化学机械平坦化 (CMP) 工艺已广泛用于平坦化硅基半导体器件中的各种材料,包括电介质、金属和半导体。它是实现纳米级晶圆和芯片级平坦度的最关键步骤之一。然而,在 CMP 工艺之后,晶圆表面上会观察到各种污染物,并且由于它们对器件性能和可靠性具有最直接的影响,因此它们成为许多代快速减小的特征尺寸中最关键的良率降低因素。本书章节提供了 (1) CMP 耗材引起的污染物,例如残留颗粒、表面残留物、有机残留物、焊盘碎片和金属杂质、焊盘污染、水印等,(2) CMP 后清洁过程中刷子引起的交叉污染,(3) 去除这些污染物的 CMP 后清洁。对各种类型的 CMP 污染物的形成及其特性的基本了解将极大地有利于下一代 CMP 浆料和 CMP 后清洁解决方案的开发。
萨福克县卫生局发现,BNL 下游的一些地产未与公共供水系统相连。2019 年 4 月,BNL 和卫生局达成合作协议,对私人水井进行取样。迄今为止,已对大约 70 口私人水井进行了取样。其中三口水井的 PFOA 浓度略高于拟议的纽约州饮用水标准。其中两口水井位于地区机场附近,一口水井位于社区消防站附近。纽约州环境保护署最近对 BNL 下游 PFAS 污染潜在来源进行了调查,证实这两处设施的浅层地下水中都存在 PFAS。第四口私人水井的 PFOS 和 PFOA 浓度均略高于拟议的饮用水标准。尚未确定这种污染的可能来源。
• ~2004 – 地下水和饮用水中检测到高氯酸盐 1 引起全国关注 – 国防部和监管机构就响应行动发生争议 – 两个靶场的培训/测试缩减 • 2005/6 – 国防部与环境保护署和州环境委员会组成 EC 工作组 – 制定并批准了 EC 定义和三份政策文件
与图书馆或大多数大型数据库(如 EPA 的国家 STORET 水质数据库)一样,本文档包含来自不同来源、质量参差不齐的信息。在编撰本文档时,同行评审期刊文章以及质量控制机制相对复杂的数据库中都发现了错误 [366,649,940]。其中一些错误被找到并用“[sic]”符号标记,但毫无疑问其他错误还是漏掉了。编辑插入了 [sic] 符号,以指示看似错误或误导的信息或拼写,但仍然逐字引用,而不是任意更改作者所说的内容。很可能我们的一些工作中还添加了额外的转录错误和拼写错误。此外,对于如此复杂的主题,并不总是容易确定哪些是正确的,哪些是错误的,尤其是“专家”经常意见不一。在科学研究中,两位不同的研究人员得出不同的结果并导致他们得出不同的结论的情况并不少见。在编纂百科全书时,编辑们并没有试图解决这些冲突,而是简单地将其全部报告出来。