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新冠疫情爆发以来英格兰心血管疾病超额死亡人数：分析与解释
世界卫生组织将“根本死因”定义为：“引发一系列直接导致死亡的病态事件的疾病或伤害，或导致致命伤害的事故或暴力情况”。1 这一定义包含在英格兰和威尔士医生填写国家统计局 (ONS) 颁发的《死亡原因医学证明书》指南中。2 ONS 在编码死亡原因的过程中，会将根本死因分配给每例死亡病例。这通常是认证人员在死亡原因医学证明书第 1 部分的最底行记录的状况（例如，1c 导致 1b 导致 1a）。但是，情况并非总是如此，例如当死亡证明书填写不正确时（例如，如果一行中有多个原因，且没有顺序指示），或者对于正确填写的证明书，存在特定状况、组合或情况时。在这些情况下，ONS 采用一套选择和修改规则来确定根本死因。有关这些内容的更多详细信息，请参阅国家统计局死亡率统计用户指南第 9 部分。3
第1集 - 通往ASCVD处理的路线图
在尚未发生心血管事件并且风险升高但尚未确定的ASCVD的患者中。现在，通常这些将是有益的，但可能对降低胆固醇水平的降低可能不足以降低风险充分。肯定在已经发生心血管事件的患者中，药物的使用将变得更加重要，因为对这些患者的生活方式修饰可能不够，并且使用药理学剂的使用也可以改善其在以上和超越之外的结果，从而通过生活方式修改来实现。具体来说，要回答您的问题，就一线疗法而言，这里相关的药理学是使用他汀类药物来降低胆固醇。是 - 市场上有各种不同的标准药物。他们都有好处，有不同程度的效力和不同程度的收益。鉴于任何给定患者的风险程度，应在患者及其各个提供者之间就适当的他汀类药物进行的对话进行对话。
p-SiC® 固体 SiC CVD 纯化等静压石墨多孔...
在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中，保持在特定温度下的源材料会升华，其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶，在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境，使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。
心血管疾病（CVD）和未满足的医疗需求（...
如果欧盟希望在CVD领域保持创新驱动和竞争力，并确保其战略性开放自主权，更好地促进研发以及对患者的访问的考虑，即使在创新的增长情况下，也是关键的。欧盟应建立一个激励措施，以奖励CVD领域，其中包括适当的估值，对替代终点的考虑，患者报告的结果和生活质量指标。
使用雾化 CVD 面对面加热板制备 Ga2O3 薄膜
摘要：本文研究了利用廉价的细通道雾化CVD面对面加热板在c面蓝宝石衬底上生长α-Ga2O3薄膜的方法。由于高温会导致反应器变形，传统的细通道雾化CVD设备采用价格昂贵的抗变形AlN陶瓷作为反应器制作材料，限制了其推广和研究。本文采用面对面加热方式替代传统的单面加热方式，降低了对设备密封性的要求，因此可以用廉价的石英代替昂贵的AlN陶瓷制作反应器，大大降低雾化CVD设备的成本。研究了衬底温度和载气对α-Ga2O3薄膜晶体质量和表面形貌的影响。通过优化制作条件，获得了三角形晶粒，其边缘在原子力显微镜图像中清晰可见。通过吸收光谱分析，我们还发现该薄膜的光学带隙达到了5.24 eV。最后，我们在X射线衍射图中记录到了α-Ga 2 O 3 (0006)衍射峰的半峰全宽值为508角秒。
CVD预防奖学金项目案例研究
当我最初见到他时，患者的收缩压超过200，舒张压高于100。最初，他不愿接受BP药物，因为他担心药物的潜在副作用，并且不了解高血压的长期影响。在解决了他的恐惧之后，分享了有关不受控制的高血压风险的信息，并放心，如果药物引起问题，我们将在这里支持和帮助他（即可以停止并切换到替代方案），我们开始了BP药物。我很高兴再次见到他时，尽管由于他的工作承诺而遇到了一些挑战，但他仍定期服用BP药物，而BP则在正常范围内。他感谢我的支持，我很高兴能够提供帮助。
热级多晶 CVD 金刚石
通过将我们的热管理生长工艺与世界一流的光学制造设施相结合，Coherent Advanced Materials 可以提供激光加工、光学抛光的热材料，以满足弯曲、翘曲和表面粗糙度规格，从而确保与您的高功率设备实现最佳热接触。除了生长和制造之外，我们的员工还随时准备通过使用内部计量技术（例如灯闪光热扩散率测量和 SEM）以及热模型与客户合作，以设计特定应用的解决方案。
通过模拟引导 CVD 碲化实现 MoTe2 纳米片的大面积生长和相选择
在二维材料中，过渡金属二硫属化物 (TMD) 因其优异的性能而备受关注。[1,2] TMD 的化学式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属原子（例如 Mo、W），X 代表硫属原子（例如 S、Se、Te）。[2,3] 与其他 TMD 相比，二碲化钼 (MoTe 2 ) 因其工艺可调的同素异形相，即金属 1T' 和半导体 2H 相，最近引起了强烈的研究兴趣。 [4,5] 1T'相具有正交结构，也是获得优异拓扑性质的前兆阶段，并且在单层和多层水平上作为量子自旋霍尔效应的宿主以及在单斜 T d 相中作为原始 1T'相的低温畸变而出现的 II 型 Weyl 半金属态具有特殊的意义。[6,7] 随着厚度的减小，MoTe 2 表现出从间接到直接的带隙跃迁，而其带隙相对其他 TMD 较低 [8,9]，范围从块体的 0.8 eV 到单层极限的 1.1 eV。[10] 此外，由于 1T'-MoTe 2 的电导率远高于 2H 相，1T'相在固态电池电极、电化学电容器和氢析出反应方面很有前景。 [11] 另一方面，2H-MoTe 2 由于其带隙小、吸附性强、热导率低等特点，在纳米技术中具有作为二维层状材料的潜力。[10,12] 由于两种同素异形相之间的能量差异很小，MoTe 2 成为研究相变特性的独特模型材料，具有许多相关应用，如微电子领域的二维非挥发性存储器件和忆阻器。[13,14] 此外，由于 2H-MoTe 2 具有高载流子迁移率、光学透明性、薄结构和化学稳定性，它是场效应晶体管、光电子学、储能、化学和生物传感等应用的合适候选材料。[15,16] 作为一种有前途的材料，清晰的理解和可重复的生长方法对于将 MoTe 2 从实验室水平提升到生产水平至关重要。传统上，可以通过机械剥离、物理
在 CVD 石墨烯上无种子层沉积高 k 电介质以增强栅极控制能力
摘要：栅极绝缘体是决定石墨烯场效应晶体管 (GFET) 性能的最重要因素之一。栅极电压对导电通道的良好静电控制需要较薄的栅极氧化物。由于缺乏悬挂键，通过原子层沉积 (ALD) 工艺生长的栅极介电膜通常需要种子层。种子层可实现介电膜的高质量沉积，但可能导致最终介电膜厚度大幅增加。针对该问题，本文提出了一种改进工艺，在原子层沉积之前使用蚀刻溶液去除自氧化的 Al 2 O 3 种子层，Al 2 O 3 残留物将提供石墨烯表面的成核位点。受益于电介质膜厚度的减小，与使用标准 Al 蒸发种子层方法的 GFET 相比，使用此方法作为顶栅电介质膜沉积工艺的 GFET 的跨导平均增加了 44.7%。
通过脉冲注射MOCVD生长的纳米结构型锰膜：调整传感器应用的低场和高视野磁磁特性
摘要：LA 0.83 SR 0.83 SR 0.17 MN 1.21 O 3（LSMO）膜的巨大磁磁性（CMR）性能的结果提出了脉冲注射MOCVD技术在各种基板上生长的膜。在切开的单晶石英，多晶Al 2 O 3上生长的厚度为360 nm和60 nm的纤维，以及无定形的Si/SiO 2底物，纳米结构均具有圆柱形的晶体形晶体形成，呈圆形的晶体形状，垂直于LM平面。发现薄膜的形态，微观结构和磁化特性在很大程度上取决于所使用的底物。与其他底物上生长的纤维相比，LSMO/Quartz的低温（25 K）在低温（25 K）中显示出更高的值（-31％在0.7 t时）（-15％）。与在没有其他绝缘氧化物的文献中发表的锰矿文献中发表的结果相比，该值很高。在80 K时测量高达20 t的高级MR也是LSMO/Quartzfim（-56％）的最高MR，并且证明了最高灵敏度S = 0.28 V/T时B = 0.25 T（电压供应2.5 V），这对于磁性传感器应用来说是有希望的。已证明MN过量的Mn/（LA + SR）= 1.21将纤维的金属隔离器过渡温度提高到285 K，从而使磁性传感器的操作温度升高高达363K。这些结果使我们能够在磁性磁性和时间范围内使用预定范围的CMR传感器制造CMR传感器。