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耦合的su-schrieffer-heeger波导阵列中的拓扑孤子
我们研究了在两个和三个耦合的平行Schrieffer-Heeger（SSH）波导阵列的边缘的多极拓扑孤子的形成。我们表明，耦合波导阵列中的波导间距（二聚体）中波导间距的独立变化导致其在几个具有不同内部对称性的多个拓扑边缘状态的边缘出现。新兴边缘状态的数量取决于拓扑非平凡的阶段的数组数量。在存在非线性的情况下，这种边缘状态引起了具有独特稳定性特性的多极拓扑边缘的家族。我们的结果表明，准二维拓扑结构之间的耦合基本上丰富了它们中存在的各种稳定拓扑边缘孤子。
蒸气相分解（VPD） +电感耦合...
Technical Parameters WSPS2 - VPD automation system: • Open cassette stations • Robotic system: Fully automatic wafer handling and processing • PAD-Fume: Etching of surface and bulk Si • PAD-Scan: scanning of liquefied wafer surface • Scan options: Bevel scan (for wafer edges) and Hydrophilic surface scan
在双向脑计算机界面
摘要：纠缠熵或von Neumann熵，量化量子状态的不确定性。对于弯曲空间中的量子场，对于固定的背景几何形状，量子场理论自由度的纠缠熵被很好地确定。在本文中，我们提出了通过包括动力学重力来对量子场理论纠缠熵的概括。通过副本计算的分析延续，定义了称为有效的熵及其Renyi熵概括的广义数量。将复制的理论定义为具有原始边界条件的多个副本的重力路径积分，在我们正在研究的区域边界处具有共二维 - 2 brane。我们讨论了以规格不变的方式定义区域的不同方法，并表明有效的熵满足了量子极端表面公式。当量子场带有显着量的纠缠时，量子极端表面可以具有拓扑过渡，然后出现纠缠岛区域。我们的结果概括了全息熵的Hubeny-rangamani-takayanagi公式（带有量子校正）到没有渐近ADS边界的一般几何形状上，并为解决诸如蒸发黑孔的页面曲线等问题提供了更坚实的框架，这些问题是散布射精的散布液体的。我们将公式应用于两个示例系统，一个封闭的二维宇宙和一个四维最大扩展的Schwarzchild黑洞。我们研究了封闭的宇宙（没有空间边界），并讨论它与开放宇宙的关系。我们在随机张量网络模型中讨论了有效熵的类似物，该模型在一般动力学几何形状中提供了对量子信息属性的更具体理解。我们表明，在没有大型边界的情况下，例如在ADS空间情况下，至关重要的是要引入Ancilla，以正确地表征量子状态和随机张量网络中的相关函数，以便介绍将Ancilla融合到原始系统。是超密度运算符形式主义，我们使用Ancilla研究该系统，并显示纠缠岛中的量子信息如何可以在依赖于状态的和观察者依赖性图中重建。
基于...的耦合量子系统的最优控制
本文提出了一种对具有多个耦合自由度的量子系统进行近似最优控制模拟的方法。使用相互作用图中的一阶马格努斯展开来模拟时间演化，其中不同自由度之间的耦合被视为扰动。提出了一种数值实现程序，利用成对耦合和零阶时间演化算子的可分离性来降低计算成本，并根据自由度数对其进行了分析。该公式与无梯度方法兼容，可以优化控制场，并为此采用了随机爬山算法。作为说明，在控制场的影响下，对两个和三个偶极-偶极耦合分子转子系统进行了最优控制模拟。对于双转子系统，优化场以实现取向或纠缠目标。对于三旋翼系统，磁场经过优化，要么使所有三个旋翼朝向同一方向，要么使一个旋翼朝向特定方向，而另外两个旋翼指向相反方向。
立方 NaSbS2 作为离子电子耦合半导体……
这是以下文章的已接受版本：Harikesh, P. C., Surendran, A., Ghosh, B., John, R. A., Moorthy, A., Yantara, N., . . . Mathews, N. (2020). Cubic NaSbS2 as an ionic‑electroniccoupled semiconductor for switchable photovoltaic and neuromorphic device applications. Advanced Materials, 32(7), 1906976‑，最终版本已发布于 https://doi.org/10.1002/adma.201906976。本文可根据 Wiley 自存档政策 [https://authorservices.wiley.com/authorresources/Journal‑Authors/licensing/self‑archiving.html] 用于非商业用途。
5.4元素分析通过电感耦合等离子体
高温（7000-8000 k）高电子密度（1014-1016cm）许多要素的电离程度可观程度的电离同时多元能力（超过70个要素（包括P和S）超过70个元素，包括P和S）低背景排放和相对较低的化学干扰高稳定性高稳定性准确性和准确性iestion for Optim-1 e元素（最佳量）。 宽线性动态范围（LDR）（四到六个数量级）。适用于耐火元件成本效益分析
NF 系列弹簧复位直接耦合执行器
1/2” 导管连接器 过载保护 全程电子保护 0 至 95° 旋转 电气保护 辅助开关双重绝缘 旋转角度 95°, 可使用附件调节 30 至 95° 扭矩 60 英寸磅 [7 牛米] 恒定扭矩 旋转方向可逆，采用 CW/CCW 安装。位置指示视觉指示器，0° 至 95°（0° 为弹簧返回位置）辅助开关 1 x SPDT 7A (2.5A) @ 250 VAC，UL 认证可调节 5° 至 85° 运行时间电机：< 75 秒弹簧：< 60 秒湿度 5 至 95% RH 无凝结环境温度 -22°F 至 +122°F [-30°C 至 +50°C] 存储温度 -40°F 至 +176°F [-40°C 至 +80°C] 外壳 NEMA 2 型/IP54 外壳材料镀锌钢机构列表 UL 873 认证，CSA C22.2 No.24 认证噪音水平最大。45 dB (A) 免维护 质量标准 ISO 9001 重量 6.6 磅 (3.0 千克)技术数据 NF24 -S2 US 辅助开关 2 x SPDT 7A (2.5A) @ 250 VAC，UL 认证一组为 +5°，一组可调 25° 至 85°
通过... 将 pMUT 性能与 30% Sc 掺杂的 AlN 耦合
摘要 — 如果不是因为其有限的 e 31,f 压电系数，氮化铝 (AlN) 为压电微机械超声换能器 (pMUT) 提供了一种与 CMOS 兼容、稳定且无铅的解决方案。尽管已知增加 ScAlN 中的钪 (Sc) 掺杂含量可以提高机电耦合因子 (K t 2 ) 和整体声学性能，但结果在很大程度上取决于 ScAlN 薄膜的应力，尤其是对于空气耦合 pMUT。本研究旨在比较由于 Sc 含量从 20% 增加到 30% 而导致的 pMUT 性能（以 K t 2 为单位）与应力的关系，并考虑其对频率和膜静态变形的影响。结果表明，30% Sc 器件在 -50 MPa 时实现了平均 K t 2 >6%，与基于 PZT 的 pMUT 相当。与 20% Sc 相比，30% Sc 掺杂的 pMUT 传输压力灵敏度提高了 50%，双向灵敏度总体提高了 6 dB。
对表面质子耦合电子转移的反应性进行建模
Krauss，T。D.*; Bren，K。L.*; Matson，E。M*。 “通过多氧化烷层簇从CDSE量子点中增强光催化氢的活性”。 Commun。，2020，56，8762-8765。Krauss，T。D.*; Bren，K。L.*; Matson，E。M*。“通过多氧化烷层簇从CDSE量子点中增强光催化氢的活性”。Commun。，2020，56，8762-8765。
半导体微腔激子极化激元耦合谐振子分析
太赫兹 (THz) 时域光谱有助于深入了解半导体异质结构中的电子动力学。高场 THz 光谱探测 GaAs 量子阱 (QW) 系统的激子非线性响应，并能够在时域中测量其相干动力学。因此，THz 光谱可以让人们探索多体相互作用的基本特性以及半导体纳米器件技术的潜力。这项工作使用计算方法分析了半导体微腔中的光物质相互作用。当 QW 微腔中的激子与腔光子强耦合时，会形成一种称为激子极化子的新准粒子。本论文表明，具有光学和 THz 激发的经典耦合谐振子可用作模型来模拟激子极化子动力学及其量子相干现象。通过采用激子模式的时间相关衰减和改变光脉冲和 THz 脉冲之间的延迟，演示了激子-光子耦合系统的时间演化。由于强光物质杂化，在频谱中观察到正常模式分裂。最后，将本工作计算出的激子-极化子振荡与使用半导体布洛赫方程获得的参考计算结果进行了比较。