摘要 — 将信息编码在预先合成的脱氧核糖核酸 (DNA) 链 (称为基序) 组合中是一种有趣的 DNA 存储方法,有可能避免逐个核苷酸 DNA 合成的高昂成本。基于对 HelixWorks 经验数据集的分析,我们为这种设置提出了两种通道模型 (有干扰和无干扰),并分析了它们的基本限制。我们提出了一种编码方案,通过利用通道输出处可用的所有信息来接近这些限制,这与 Preuss 等人为类似设置开发的早期方案不同。我们强调了通道容量曲线与合成 (写入) 和测序 (读取) 成本之间的基本权衡之间的重要联系,并提供了一种方法来缓解解码复杂性随基序库大小而呈指数增长的问题。
为了模拟 NV 自旋对 MW 场(特别是磁场分量)的响应,使用量子主方程方法推导出理论方程。在室温下,NV 自旋包含 NV − 的基态和激发自旋三重态、NV − 的两个中间态以及两个 NV 0 态。由于 1 A 1 的自旋寿命远小于 1 E 的寿命(参见正文),因此单重态实际上被假定为一个状态(1 E)。NV 0 态的包含解释了导致电荷状态切换的电离效应。在 NV 0 态下,它可以被光泵送回 NV − 的基态三重态。图 S.I.1 显示了由九个能级组成的 NV 能量图。如果忽略电离效应,在简并三重态的情况下,可以使用具有更少能级的更简单的模型。建模 ODMR 的基本状态是 NV − 的基态、中间态和激发态。但是,由于 NV 0 和 NV − 之间的跃迁速率
2024 年 3 月 4 日发布的简式基本招股说明书和 2024 年 3 月 5 日发布的招股说明书补充文件定价补充文件第 4591 号。没有任何证券监管机构对这些证券发表意见,声称有其他意见是违法的。本定价补充文件连同 2024 年 3 月 4 日发布的简式基本招股说明书和与其相关的 2024 年 3 月 5 日发布的招股说明书补充文件(经修订或补充)以及通过引用纳入该招股说明书的每份文件,仅在可合法出售这些证券的司法管辖区内公开发行这些证券,并且只能由获准出售此类证券的人士在司法管辖区内公开发行。根据本文件发行的证券未根据经修订的 1933 年美国证券法进行登记,也不会根据该法进行登记,并且除某些例外情况外,不得在美国或为美国人士的账户或利益直接或间接提供、出售或交付。
杜邦™ Vespel ® 聚酰亚胺能够适应错位,因为它能够在压缩时弹性变形并更均匀地重新分配负载 [4]。图 2 [5,6] 描绘了杜邦™ Vespel ® 花键在 0.34 度错位时的磨损数据,这是图 1 中包含的最坏情况。这种在高度错位下运行的能力可延长磨损寿命。在某些应用中,与由杜邦™ Vespel ® 聚酰亚胺制成的适配器连接的花键的磨损寿命是润滑金属对金属花键连接的 50 倍 [2,5]。具有冠状几何形状的圆形杜邦™ Vespel ® 花键联轴器具有额外的好处,即在轴错位时减少驱动和从动机械轴承上的应力 [4]。
基于石墨烯的范德华异质结构利用了通过接近效应在石墨烯层中调整自旋轨道耦合(SOC)。在长波长处 - 由狄拉克点附近的电子状态骑马 - 可以通过涉及新型SOC术语的汉密尔顿人有效地建模,并允许通过所谓的rashba角度θr的切向和径向自旋纹理的混合。采用这种有效的模型,我们执行逼真的大规模磁转运计算 - 横向磁心焦点和Dyakonov-perel自旋松弛 - 并表明存在着独特的定性和定量特征,允许其无偏见的实验性分解,从而从其新颖的Radial对方中对常规的Rashba Soc进行了无偏见的SOC,此处称为Radial Rashba Soc。与此一起,我们提出了一个方案,以直接估算RASHBA角,通过探索磁响应对称性在交换平面磁场时。为了完成故事,我们在出现的Dresselhaus SoC的存在下分析了磁磁运输和自旋 - 弹性签名,还为径向超导二极管效应的可能场景提供了一些通用的后果。
摘要:本文研究了连续凸优化制导与鲁棒结构化 H ∞ 控制的耦合,用于可重复使用运载火箭 (RLV) 的下降和精确着陆。更具体地说,该制导和控制 (G&C) 系统预计将集成到非线性六自由度 RLV 控制动力学模拟器中,该模拟器涵盖配备推力矢量控制系统和可操纵平面翼的第一级火箭的气动和动力下降阶段,直到垂直着陆。进行了成本函数策略分析,以找出最有效的闭环实现方法,其中包括鲁棒控制系统和所涉及的运载火箭飞行力学。此外,还详细介绍了通过结构化 H ∞ 进行控制器合成。后者是在下降轨迹的不同点使用比例-积分-微分 (PID) 类结构构建的,并对姿态角、速率和横向体速度进行反馈。通过上述模拟器的线性分析和非线性情况验证了该架构,并通过在正常条件下以及存在扰动的情况下与基线系统比较性能和稳健性来验证 G&C 方法。总体结果表明,所提出的 G&C 系统是可重复使用发射器真实下降飞行和精确着陆阶段的相关候选系统。
表面和界面的电子结构对量子器件的特性起着关键作用。在这里,我们结合密度泛函理论与混合泛函以及最先进的准粒子引力波 (QSGW) 计算,研究了实际的 Al / InAs / Al 异质结的电子结构。我们发现 QSGW 计算和混合泛函计算之间具有良好的一致性,而后者本身与角分辨光电子能谱实验相比也非常出色。我们的论文证实,需要对界面质量进行良好的控制,才能获得 InAs / Al 异质结所需的特性。对自旋轨道耦合对电子态自旋分裂的影响的详细分析表明,k 空间中存在线性缩放,这与某些界面态的二维性质有关。QSGW 和混合泛函计算的良好一致性为可靠地使用 QSGW 的有效近似来研究非常大的异质结打开了大门。
图S2。 通过通过偏振子光谱窗口过滤分子吸收的综合局部分子贡献的对数图。 线性尺度图显示为主文本中的图2E。图S2。通过通过偏振子光谱窗口过滤分子吸收的综合局部分子贡献的对数图。线性尺度图显示为主文本中的图2E。