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绿色 CVD-迈向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021)，绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，39(5)，051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
学生抗议活动成功推迟了新法律
我们根据使用正交测试设计的CFD仿真，研究了ALN生长的高温MOCVD（HT-MOCVD）数值模型的过程参数。据信，高温生长条件有利于提高ALN膜的效率和结晶质量，而HT-MOCVD反应器中的流场与过程参数密切相关，这将影响膜的均匀性。建立了一个独立开发的概念HT-MOCVD反应器，以进行ALN生长以进行CFD模拟。为了系统地和有效地评估参数在生长均匀性上的作用，使用正交测试设计分析了基于CFD模拟的过程参数。The advantages of the range, matrix and variance methods were considered and the results were analyzed comprehensively and the optimal process parameters were obtained as follows, susceptor rotational speed 400 rpm, operating pressure 40 Torr, gas flow rate 50 slm, substrate temperature 1550 K.
提高了CVD双层MOS2字段中的低频噪声...
在MOS 2效应晶体管中，与迁移率或数量依赖性关系相关的电流或电压闪烁是由低频噪声的特征。这种噪声通常可用于评估基于MOS 2的电子设备的应用限制。在这项工作中，通过化学蒸气沉积（CVD）生长的单晶双层MOS 2的低频噪声特性是系统地进行投资的，并发现与基于单层MOS 2通道的低频噪声MOS 2相比，可提供显着的性能改进。在F¼100Hz时，归一化的漏极电流功率频谱密度（S I / I D 2）为2.4 10 10 Hz 1和BiLayer和Monolayer MOS 2转换器分别为3.1 10 9 Hz 1。McWhorter的载流子数量流量模型可以准确地描述1晶体管类型，这表明载流子捕获和通过介电缺陷捕获和去捕获是CVD MOS 2晶体管中1/ F噪声的主要机制。此外，在VBg¼3V时，通过使用后场电压降低了双层MOS 2晶体管的接触电阻，从而在VBg¼3V时实现了最小的WLS I / I D 2的3.1 10 10 L m 2 / hz（其中W是栅极宽度，L是栅极长度）。这些结果表明，CVD双层MOS 2是未来大规模2D-Sementemondoctor的电子应用，具有提高噪声性能的有前途的候选者。
多层 CVD-石墨烯和 MoS2 乙醇传感和...
摘要 基于 Kretschmann 的表面等离子体共振 (K-SPR) 传感器采用等离子体金 (Au) 层上的多层石墨烯和二硫化钼 (MoS 2 ) 结构进行乙醇检测。在这种配置中，最小反射率与 SPR 角度的 SPR 光谱用于确定灵敏度、检测精度和质量因数作为主要品质因数 (FOM)。石墨烯和 MoS 2 均用作混合检测层，以使用有限差分时间域 (FDTD) 增强乙醇传感性能。多层石墨烯/Au 和 MoS 2 /Au 传感器在 785 nm 光波长下的最大灵敏度分别为 192.03 ◦ /RIU 和 153.25 ◦ /RIU。在使用 K-SPR 技术进行材料表征方面，在金上化学气相沉积 (CVD) 生长的石墨烯厚度为 1.17 nm，在光波长为 670 nm 和 785 nm 时实折射率和虚折射率分别为 2.85、0.74 和 3.1、1.19。
采用 MOCVD 在硅上外延大面积 Sb2Te3 薄膜
必须充分利用它们的物理特性并成功实现器件，例如各种成功的 III-V 半导体器件 40,41 ——最终目标是外延和单晶生长。Sb2Te3（以及其他拓扑绝缘体，如 Bi2Te3 和 Bi2Se3）的外延膜已通过分子束外延工艺直接生长，29,30 该技术在批量生产中显示出其局限性。另一方面，化学气相沉积技术存在形态控制不佳的问题，我们专门研究了 MOCVD 在这方面的研究。 TI 生长中常用的衬底，例如 Si(100)、Si(111) 和 Al 2 O 3 (0001)，与 Sb 2 Te 3 (以及一般的 TI) 存在明显的晶格失配，因此在存在旋转畴的情况下，会生长为取向性较差的多晶层 23,32 – 34 ，只有少数例外 42,43
创新的卷对卷 CVD 石墨烯技术
Y.- S. Kim、TH. Kim、WB Park、JS Moon、JH Roh、MH Jung、JW Sung 先进材料团队、材料与设备高级研究中心 LG 电子公司
CVD Bernal 堆叠双层石墨烯中的可调 1/f 噪声...
摘要：低频噪声是几乎所有电子系统中限制性能的关键因素。凭借其极高的电子迁移率等优异特性，石墨烯在未来的低噪声电子应用方面具有很高的潜力。本文，我们对基于化学气相沉积 Bernal 堆叠双层石墨烯的双栅极石墨烯晶体管中的低频噪声进行了实验分析。制备的双栅极双层石墨烯晶体管分别采用原子层沉积的 Al 2 O 3 和 HfSiO 作为顶栅极和背栅极电介质。结果揭示了明显的 M 形栅极相关噪声行为，可以用定量电荷噪声模型很好地描述。在室温下，10 Hz 下的最小面积归一化噪声谱密度低至约 3 × 10 − 10 μ m 2 · Hz − 1，远低于之前报道的石墨烯器件的最佳结果。此外，在 20 K 温度下，观察到的噪声水平进一步降低了 10 倍以上。同时，噪声谱密度幅度可以在 20 K 时通过双栅极电压调整超过 2 个数量级。关键词：Bernal 堆叠双层石墨烯，双栅极晶体管，1/f 噪声，电荷噪声模型，低温■引言
CVD锌Selenide®CO2激光光学| IR应用程序CVD锌Selenide®CO2激光光学| IR应用程序
化学蒸气沉积的CVD锌硒尼德®是首选的材料，作为在高功率CO 2激光器中用作光学成分的材料，这是由于其低散装吸收在10.6微米时。其折射均匀性和均匀性的索引提供了出色的选择性性能，可作为保护窗口或高分辨率向前外观（FLIR）热成像设备的光学元素。该材料也已用作医疗和工业应用中的小窗户和镜头，例如热元和光谱法。cvd锌硒化®是化学惰性的，非Hygromocopic，高度纯净的，理论的，易于加工。由于吸收和散射，它具有极低的体积损失，对热冲击具有很高的抵抗力，并且在几乎所有环境中都是稳定的。可以根据您的规格制作自定义直径，矩形，CNC式空白，生成的镜头空白，棱镜和近网状形状圆顶。
CVD 硫化锌® | Cleartran® VIS/IR 应用
CVD Ceramics 的化学气相沉积 CVD 硫化锌 ® 是红外窗口、圆顶和光学元件的低成本替代品。硫化锌的断裂强度是硒化锌的两倍，而且硬度高，已成功用于许多需要机械抗恶劣环境的军事应用。Cleartran ® 是一种 CVD 硫化锌 ® 材料，通过后沉积热等静压工艺进行改性。该工艺从晶格中去除氢化锌，使晶体结构正常化并净化材料，所有这些都有助于在可见光至远红外范围（0.35 -14 微米）内实现单晶般的透射率。由于其在宽传输范围内的低吸收和散射以及高光学质量，它特别适合需要单个孔径用于多个波段光束路径的多光谱应用。 CVD Zinc Sulfide ® 和 Cleartran ® 具有化学惰性、不吸湿、高纯度、理论上致密且易于加工。可根据您的规格定制直径、矩形、CNC 异形毛坯、生成的镜片毛坯、棱镜和近净形圆顶。