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聚噻吩和...
摘要 - 聚噻吩和多吡咯是两个知名的导电聚合物，具有多种特性，并且在电子，传感器和能量存储等扇区中进行了多种潜在应用。本文进一步研究了聚噻吩和多吡咯的合成和分析。息肉吡咯和聚噻吩。分析这些聚合物所采用的方法包括光谱（UV-VIS，FTIR），热分析（TGA，DSC），显微镜（SEM，TEM）和电化学分析（环状伏安法）。研究了多吡咯和聚噻吩的几种特征，并与它们的电化学，热，形态和结构特性有关。我们还讨论了这些导电聚合物如何由于其表征所揭示的独特性能而在电气设备，传感器和能源存储系统中使用。聚噻吩和多吡咯烷现在可以在广泛的高科技应用中使用，因为它们的合成和特性是更众所周知的。
微生物的隔离和表征
抽象的香蕉水果是全球数百万人的主食食物来源，这导致全球对水果的需求增加。然而，它们容易受到各种形式的恶化，这通常归因于微生物的活性，包括细菌，真菌和酵母菌，它们可能导致各种类型的变质，例如变色，纹理变化，口味，口味，等等，并可能导致救助后的损失。这项研究是为了隔离和鉴定与香蕉水果恶化有关的微生物。分别通过连续稀释，接种并分别在营养琼脂和Sabouraud右旋糖琼脂上培养了总共4个样品的真菌和细菌。将两个培养的板在37 0 C下孵育24小时和28±1°C，分别孵育五天，并分别培养。进行了真菌物种的宏观检查和微观检查，并通过与标准真菌鉴定指南进行了比较研究形态学特征并用于真菌鉴定。还进行了形态学检查，革兰事染色和生化测试以鉴定细菌。细菌计数范围为4.5 x 105至1.21 x 106 cfu/ml，表明被宠坏的样品中细菌种群较高。fusarium spp，Rhizopus spp和Candida spp是来自新鲜香蕉水果中最孤立的真菌，出现（2）25％，而曲霉和念珠菌SPP则最少孤立，出现（1）12.5％。分离株的存在可能是由于香蕉水果的粗心处理和储存条件所致烟曲霉，根茎spp，粘液spp和念珠菌spp是来自变质的香蕉水果中最孤立的真菌，出现（2）20％，而富沙属spp和spergillus flavus则是最少的，而呈（1）10％。金黄色葡萄球菌和链球菌是来自新鲜香蕉水果的最不分离的细菌，出现为（1）25％，而大肠杆菌的发生最分离的是（2）50％。金黄色葡萄球菌和链球菌是从变质的香蕉果实中分离出的细菌，出现为（1）25％，而大肠杆菌的发生最多的是（2）50％。
阿米舒必利的配方和特性...
精神分裂症是一种神经系统疾病，其特征是大脑中多巴胺水平升高。这是一种慢性和严重的精神障碍，会影响一个人的思维、感觉和行为方式。患有精神分裂症的人似乎已经脱离了现实。可以用典型和非典型抗精神病药物治疗。阿米舒必利是一种非典型抗精神病药物，具有 D2/D3 受体阻滞剂活性，对精神分裂症的阳性和阴性症状均有效。阿米舒必利口服生物利用度的限制是由于其水溶性差和首过代谢。1,2 为了提高药物吸收率并增加大脑中的药物浓度，鼻腔途径是首选，因此选择进行研究。血脑屏障和脑脊液屏障是限制药物输送到大脑的主要障碍，而鼻腔途径可以避免这种情况。3,4,5
霍尔效应表征系统
客户满意度、创新、灵活性和高品质是 LINSEIS 的代表。凭借这些基本原则，我们公司在领先的科学和工业组织中享有卓越的声誉。多年来，LINSEIS 一直提供高度创新的基准产品。LINSEIS 热分析业务部门涉及用于研发和质量控制的全系列热分析设备。我们支持聚合物、化学工业、无机建筑材料和环境分析等领域的应用。此外，还可以分析固体、液体和熔体的热物理性质。LINSEIS 植根于强大的家族传统，自豪地传承到第三代，保持了其核心价值观和对卓越的承诺，这些价值观和承诺已在家族领导层中传承下来。这种世代相传加强了我们对创新和质量的奉献精神，体现了真正的家族企业的精髓。LINSEIS 提供技术领导地位。我们按照最高标准和精度开发和制造热分析和热物理测试设备。由于我们的创新动力和精度，我们是热分析设备的领先制造商。热分析测试机的开发需要大量研究和高精度。LINSEIS 公司投资于这项研究，以造福我们的客户。
聚合物的热表征
Dynamic Mechanical Analysis (DMA) allows for the quantitative determination of the mechanical properties of a sample under an oscillating force and as a function of temperature, time, frequency and strain (DIN 53513, DIN EN ISO 6721, DIN 53440, DIN-IEC 1006, ASTM D4065, ASTM D4092, ASTM D4473, ASTM D5023, ASTM D5024，ASTM D5026，ASTM D5418）。结果描绘了线性粘弹性特性，通常将其描绘为E'（存储模量），E”（损耗模量）和TANδ（损失因子）与温度的图形图。
电容电压和电流的表征
本研究通过 CV 和 IV 分析研究了新型 MIS 结构 TiN/Al 2 O 3 /P-Si 的电性能，采用 Silvaco TCAD 软件进行模拟。检查各种参数，包括频率、温度、氧化物厚度、表面条件和掺杂水平，揭示了它们对器件特性的影响。模拟结果与理论预期非常吻合，验证了模拟方法的有效性。发现温度变化会影响平带电压，可能是由于氧化物电荷密度和界面缺陷密度的变化，而在 77 K 至 300 K 的温度范围内观察到弱反转区。频率依赖性很明显，特别是在 1 GHz 时，对 CV 行为有显著影响。IV 分析揭示了不对称的温度激活，表明存在双传导机制。此外，更高的掺杂水平与负电压范围内的电流密度增加相关。对具有不同介电厚度的电容器的模拟漏电流表明行为不均匀，由于能带图不对称，从栅极注入电子导致与基板相比更高的电流密度。这强调了降低氧化物厚度对漏电流行为的影响。