建议引用引用引文Negrao,Marcelo V; Araujo,Haniel A; Lamberti,朱塞佩;库珀(Alissa J); Akhave,尼尔S;周,滕;卢克(Delasos),卢克(Luke);希克斯(J Kevin); Mihaela Aldea; Minuti,Gabriele;海因斯,雅各比; Aredo,Jacqueline V;丹尼斯,迈克尔·J; Turja的Chakrabarti;斯科特,苏珊C; Bironzo,Paolo; Scheffler,Matthias; Christopoulos,Petros; Stenzinger,阿尔布雷希特;瑞斯(Ries),乔纳森(Jonathan W);金,所以Yeon; Goldberg,Sarah B; Li,Mingjia;王,气;清,Yun; ni,ying;做,Minh Truong;李,理查德;里奇蒂,生活; Aless,Joao Victor;王,王;尊敬,bley;洛伦扎·兰迪; Tseng,Shu-Chi; Nishino,Mizuki; Digumarthy,Subba R; Rinsurirangkakong,Waree; Rinksurongkaw,Vadeerat; Vaporciyan,Ara Ara; Blumenschein,George R;张,江;欧文,德怀特H; Blakely,Collin M;吉安尼斯山; Shu,Catherine A; Bestvina,Christine M;加拉西斯,玛丽娜·奇亚拉(Marina Chiara); Marrone,克里斯汀·A;格雷,贾纳尔·E;帕特尔(Patel),桑迪普·普拉文(Sandip Pravin);卡明斯,艾米·L; Wakelee,Heather A;狼,尤尔根; Scagliotti,Giorgio Vittorio;费德里科·卡普佐(Cappuzzo); Barlesi,Fabrice;桶,松鼠D; Drussky,Leylah;吉本斯,唐·L; Mericbernsam,Funda; Lee,J Jack; Heymach,John V;洪,大卫S;抢劫,丽贝卡(Rebecca); Awad,Mark M;以及Skoulis,Ferdinandos,“高级NSCLC中的合作和KRASG12C抑制剂疗效”(2023年)。教职员工和学生出版物。1423。https:// distalCommons
推荐读数1。J.D.ryder:网络,线和字段2。J. Millman和C. Halkias:综合电子3。J.D.Ryder:电子基本和应用4。J.肯尼迪:电子通信系统5。J. Millman和A. Grabel:微电子6。B.G. Streetman,S。Banerjee:固态电子设备7。 G.F.诺尔:辐射,检测和测量8。 sedra和Smith:微电子设备9。 taub and Schilling:数字集成电子10。 S.Y. LIAO:微波设备和电路11。 H.J. 帝国:微波原则12。 P. bhattacharyya:半导体光电设备13。 S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)B.G.Streetman,S。Banerjee:固态电子设备7。G.F.诺尔:辐射,检测和测量8。 sedra和Smith:微电子设备9。 taub and Schilling:数字集成电子10。 S.Y. LIAO:微波设备和电路11。 H.J. 帝国:微波原则12。 P. bhattacharyya:半导体光电设备13。 S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)G.F.诺尔:辐射,检测和测量8。sedra和Smith:微电子设备9。taub and Schilling:数字集成电子10。S.Y. LIAO:微波设备和电路11。 H.J. 帝国:微波原则12。 P. bhattacharyya:半导体光电设备13。 S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)S.Y.LIAO:微波设备和电路11。H.J.帝国:微波原则12。P. bhattacharyya:半导体光电设备13。S.M. sze:半导体设备的物理学14。 Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。 A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)S.M.sze:半导体设备的物理学14。Boylestad和Nashelski:电子设备和电路理论15。A. D. Helfrick和W. D. Cooper:现代电子仪器和测量技术(印度Prentice Hall)
Arup Banerjee 博士 banerjee 教授 Mukesh Joshi 博士 mukesh 教授 JAChakera 博士 chakera 教授 Satya Ram Mishra 博士 srm 教授 Aparna Chakrabarti 博士 aparna 教授 密度泛函理论 合金、氧化物和二维材料 (1) 基于 Heusler 合金的磁隧道结的电子和传输特性:第一性原理研究;计算材料科学,216,111582 (2023);(2) 揭示 Co1+xMnSb Heusler 合金中的超结构排序及其对结构、磁性和电子特性的影响;Phys. Rev. B 105, 184106 (2022);(3) 研究 CoMnSb 超结构的结构、磁性和电子特性:DFT 研究;计算材料科学,210,111441 (2022); (4) 半 Heusler 硫族化合物的力学、晶格动力学、电子和热电性质研究:DFT 研究;固体物理与化学杂志,167,110704 (2022); (5) 间接带隙 AlGaAs 中 X 谷电子自旋弛豫中线性 k 向 Dresselhaus 分裂的特征;物理评论 B 104,115202 (2021); (6) Ni2MnGa(001) 表面 Cr 吸附层的表面终止和厚度相关磁耦合:从头算研究;磁学与磁性材料杂志,540,168398 (2021); (7) 从第一性原理计算研究 H2、CO 和 NO 气体分子在硫化钼和硫化钨单层上的吸附; Surface Science, 714, 121910 (2021); (8) 裂变气体原子 Xe 和 Kr 在用 3d 过渡金属功能化的 MoS2 单层上的吸附的从头算研究;Journal of Physical Chemistry C, 125(2), 1493 (2021); (9) 探究 CoxTaZ(Z = Si、Ge、Sn 和 x = 1、2)的马氏体转变和热电性质:基于密度泛函理论的研究;Journal of Physics - Condensed Matter, 33(4), 045402 (2020); (10) 高性能锂离子
J n Sengupta博士(校长,M.Sc(Double) d)Sahana Sengupta教授(M.Sc(Double),M.Phil,攻读博士学位)B.B. 博士 Jana(邮政博士,博士,卡利亚尼大学),卡利亚尼大学)R.Sett教授(Post Doc,Phd,Phd,M.Sc)B.C Ghosh博士(Post Doc,Phot dop,Phd,Phd,Retd iit,Kharagpur)教授RK Ghosh教授RK Ghosh博士(RK GHOSH博士) Senapati(博士学位, Phil,Vidyasagar教授,SKBU)PP Sharma博士(MB,MBBS)S Bera博士(MD,MBBS) 健康政府。 W.B)S Majumder博士(PT医生)Sulagna Mondal教授(MMLT,BMLT) (M.SC)D Mukherjee教授(攻读博士,马萨诸塞州)R Khatun教授(攻读博士学位,M.A,UGC Net)R Chatterjee教授(M.Sc,Ramakrishna Mission)A Nandi教授A Nandi(M.Sc,Ramakrishna Mission)(Ramakrishna Mission) JANA(攻读博士学位,硕士医学生物技术)Paul A Paul(M.Sc,Ramakrishna Mission)教授S Manna(M.Sc double)A Basak教授(M.Sc,Ramakrishna Mission)教授A Hazra(M.Mlt,B.Mlt)J n Sengupta博士(校长,M.Sc(Double)d)Sahana Sengupta教授(M.Sc(Double),M.Phil,攻读博士学位)B.B.Jana(邮政博士,博士,卡利亚尼大学),卡利亚尼大学)R.Sett教授(Post Doc,Phd,Phd,M.Sc)B.C Ghosh博士(Post Doc,Phot dop,Phd,Phd,Retd iit,Kharagpur)教授RK Ghosh教授RK Ghosh博士(RK GHOSH博士) Senapati(博士学位,Phil,Vidyasagar教授,SKBU)PP Sharma博士(MB,MBBS)S Bera博士(MD,MBBS)健康政府。W.B)S Majumder博士(PT医生)Sulagna Mondal教授(MMLT,BMLT) (M.SC)D Mukherjee教授(攻读博士,马萨诸塞州)R Khatun教授(攻读博士学位,M.A,UGC Net)R Chatterjee教授(M.Sc,Ramakrishna Mission)A Nandi教授A Nandi(M.Sc,Ramakrishna Mission)(Ramakrishna Mission) JANA(攻读博士学位,硕士医学生物技术)Paul A Paul(M.Sc,Ramakrishna Mission)教授S Manna(M.Sc double)A Basak教授(M.Sc,Ramakrishna Mission)教授A Hazra(M.Mlt,B.Mlt)
l痛苦已知英语,乌尔都语,印地语,马拉地语,阿拉伯语,韩国人,日本人当选的p ublications s aloni s harma,s hreeya r ane,s hubhda s rivastava,Z。A.A NSARI , D IBAKAR R OY C HOWDHURY , B IPIN K UMAR G UPTA , E LECTRONICALLY T RIGGERED T UNABLE T ERAHERTZ S IGNAL O BSERVED I N LPCVD-G ROWN S INGLE L AYER G RAPHENE , A CCEPTED I N J OURNAL O F M ATERIALS C HEMISTRY C, RSC, D3 TC 03173 J .Sharma,S.,Chauhan,P.,Rane,S.,Raj,U.,Srivastava,S.,Ansari,Z.A.,Roy Chowdhury,D.库马尔·帕特尔(Kumar Patel),医学博士Azahar Ali,MD。Zafaryab,Ved Varun Agrawal,M。MoshahidAlam Rizvi,Z.A. Ansari,S。G. Ansari,Bansi D. Malhotra,生物相容性的纳米结构化氧化镁含量,用于进行Genosomsing应用,生物传感器和生物选择。Soumyananda Chakraborti,Prachi Joshi,Devlina Chakrabarty,Virendra Shanker,Z.A。Ansari,Surinder P. Singh,Piank Chakrabarti,聚乙烯氨基胺官能化的ZnO纳米颗粒与牛血清白蛋白的相互作用,Langmuir 28(2012)11142-11152。Z.A.Ansari,T。Arai。 M. tomitori,通过扫描隧道显微镜观察到的SI(111)-7×7的GE簇的初始生长的低升华阐明。 修订版 b 79(2009)033302。 Z. A.Ansari,T。Arai,M。Tomitori,AFM Si尖端,带有GE簇,能够通过加热来恢复,纳米技术18(8)(2007)(2007)084020。 Z.A. Ansari,T。Arai。 物理。 Lett。 88(2006)171902。Ansari,T。Arai。M. tomitori,通过扫描隧道显微镜观察到的SI(111)-7×7的GE簇的初始生长的低升华阐明。修订版b 79(2009)033302。Z.A.Ansari,T。Arai,M。Tomitori,AFM Si尖端,带有GE簇,能够通过加热来恢复,纳米技术18(8)(2007)(2007)084020。Z.A.Ansari,T。Arai。 物理。 Lett。 88(2006)171902。Ansari,T。Arai。物理。Lett。 88(2006)171902。Lett。88(2006)171902。M. tomitori,GE原子在Si上的初始吸附位点的温度依赖性证据(111)-7×7,Appl。Z.A.Ansari,T。Arai。 M. tomitori,GE簇的六边形排列在SI(111)-7x7的模板上进行自组织(通过扫描隧道显微镜,表面SCI观察到)。 Lett。,574(2005)L17-L22。 Z.A. ansari,kwangpyoo hong,chongmu lee,的结构和电气Ansari,T。Arai。M. tomitori,GE簇的六边形排列在SI(111)-7x7的模板上进行自组织(通过扫描隧道显微镜,表面SCI观察到)。Lett。,574(2005)L17-L22。Z.A.ansari,kwangpyoo hong,chongmu lee,
社会。最重要的是,迄今为止,针对这一系列致残或限制生命的疾病,获得许可的治疗方法极其有限(Chinnery,2015;Viscomi 等人,2023)。线粒体疾病的治疗方法包括对症治疗以改善生活质量或延长寿命,以及基因治疗以减少异质体并治愈细胞生化缺陷。对症治疗包括操纵线粒体的细胞含量、通过雷帕霉素诱导线粒体周转、恢复 NAD + 水平、调节活性氧的产生和氧化应激等(Russell 等人,2020)。基因治疗包括直接编辑线粒体基因组、基因替代疗法(Silva-Pinheiro 等,2020;Ling 等,2021)和线粒体移植疗法(Green field 等,2017)。基因编辑技术作为一种潜在的治疗选择,在过去十年中已在核遗传疾病的治疗中得到广泛研究(Sharma 等,2015;Nelson 等,2016;De Ravin 等,2017;Zheng 等,2022),越来越多的临床试验正在进行中(Arabi 等,2022)。然而,由于缺乏有效的工具来操纵 mtDNA( Silva-Pinheiro 和 Minczuk,2022 年),其在由 mtDNA 突变引起的线粒体疾病中的意义受到阻碍,除非通过锌指融合( Minczuk et al., 2008; Gammage et al., 2014; Gammage et al., 2016a; Gammage et al., 2016b; Gammage et al., 2018b )或 TALE 融合的 fokI 核酸酶( Bacman et al., 2013; Reddy et al., 2015; Bacman et al., 2018; Pereira et al., 2018; Yang et al., 2019)或 TALE 融合的 fokI 核酸酶( Bacman et al., 2013; Reddy et al., 2015; Bacman et al., 2018; Pereira et al., 2018; Yang et al., 2019)切割和消除有害的 mtDNA 拷贝。线粒体DNA碱基编辑技术目前已发展成为生物技术中最常用的编辑技术之一(Pereira et al., 2018),以及基于TALE系统的单体酶(Pereira et al., 2018)。近年来,基于TALE的线粒体DNA碱基编辑工具陆续被引入,第一种是DddA衍生的胞嘧啶碱基编辑器(DdCBE)(Mok et al., 2020),它为按预期操纵线粒体DNA打开了大门。DddA系统来源于伯克霍尔德菌,DdCBE由两半无毒的TALE融合分裂DddA(DddA-N和DddA-C)组成,通过将这两半分裂的DddA重新组装成功能性脱氨酶,催化间隔区域内的胞嘧啶脱氨。目前,DdCBE 已成功应用于植物 (Kang et al., 2021)、哺乳动物细胞 (Mok et al., 2020)、斑马鱼 (Guo et al., 2021)、小鼠 (Lee et al., 2021; Lee et al., 2022a; Guo et al., 2022)、大鼠 (Qi et al., 2021) 甚至人类生殖细胞 (Wei et al., 2022a; Chen et al., 2022) 的线粒体 DNA 编辑。在我们的实验室中,它还已成功用于小鼠早期卵泡阶段的有效生殖系线粒体 DNA 编辑(已提交数据)。不幸的是,它在挽救线粒体疾病方面的应用极其罕见,无论是用于治疗研究(Silva-Pinheiro 等人,2022 年)还是用于临床试验(Chen 和 Yu-Wai-Man,2022 )。众所周知,潜在基因编辑结果的可预测性对于基因编辑技术在临床上用于基因治疗至关重要。为此,已经进行了大量的工作来了解CRISPR系统在核基因组编辑中对不同靶标的编辑规则,并且已经证明对于每个被CRISPR/Cas9编辑的原型间隔物来说,其结果是完全可预测的(van Overbeek et al., 2016 ; Shen et al., 2018 ; Shou et al., 2018 ; Allen et al., 2019 ; Chakrabarti et al., 2019 ; Chen et al., 2019 ; Long, 2019 ; Shi et al., 2019 ),这使我们能够提前知道每种策略在临床上应用的潜在结果。然而,对于线粒体基因组,由于缺乏 DNA 修复,CRISPR/Cas9 尚未参与 mtDNA 编辑
A. Lu,A。A。Hahani,R。Robeck A. Zoller,C。Z。Z. N. C. Blumstein。 Clarke,L。N. Cooper,M。L. Cossette,J。 Day,J。Derocco,C。Dold,E。Ehmke,C。C. Emmons,St.Erbay,C。Farery,Erbay,C。Faulkes,St.H。L. Gerber,V。N. N. Gladyshev,V。Glob,R。G. Goya,M。J. Grant,C。B. 绿色,呃。 N. A. A. A. Mattison,M。McClure,J.M.Meudt,G.A。Montano,K。Mozhui,J。Munshi-South,A。Naderi,M。Nagy,P。Odom,D。T。T. T. T. T. T. T. T. T. G. Ophir,A。G。Ophir,St。Osborn,EA。 A. Odder,K。M。Parsons,K。Paul,M。Pellegrini,K。JPeters,A。 B.A. Lu,A。A。Hahani,R。RobeckA. Zoller,C。Z。Z. N. C. Blumstein。 Clarke,L。N. Cooper,M。L. Cossette,J。Day,J。Derocco,C。Dold,E。Ehmke,C。C. Emmons,St.Erbay,C。Farery,Erbay,C。Faulkes,St.H。L. Gerber,V。N. N. Gladyshev,V。Glob,R。G. Goya,M。J.Grant,C。B.绿色,呃。 N.A. A. A. Mattison,M。McClure,J.M.Meudt,G.A。Montano,K。Mozhui,J。Munshi-South,A。Naderi,M。Nagy,P。Odom,D。T。T. T. T. T. T. T. T. T. G. Ophir,A。G。Ophir,St。Osborn,EA。 A. Odder,K。M。Parsons,K。Paul,M。Pellegrini,K。JPeters,A。B.B. Pedersen,J。L. Petersen,D。W. Pieters,G。M. Pinho,J。Plassais,J。R. Pogank,N。A. Prado,P。Reddy,B。R. R. R. R. R. Ribbins,J。Ryguez,A。A.B. Salman,A。Sanghavi,K。M. Schtschneider,D。Schmiter,T。Schmitt,L。Schomacher,L。B. Schook,K。E. Sears,A。W. Seifert,A。SeluanovA. Shanmugatayam,A。V。Shindyapina,M。Singh,K。Singh,I。Sinha,J。Slone,R。G。Slonell,E。Soltanmaohahammadi,M。C。Sp。 T. Stewart,V。J. Sugrue,B。Szladovits,J。S. Takahashi,M。Takasugi,E。C. Teeling,M。J. Thompson,B。van Bonn,S。C. Vernes,D。Villar,H。V. Venters,M。C. Wallingford,N。Wang,R。K. Wayne,G。S. Wilkinson,C。K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. Williams,R。W. Yang,B。Zhao,B。