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用于超级分辨率的自旋发射器
我们使用Spintronic Thz发射器研究了局部THZ场的生成，以增强微米大小的成像的分辨率。远面成像，波长高于100 l m，将分辨率限制为该数量级。通过使用光学激光脉冲作为泵，可以将Thz Field Genert固定在激光束聚焦的区域。由于激光束聚焦而引起的生成的THZ梁的差异要求成像的物体在THZ场波长以下的距离处靠近生成位。我们根据自旋电流在COFEB/PT异质结构中通过FS-LASER脉冲产生THZ辐射，并通过商业低温种植-GAA（LT-GAAS）Auston Switches检测到它们。通过应用具有电动阶段的2D扫描技术来确定THZ辐射的空间分辨率，从而可以在子微米计范围内进行台阶尺寸。在近距离限制内，我们在千分尺尺度上在激光斑点大小的尺寸上实现空间分辨率。为此，在由300 nm SiO 2间隔层隔开的旋转发射器上蒸发了金测试模式。将这些结构相对于飞秒激光斑点（生成THZ辐射）允许测定。刀边方法在1 THz时产生的全宽半宽度梁直径为4：9 6 0：4 l m。在简单的玻璃基材上沉积自旋发射器异质结构的可能性使它们在许多成像应用中具有近距离成像的候选者。
Citation: K. Shi, W. Cai, S. Jiang, D. Zhu, K. Cao, Z. Guo, J. Wei, A. Du, Z. Li, Y. Huang, J. Yin, J. Åkerman, and W. Zhao, Observation of magnetic d
扭矩，其进动频率接近铁磁共振频率。这主要是由于磁滴模式的进动角较大[7,18,19]。然而，到目前为止，对磁滴的所有实验工作都集中在自旋阀（SV）结构[18,19,21-23]和自旋霍尔纳米振荡器（SHNO）[24,25]上。SV和SHNO中非常低的磁阻（MR）（约1％）限制了功率发射和基于STNO的任何进一步应用。相比之下，具有强PMA的磁隧道结 (pMTJ) 表现出较高的隧道磁阻 (TMR)，达到 249%，尤其是双 CoFeB 自由层 (DFL) pMTJ，它已成为基于 MTJ 的 MRAM 的主要结构 [26]。因此，人们可以期望在基于 pMTJ 的 NC-STNO 中观察到磁性液滴。然而，我们之前的实验表明，在单自由层 (SFL) MTJ 中很难形成稳定的液滴 [27]。这可能是由于均匀电流密度与空间变化磁化相互作用产生的较大张-力矩所致。相反，预计 DFL pMTJ 可以抑制这种大的张-力矩并有利于形成稳定的磁性液滴。在这里，我们通过实验观察和研究了 DFL pMTJ 中的稳定磁性液滴，同时伴随着同一器件中相对于类 FMR 模式进动的功率增强。此外，通过微磁模拟，我们认为磁隧道结中的磁性液滴之所以稳定，主要是因为低的Zhang-Li力矩和DFL中强的钉扎场共同作用的结果[28]。我们的研究结果为磁隧道结中磁性液滴的成核提供了全面的认识，为进一步优化磁隧道结中磁性液滴的使用奠定了基础。
欧洲简历格式
ID N . 11300 – 个人研究工程师（意大利语：T ECNOLOGO）– 三级 2012 年 12 月/至今 国家研究委员会 (CNR) - 微电子与微系统研究所 (IMM)，Agrate Brianza Unit，Via Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza (MB)，意大利 公共机构常设研究工程师（意大利语：Tecnologo）。技术领域：支持研究。主题：科学仪器和流程管理。 （Bando n. 364/114，Prot. AMMCNT CNR n.79896 28/12/2012；Prot. AMMCNT CNR n.8704 13/02/2013；Prot. IMM CNR n.769 31/01/2013）主要研究课题：I – 2D 材料（过渡金属二硫属化物，TMD）的各向异性工程：通过化学方法生长并主要通过 X 射线光电子能谱和拉曼光谱进行表征；目标应用在纳米电子学、光子学、光电子学、催化领域。 II – 通过 X 射线散射、X 射线光发射光谱和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理特性进行表征，以便将其集成为双极 CMOS-DMOS（BCD）技术平台中的大电容器。III – （1）具有垂直磁各向异性的铁磁材料（PMA）和（2）非磁性材料，用于作为磁性结和自旋注入/过滤器中的隧道屏障；（3）稀磁氧化物（DMO）。研究结构和化学性质与磁性和磁输运性质之间的相关性。通过 X 射线散射（包括同步光）、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS、XRMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理进行表征，例如：（1）铁磁材料（Co、Fe、CoFe、CoFeB、Co/Ni）； (2) 非磁性材料（即 MgO、AlO x ）；(3) 稀磁氧化物（Fe、Ni 掺杂的 ZrO 2 ）。IV – 通过 X 射线散射、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）研究高介电常数电介质或相变合金的 CMOS 兼容性在工艺集成中的热稳定性，以用于新兴的非挥发性存储器（TANOS、RRAM、PCM、MRAM）。V – 通过 X 射线散射（主要是 XRD）对先进 MEMS 设备中集成的压电材料进行表征。