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Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射
航空航天前沿 2022 年 7 月
美国宇航局继续与科学与工业中心 (COSI) 合作，在 5 月 4 日至 7 日于哥伦布举行的 COSI 科学节 (CSF) 期间接触到服务不足和代表性不足的受众。作为俄亥俄州最大的 STEM 活动，也是美国最大的 STEM 活动之一，CSF 每年举办四天，让数千人参与实践体验，激发人们追求 STEM 职业。5 月 7 日，格伦和美国宇航局兰利员工在大型科学庆典期间为多个太空和航空展览工作，这是现场活动的最高潮。估计有 20,000 多人参加了此次活动。
使用神经形态的癫痫发作检测 -
的方法，以确定来自单个原子计数中3D体积的多晶材料中溶质分离的Gibbs三重连接过量（γTJ）。一种方法基于累积分析，而另外两种方法则使用溶质原子的径向整合。这些方法已被证明并在模拟模型体积上进行了比较，其中包括三个晶界在三连接处连接，并具有吉布斯晶界和三连接过量的设置值。一种实验技术，可提供3D体积的单个原子检测和接近原子量表的空间分辨率是原子探针断层扫描。cosi 2薄膜的原子探针断层扫描量已获得三个晶界和三连接。Ti分离是在晶界和三连接处定性发现的。在所研究的COSI 2三重连接处的Ti过量的定量揭示了三种引入的方法阳性吉布斯三重连接过量值。它表明COSI 2三重连接处有过量的Ti，并为其量化提供了机会。
9957/24 EB/ek 1 TREE.2.B 代表团将发现... - 数据
电信 184 数字 135 网络 165 竞争 556 RECH 233 PI 68 MI 505 教育 175 JAI 802 ENFOPOL 232 COSI 83
6722/21 EB/NP 1 JAI.2 1。2020年12月16日，...数据
CYBER 55 RECH 86 JAI 227 COMPET 151 JAIEX 23 IND 52 EJUSTICE 25 COTER 25 COSI 39 ENFOPOL 80 DATAPROTECT 54 COPS 79 COPEN 103 MI 136 TELECOM 88 IXIM 43 PROCIV 21 POLMIL 25 CSC 85 HYBRID 10 CIS 35 CSCI 34 RELEX 168 POLGEN 33
Ti/Sige和Co
研究了Ti和Co与Si，_。，GE，底物反应的形成和稳定性。对于Ti/Sige系统，当C.54 Ti（Si，YGE，）2层形式时，GE索引>'最初与Si， - ，GE，基板的GE索引相同（即.v = x）。之后，从底物从底物通过晶格和晶粒结构扩散延伸到C54层中。散布到C54晶格中的一些Si取代了晶格中的GE，而C54 Ti（Si，_ ,, ge ,,）z变得富含硅（即y 对于CO/SIGE系统，确定富含硅的CO（SIL _，ge，）层以-400“ C分叉。 随着退火温度的升高，反应层变得更加富集。 对于这两种材料系统，富含GE的Si， - ：GE; （z> x）观察到岛屿。 发现，对于Co/Si，_。，GE，反应层由COSI组成，而Si，_：Gez高温退火后（= 700“ C）。 我们建议这些过程是由C54 Ti（Si， - ，GE，）的晶体能量降低，Ti/Sige系统中的相位和CO（SI， - - ，GE，）驱动的。 co/sige系统中的阶段，伴随GE用Si替换。对于CO/SIGE系统，确定富含硅的CO（SIL _，ge，）层以-400“ C分叉。随着退火温度的升高，反应层变得更加富集。对于这两种材料系统，富含GE的Si， - ：GE; （z> x）观察到岛屿。发现，对于Co/Si，_。，GE，反应层由COSI组成，而Si，_：Gez高温退火后（= 700“ C）。我们建议这些过程是由C54 Ti（Si， - ，GE，）的晶体能量降低，Ti/Sige系统中的相位和CO（SI， - - ，GE，）co/sige系统中的阶段，伴随GE用Si替换。
非传染性疾病预防框架：
AAA Abdominal aortic aneurysm BCI Behavioural and Cultural Insights COSI Childhood Obesity Surveillance Initiative CRC Colorectal cancer CVD Cardiovascular disease EC European Commission EEA European Environment Agency EHIS European Health Interview Survey END Environmental Noise Directive ESPAD European School Survey Project on Alcohol and Other Drugs FCTC Framework Convention on Tobacco Control FIT Faecal immunochemical test EU European Union HBSC Health Behaviour in School-aged Children HEPA Health Enhancing Physical Activity HPV Human papillomavirus IMC Inter-Ministerial Committee LGBTIQ+ Lesbian, Gay, Bisexual, Trans, Intersex and Queer and all other gender and sexual orientations MI Motivational Interviewing NAO National Audit Office NCD Non-communicable diseases NCD GMF Non-communicable diseases global monitoring framework非政府组织非政府组织NHSS NHSS国家卫生系统战略OECD经济学合作与开发组织组织公共卫生筛查和简短干预可持续发展的可持续发展目标SILC的收入和生活条件的统计数据SSB Sugar Sugar Sugar Sugar Sugar Sugar Schoop offenated Uniates Unational wha World World Health Bluse Who World World Health Blose
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第 2 条 - 一般原则 1. 如第 2 条所述，承认可以访问 Formez PA 制定并永久保存的文件和规定。 22，第 1 段，信函。 b) 法律编号241/1990，适用于“所有私人主体，包括具有公共或广泛利益的主体，他们具有直接、具体和当前的利益，与受法律保护的情况相对应并与请求访问的文件有关”。 2. 不允许提出涉及整个类别的文件或规定的通用请求或旨在对研究所活动进行一般控制的请求。 3. Formez PA 没有义务处理其拥有的数据或信息以满足收到的访问请求。 4. 如艺术所示。第22条法律第5款241/1990，“公共机构获取行政文件应遵循忠诚的机构合作原则”。
不平等的经济中的不平等趋势：意大利1990-
摘要本文介绍了关于劳动供应和收入不平等的风格化事实，该个人是根据意大利银行进行的1989 - 2020年家庭收入和财富调查（SHIW）的25-55个人的收入不平等。在样本期间，工作年龄人口的收入不平等增加了大大增加，考虑到家庭可支配收入时，人口较少。使用员工的管理数据时，确认不平等的增加。证据表明，过去三十年的劳动力市场改革是对收入不平等增加的最合理的解释。收益与可支配收入之间的比较表明，政府和家庭在减少不平等中的重要作用。关键字：不平等，移动性，调查数据，管理数据。致谢：本文是由IFS Deaton评论项目的意大利团队（https://ifs.org.uk/inequality/）：Daniele Checchi（米兰大学），Tullio Jappelli，Naples Federico II，CSEF和CEPR II，CSEF和CEPR II，CEPR）和IMMACOLATA MARISA和IMMACIRATA MARISO and nape and nape and nape and nape and naper and nape and cosi and cosira Scognamiglio（那不勒斯大学Federico II和CSEF大学）。我们感谢Nello Esposito的宝贵研究帮助。Tullio Jappelli承认意大利大学和研究部资助的PRIN赠款下的财政支持。