountain CIC2S Legacy SPADOC SPEARR Cobra Dane ADPE 重新托管综合广播服务
适用于 THz HEMT 的可靠 T 门工艺 - Enlighten Publications
最近，具有 25 nm T 栅极的 InP 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 已被证明可在 1.1 THz 下放大 [1]，这使得传统电子设备在太赫兹应用方面比光学设备更具竞争力。尽管积极推动 T 栅极的占用空间变得更短以实现更高的工作频率现已成为热门研究课题，但针对 100 nm 以下 T 栅极的稳健且经济高效的 T 栅极工艺仍然是行业的首要任务。在本文中，我们将展示格拉斯哥大学在超短 T 栅极工艺开发方面的最新进展。该工艺涉及在 PMMA/LOR/CSAR 三层 EBL 光刻胶堆栈上进行单次电子束光刻 (EBL) 曝光。通过仔细控制光刻胶厚度、电子束剂量以及适当的显影剂和显影时间，我们开发了一种可靠且稳健的工艺，用于具有各种脚和头长度的 T 栅极。图 1 显示了 GaAs 半绝缘基板上典型 T 栅极的扫描电子显微镜 (SEM) 图像。与最先进的 T 门工艺[3][4]相比，新工艺具有多项优势，并且有可能将 HEMT 的 THz 操作占用空间进一步缩小至 20 纳米以下。我们将在会议上更详细地阐述该工艺。