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Mohammad Zulfequar 教授 物理学系 Jamia Millia Islamia Jamia Nagar 新德里 110025，印度 电话： +91 (11) 26984631 (O) 26848624
沙特阿拉伯王国吉达阿卜杜勒阿齐兹国王大学高等教育部“非晶硫属化物薄膜对光学存储设备光学常数的影响”。 (参考编号- 3-16/429) (联合研究员)。 (2009 年 3 月 3 日至 2009 年 2 月 12 日) (vii) “用于半导体应用的单壁碳纳米管的生长”，由新德里通信和信息技术部电子和信息技术部 (DeitY) 资助。 （项目成本：380.76 万卢比），从 2010 年 4 月 23 日到 2015 年 4 月 22 日。（M. Zulfequar 教授，首席研究员，从 2014 年 1 月 1 日到 2015 年 4 月 22 日），（M. Husain 教授，首席研究员，从 2010 年 4 月 23 日到 2013 年 12 月 31 日，联合研究员，从 2014 年 1 月 1 日到 2015 年 4 月 22 日）国外访问：（i）。巴基斯坦
可扩展的脉冲激光沉积钙钛矿太阳能电池的透明后电极
脉冲激光沉积（PLD）是一种具有复杂化学计量的薄膜，在成功制造高温超级导管（HTS）以薄膜形式的高温制造后，它引起了很大的研究注意。[1]从那时起，PLD主要用于与晶格匹配底物上多元化合物氧化物外延生长有关的应用，但尚未在光伏（PV）社区中进行探索。尽管在2000年代初通过PLD制造了高度导电的TCO，并通过PLD制造，并在OLEDS [2,3]中成功实现，但关于PV设备中PLD生长的触点的应用仍然很少。文献报道包括用于CIGS [4]的掺杂的ZnO膜和有机的太阳能电池和金属氧化物传输层用于卤化物钙钛矿太阳能电池。[6]此外，已经提出了PLD用于硫化葡萄糖剂吸收剂[7,8]，最近，对于卤化物钙钛矿吸收剂层。[9,10]
揭示 Sb2Te 和 AgInSbTe 中的光学对比……
摘要 硫族化物相变材料 (PCM) 在从非晶相结晶时表现出明显的光反射率和电阻率差异，是非挥发性光子和电子应用的主要候选材料。除了旗舰 Ge 2 Sb 2 Te 5 相变合金外，掺杂的 Sb 2 Te 合金，尤其是用于可重写光盘的 AgInSbTe，几十年来也得到了广泛的研究，尽管如此，关于这一重要 PCM 系列光学特性的理论见解仍然很少。在这里，我们进行了彻底的从头算模拟，以从原子层面了解 Sb 2 Te 和 AgInSbTe 的光学特性。我们表明，非晶相和结晶相之间的巨大光学差异源于母体化合物 Sb 2 Te 中键类型的变化。Ag 和 In 杂质主要用于稳定非晶相，对相变时介电函数的巨大变化影响甚微。
钙钛矿太阳能电池透明背电极的可扩展脉冲激光沉积
脉冲激光沉积 (PLD) 是一种成熟的复杂化学计量薄膜沉积技术，在成功制造薄膜形式的高温超导体 (HTS) 后引起了广泛的研究关注。[1] 从那时起，PLD 主要用于在晶格匹配基板上外延生长多种复合氧化物的应用，但在光伏 (PV) 领域尚未得到探索。尽管在 21 世纪初，高导电性的 In 基 TCO 已通过 PLD 制造并成功用作 OLED 的前触点 [2,3]，但关于 PLD 生长触点在 PV 设备中的应用的报道仍然很少。文献报道包括用于 CIGS [4] 和有机 [5] 太阳能电池的掺杂 ZnO 薄膜以及用于卤化物钙钛矿太阳能电池的金属氧化物传输层。 [6] 此外，PLD 已被提议用于硫族化物吸收层的制造 [7,8]，最近又用于卤化物钙钛矿吸收层。[9,10]
这是以下文章的同行评审前版本：Martinez, P., Blanchet, V., Descamps, D., Dory, J.-B., Four- ment, C., Papagiannouli,
利用频域干涉法和从头算分子动力学研究了非晶态碲化锗薄膜对飞秒激光激发的亚皮秒响应。表面动力学的时间分辨测量揭示了薄膜的收缩，其介电性能响应速度超过 300 fs。非平衡条件下的系统从头算分子动力学模拟使我们能够检索离子温度从 300 K 到 1100 K 以及电子分布宽度从 0.001 eV 到 1.0 eV 的原子构型。通过深入分析角度分布、声子模式和对分布函数来表征结构的局部有序性，这证明了向新的非晶态电子激发态的转变，该激发态在键合/结构上接近液态。我们的研究结果为涉及两个重要过程的硫族化物材料中的光学高激发态提供了新的见解：存储器件中的相变材料和静态场引起的 Ovonic 阈值开关现象。
磁控溅射和热蒸发低损耗 Sb-...
摘要：硫族相变材料 (PCM) 在非挥发性的非晶态和结晶态之间具有很大的光学特性差异，引起了人们对其在长期接近零功耗的超紧凑光子集成电路中的应用的浓厚兴趣。然而，在过去十年中，PCM 集成光子器件和网络受到各种常用 PCM 本身巨大光学损耗的困扰。在本文中，我们重点研究了一种新兴低损耗相变材料 Sb 2 Se 3 在硅光子平台上的沉积、特性和单片集成。蒸发的 Sb-Se 薄膜的非晶相和结晶相之间的折射率对比度被优化到 0.823，而椭圆偏振法测得的消光系数保持小于 10 − 5。当集成在硅波导上时，非晶薄膜引入的传播损耗可以忽略不计。结晶后，磁控溅射Sb-Se贴片覆盖硅波导的传播损耗低至0.019 dB/µm，而热蒸发贴片覆盖硅波导的传播损耗低于0.036 dB/µm。
光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3
摘要：用于集成光子和自由空间平台的下一代光相变为变化技术的开发取决于可以在大量大量且光学损失低的情况下反复切换的材料的可用性。近年来，由于在光谱的近红外透明度和接近硅接近的高折射指数中，由于良好的光学透明度，基于基于锑的硫化硫化硫化材料SB 2 SE 3 SE 3 SE 3被确定为许多应用。SB 2 SE 3的结晶温度左右允许使用光学或电气控制信号在中等能量下实现切换，同时为非挥发性存储提供足够的数据保留时间。在这里，我们研究了与光学应用相关的一系列膜厚度的SB 2 SE 3膜光学切换的参数空间。通过识别最佳的切换条件，我们证明了在20 kHz的可逆切换速率下最多可忍受10个循环。我们的工作表明，固有膜参数与泵送条件的组合对于在光相变化应用中实现高耐力尤为重要。
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
欧洲通行证简历
自 2016 年起，担任 UOS 材料和设备表征代表。自 2001 年起，担任 UOS X 射线衍射和 X 射线反射率实验室负责人。从事微电子应用材料领域的研究。研究领域：微电子用氧化物和硫族化物材料、原子层沉积和 MOCVD 沉积、相变存储器、微电子机械系统 (MEMS)、热电材料、拓扑绝缘体。COST 行动 MP1402 HERALD（连接欧洲 ALD 研究）副协调员、LAB4MEMSII 项目（ENIAC 呼叫 2014）副协调员，参与不同的 H2020 和 FP7 项目。欧洲项目 Chemaph（FP7）协调员，负责 PRIN 项目的 CNR。意大利和法国双边项目的协调员，由法国-意大利大学支持。在与 Micron 和 STMicroelectronics 的商业合同竞争中，负责与存储设备和 MEMS 相关的不同活动。拥有美国专利。参与国际项目 VAMAS，旨在实现 X 射线反射率测量的标准化。参与计量项目：IND07，薄膜制造计量，欧洲计量研究计划 (EMRP) 联合研究项目，呼吁 2010 工业 (IND)，
基准测试电解质的单层MOS2字段 -
一种非常有前途的原子薄半体导管的材料类是过渡金属二分法元素（TMDC）。该材料类在MX 2（M¼TransitionsMetal;x¼s，se，te）层中具有较强的共价键结晶，但相对较弱，但相对较弱，可以切断大量晶体的单层。由单层制造的设备可以描述为仅接口的设备，并且已经显示了TMDC作为气体传感器的应用。[14]为了能够在高性能的FET应用中使用TMDC，过度出现的主要挑战是这些单层的缺陷控制。[15]两种主要类型的缺陷是晶界，金属或金属葡萄染色体空位。既会降低材料的电性能，但是空缺也为使单层官能化的额外途径开辟了一条额外的途径，可以在传感器应用中进行优势。[16 - 20]最近，已经显示了使用去离子化（DI）水的基于MOS 2的FET装置的运行；但是，使用MOS 2多层。[21,22]这些结果构成了在