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Cu的铜金属膜的原子层沉积（...
摘要：基于Zn的金属的激光粉末床融合（LPBF）具有产生定制的可生物降解植入物的突出优势。然而，在Zn激光熔化期间发生了大规模蒸发，因此调节激光能量输入和气体屏蔽条件以消除LPBF过程中蒸发烟雾的负面影响成为一个关键问题。在这项研究中，建立了两个数值模型，以模拟扫描激光与Zn金属之间的相互作用以及屏蔽气流与蒸发烟雾之间的相互作用。第一个模型通过将蒸发对能量，动量和质量的保护作用进行影响，预测了不同激光输入的蒸发率。以蒸发速率作为输入，第二个模型通过采取气体循环系统的效果，包括几何设计和流量速率，预测了在屏蔽气流的不同条件下蒸发烟雾的消除效果。在涉及足够激光输入和优化的屏蔽气流的情况下，在LPBF过程中，蒸发烟雾有效地从加工室中删除。此外，通过比较纯锌和钛合金的LPBF来讨论表面质量致密性的影响。已建立的数值分析不仅有助于找到基于Zn的金属LPBF的足够激光输入和优化的屏蔽气流，而且还有益于理解LPBF工艺蒸发的影响。
等温时效过程中Cu/Al金属间化合物及铜球键合处裂纹的生长行为
在微电子领域，铜线越来越多地代替金线用于制作键合互连。在这些应用中使用铜有许多潜在的好处，包括更好的电气和机械性能以及更低的成本。通常，导线键合到铝接触垫上。然而，人们对导线/垫界面处 Cu/Al 金属间化合物 (IMC) 的生长了解甚少，如果过度生长，会增加接触电阻并降低键合可靠性。为了研究 Cu 球键合中 Cu/Al IMC 的生长，在 250 C 下高温老化长达 196 小时，以加速键合的老化过程。然后记录了 Cu/Al IMC 的生长行为，并获得了 6.2 ± 1.7 · 10 14 cm 2 /s 的 IMC 形成速率。除了垂直于键合界面的常规 yz 平面横截面外，还报告了平行于界面层的 xy 平面横截面。在光学显微镜下，在球键合 xy 平面横截面上，Cu/Al 界面处有三层 IMC 层，它们的颜色不同。微 XRD 分析结果证实，Cu 9 Al 4 和 CuAl 2 是主要的 IMC 产物，而发现第三相，可能是 CuAl。在老化过程中，IMC 膜从键合外围开始生长，并向内传播至中心区域。随后，随着老化时间的增加，在 IMC 层和 Cu 球表面之间观察到空洞，也是从键合外围开始。空洞最终连通并向中心区域发展，导致球和金属间层之间几乎完全断裂，这是 81 小时后观察到的。2007 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
复杂结构 Cu 26 V 2 Sn 6 Se 32 中的超低晶格热导率
CVS-Se 32 和 CVS-Se 30 S 2 的 (κ l )。(c) Cu 基复合晶体中 κ l 随晶胞体积 (V c ) 的变化
屏幕打印的柔性热电发电机，带定向热收集设计
使用SN-3AG-0.5 Cu合金将BI 0.5 SB 1.5 TE 3热电（TE）元件直接焊接到Cu电极。界面是声音，粘结强度令人满意（8.6 MPa）。然而，在150 C的高温存储（HTS）测试中，焊料层迅速耗尽了300 h和600 h，粘结强度大幅降至1.5 MPa。通过在TE元件上的电压层电压层进行电镀，尽管导致低粘结强度为1.9 MPa。在BI 0.5 SB 1.5 TE 3元件上添加富含SN的薄膜和Ni屏障层导致高粘结强度为12.1 MPa，仅在150°C的HTS可靠性测试1000 h后仅略微降低。 BI 0.5 SB 1.5 TE 3 / CU接头的声音接口即使在175 C下HTS后仍保持其稳定性1000 h。
通过dosprosium（DY3+）掺杂
Tuning structural, electrical, dielectric, and magnetic properties of Mg-Cu-Co ferrites via dysprosium (Dy 3+ ) doping Maria Akhtar a , M. S. Hasan b , Nasir Amin a , N. A. Morley c , Muhammad Imran Arshad a * a Department of Physics, Government College University, Faisalabad, 38000, Pakistan.B物理系，拉合尔大学，拉合尔1公里，拉合尔路1公里，巴基斯坦54000。 c材料科学与工程系，英国谢菲尔德大学，S1 3JD。 *通讯作者：miarshadgcuf@gmail.comB物理系，拉合尔大学，拉合尔1公里，拉合尔路1公里，巴基斯坦54000。c材料科学与工程系，英国谢菲尔德大学，S1 3JD。 *通讯作者：miarshadgcuf@gmail.comc材料科学与工程系，英国谢菲尔德大学，S1 3JD。*通讯作者：miarshadgcuf@gmail.com
Na2Mn3O7层状结构中Cu掺杂效应的研究...
近年来，钠离子电池 (SIBs) 因其丰富的地球资源、环境友好、成本低以及高能效而受到广泛关注。与锂离子电池相比，不断发展的先进正极在提高 SIB 性能方面发挥着关键作用。层状过渡金属氧化物 NaxMO2（M = Co、Mn、Fe、Ni 等）由于组成多变、活性中心丰富以及电化学性能良好而成为 SIB 有前途的正极之一。在这些层状过渡金属氧化物中，层状氧化锰基材料因锰无毒、前体价格便宜以及高容量而受到关注。为了提高 SIB 的性能，金属原子掺杂在层状正极中得到了广泛的研究。通过掺杂可以提高结构稳定性和容量保持率。
在925 K的表面温度下，H2在Cu上的量子动力学：将最新理论与最新实验进行比较2
分析了使用静态波纹模型在热扭曲的Cu（111）表面上进行H 2解离化学吸附的最新的6D量子动力学模拟，分析了静态波纹模型，以产生多种（实验可用的）可观察结果。在几个不同的网格上使用波袋以及两种不同的分析方法，在实验表明慢速反应通道占主导地位的区域中，使用波袋以及两种不同的分析方法来定量预期误差，尤其是对较低反应概率的重要误差。显示出不同热扭曲的表面板的最低反应屏障位点不仅在能量上是在能量上，而且在几何学上是在表面构型之间不同的，这些反应板在表面构型之间也有所不同，这些反应表面构型在包括表面温度效应时可用于解释几种动态效应。直接组合模拟的飞行时间光谱与从最先进的解吸实验获得的光谱与完美的晶格老板方法相比，一致性大大改善。与实验旋转和振动效率的一致性一致，当在理论模型中包括热激发表面时，也有所提高。最后，我们介绍了针对较低旋转激发态的旋转四极比对参数中明显的量子效应，这强调了该系统的仔细量子动力学分析的重要性。
幻灯片——倒装芯片凸块电迁移可靠性的比较——铜柱、高铅、SnAg 和 SnPb 凸块
倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块） 倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块）