• GF_test 芯片:提交日期 11 月 21 日;芯片于 4 月 22 日收到:各种设计 • Michigan:提交日期 7 月 22 日;芯片于 11 月 22 日收到:10 GHz PLL、VCO、4 x 1GSPS ADC、SRAM • 低温离子阱控制器:提交日期 2023 年 1 月,收到日期 2023 年 5 月:16 通道离子阱控制芯片; • Si 光子驱动器/接收器;用于异常检测的 cryoAI 超快 NN;SQUIDDAC:SLUG_biasing;各种电平移位器测试结构 • Glebe:(与 Microsoft 合作)10 GSPS ADC(12 月 23 日) • Sunrock:32 通道 SNSPD()读数,带有 ~ps 时间标记(12 月 23 日)
摘要 侵袭性粘液腺癌 (IMA) 是肺腺癌的一种亚型,预后较差。由于咳嗽和痰液症状不典型,且支气管镜钳夹活检难以诊断,导致诊断和治疗延误。经支气管冷冻活检 (TBCB) 是一种肺活检技术,可通过内窥镜获取大样本,且挤压伪影有限。一名 61 岁女性因咳嗽有痰来我院就诊。胸部计算机断层扫描 (CT) 显示右下叶混合毛玻璃影和实变。对右下叶进行了内窥镜钳夹活检。但组织学检查未发现恶性发现。因此,我们怀疑是机化性肺炎,并使用类固醇对患者进行诊断性治疗。但患者的病情并未好转。在类固醇减量期间,她的咳嗽有痰加重,CT 显示实变增加。我们得出结论,需要再次活检和 TBCB。组织病理学检查显示肺泡被粘液取代,证实了 IMA 的诊断。使用钳子活检很难诊断的 IMA 可以使用 TBCB 进行诊断。临床医生可能希望考虑使用 TBCB 对类似于 IMA 的持续性肺泡阴影进行活检。
捕获的离子是建造通用量子处理器的有前途的候选者,具有单量量[1]和两分(2-5]门,具有量子误差校正所需的保真度[6,7]。通常使用电动 - 二极孔 - 弗尔登过渡实现,在该过渡中,状态寿命足够长,可以通过自发排放来忽略不可忽略,从而导致几分钟[8-10]或更长的时间[11]。 量子转换通常位于在电肢体转变[12]上工作的光学结构域,或在同一歧管内的超细状态之间的微波域中[13]。 尽管超细量子位位于微波域中,但通常使用刺激的拉曼过渡与紧密聚焦的激光束进行操纵,因为短的光波长可以使单Qubit Soperion [14]和离子自由度和运动自由度之间的有效耦合[15]。 利用刺激的拉曼过渡的激光驱动的操作从根本上遭受了光子散射引起的不忠行动[16-18]。 此外,刺激的拉曼操作对大规模量子处理器的缩放是具有挑战性的,因为需要控制许多高强度激光束并与sub-µm精度对齐。 微波辐射可直接驱动超精细或采率量子[15]。 但是,由于微波辐射的自由空间波长远大于激光光的空间,因此自由空间空间选择性和微波辐射的自旋运动偶联是不切实际的。 有,在该过渡中,状态寿命足够长,可以通过自发排放来忽略不可忽略,从而导致几分钟[8-10]或更长的时间[11]。量子转换通常位于在电肢体转变[12]上工作的光学结构域,或在同一歧管内的超细状态之间的微波域中[13]。尽管超细量子位位于微波域中,但通常使用刺激的拉曼过渡与紧密聚焦的激光束进行操纵,因为短的光波长可以使单Qubit Soperion [14]和离子自由度和运动自由度之间的有效耦合[15]。利用刺激的拉曼过渡的激光驱动的操作从根本上遭受了光子散射引起的不忠行动[16-18]。此外,刺激的拉曼操作对大规模量子处理器的缩放是具有挑战性的,因为需要控制许多高强度激光束并与sub-µm精度对齐。微波辐射可直接驱动超精细或采率量子[15]。但是,由于微波辐射的自由空间波长远大于激光光的空间,因此自由空间空间选择性和微波辐射的自旋运动偶联是不切实际的。有如果一个人能够在微波场中设计出较大的空间梯度,则可以增加几个数量级的空间选择性[19]和自旋运动耦合。实现有效微波场梯度的一种方法是将远场微波与强,静态磁场梯度相结合[20-22]。然而,此方法需要辐射原子涂层技术[23 - 25]才能最大程度地减少反应性,因为量子状态状态需要对磁场敏感。另一种解决方案是将离子定位在微波电流导体的近场状态下[15,26,27];在这里,场梯度取决于导体和导体几何形状的距离,而不是微波的自由空间波长。除了这些方法外,最近还使用射频场梯度振荡近距离接近离子的运动频率[28],最近还证明了一种新型的自旋运动耦合。微波技术比激光技术更成熟,并且用于许多日常设备,例如移动电话。它的成本低于激光系统,并且也更容易控制。微波电路也可以直接整合到离子陷阱结构中,这有助于促进基于芯片的离子陷阱的产生,这些陷阱可缩放到量子“ CCD样”设备中[15,29 - 32]。
摘要 — 近几年,人们系统地研究了低温互补金属氧化物半导体 (cryo-CMOS) 电路的开发,以实现操纵量子比特 (qubit) 状态所需的控制电子器件。可扩展性是量子计算从理论到实际应用发展的关键术语,CMOS 技术已被证明是实现令人垂涎的可扩展下一代量子计算机 (QC) 的有希望的候选技术。用于统一模拟和数字域的混合信号块在量子比特控制/读出系统的高效功能中起着关键作用,因此人们对其高性能电路实现的兴趣日益浓厚。这一项目的关键挑战是在低温下实现高效的低温操作,即接近 4 K 左右的量子比特,同时将功率要求保持在较低水平。本文概述并比较了迄今为止文献中提出的用于量子计算应用的低温 CMOS 数模转换器 (DAC) 和模数转换器 (ADC) 电路实现。还讨论了今后开发功能可扩展量子计算机所需的挑战和战略步骤。
fabrum冷冻机需要非常低的维护,并且具有在恶劣的环境中运行的能力,而在整个设备的生命中没有冷却性能的退化。这可以确保连续运行延长超过50,000小时。
摘要 - 低温磷化物(INP)高电子动力晶体管(HEMT)低噪声放大器(LNA)用于在4 K处的Qubits读数放大,其中冷却能力有限地暗示活性电路的DC功率是一个必不可少的设计约束。在本文中,在4 K处的超功率(ULP)操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。 将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。 制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的,并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。 在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益,平均噪声温度为200 µW DC功率。在本文中,在4 K处的超功率(ULP)操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的,并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益,平均噪声温度为200 µW DC功率。
尽管在抑制微振动方面取得了重大进展,但仍然需要真正无振动的替代性低温冷却技术。例如,这已在欧空局制定的欧洲空间领域空间技术需求路线图(即欧洲空间技术协调进程)中有所体现。主要驱动力之一是高质量卫星数据的市场不断增长,这些数据服务于无数的经济、科学和社会目标。虽然这一趋势起源于传统的政府资助的空间计划,但市场上新空间技术公司的数量和活动正在呈指数级增长。除了消除微振动之外,新空间趋势还需要更小、更便宜、更可靠的低温冷却器。因此,小型化、降低成本和可靠性也是关键挑战。
摘要:背景和目标:卵巢组织冷冻保存随后进行自动移植(OTCTP)是目前的唯一生育能力保存选择,用于青春期前患者。缓解后,当患者想受孕时,进行冷冻/解冻组织的自动移植。该过程的一个主要问题是主要是由于卵泡激活而直接移植后的卵泡损失。为了改善OTCTP过程中的卵泡存活,我们使用MTOR抑制剂雷帕霉素抑制了参与卵泡激活的mTOR途径。接下来,我们比较了两种不同的体内移植模型:最近描述的耳朵皮肤层之间的非侵入性异位移植模型,以及肾胶囊下更传统和侵入性的移植。材料和方法:研究冷冻保存期间添加雷帕霉素的影响,4周龄的C57BL/6小鼠卵巢,要么新鲜,较慢或用雷帕霉素缓慢冻干,在小鼠的肾脏胶囊下自动移植,并在三个星期后进行免疫组织(Immunoytical)分析。将耳朵与肾胶囊移植模型进行比较,将新鲜的4周龄的C57BL/6小鼠卵巢自动移植到任何一个位置,然后注入LY294002,PI3K抑制剂,媒介物对照或既不是ly294002,又不用于三周后的IHC分析。结果:雷帕霉素抵消冷冻保存引起的卵泡增殖,以及Akt和MTOR途径激活,在小鼠肾胶囊下自动移植了三周的卵巢自动移植。使用EAR或肾脏胶囊移植模型的移植卵巢中卵泡增殖,MTOR激活和LY294002处理的影响相似。结论:通过在OTCTP过程中添加雷帕霉素,我们能够在静止状态下瞬时维持原始卵泡。这是改善卵巢移植寿命的有前途的方法。此外,耳朵和肾胶囊移植模型均适合研究卵泡激活,增殖和药理策略。
尽管过去十年肿瘤反应和患者生存率取得了显著进展,但肺癌全身免疫疗法仅对约一半接受治疗的患者产生客观反应。基于这一局限性,人们正在研究联合策略以提高反应率。冷冻消融已被提议作为一种诱导免疫原性细胞死亡并与全身免疫疗法(包括免疫检查点抑制剂)产生协同作用的技术。冷冻消融传统上是在影像引导下经皮进行的,尽管最近的技术进步允许通过支气管镜进行。本文,我们回顾了冷冻消融在非小细胞肺癌中的应用以及可能诱导抗肿瘤免疫的临床前和临床证据。我们重点介绍了涉及这种方法的正在进行的研究,并提出了未来的研究领域。
轮廓:•背景•氦物理和3HE/4HE混合物的行为•制造实用的冰箱•从1960年代到今天的稀释冰箱的开发•现代设计和操作•MK温度下的材料和设计技术