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使用亚 10 纳秒电流实现反铁磁 CuMnAs/GaP 的低能开关
最近发现的具有空间反转不对称性的反铁磁 (AF) 材料的电诱导切换极大地丰富了自旋电子学领域，并为反铁磁 MRAM 概念打开了大门。CuMnAs 是一种具有这种电切换能力的有前途的 AF 材料，并且已经研究使用长度从毫秒到皮秒的电脉冲进行切换，但很少关注纳秒范围。我们在这里演示了使用纳秒脉冲切换 CuMnAs/GaP。我们的结果表明，在纳秒范围内，可以实现低能量切换、高读出信号以及高度可重复的行为，直至单个脉冲。此外，在同一设备上对正交切换和极性切换两种切换方法进行了比较，显示了两种不同的行为，可以选择性地用于不同的未来内存/处理应用。
室温下电产生和控制的反铁磁半 skyrmion
拓扑保护的磁性结构，如 skyrmion、半 skyrmion（meron）及其反粒子，构成磁序中的微小涡旋。它们是下一代存储设备中信息载体的有希望的候选者，因为它们可以利用电流诱导的自旋扭矩以极高的速度高效推进 [1, 2, 3, 4, 5, 6]。反铁磁体已被证明可以承载这些结构的版本，它们因其具有太赫兹动力学、无偏转运动和由于没有杂散场而改善的尺寸缩放的潜力而引起了广泛关注 [7, 8, 9, 10, 11, 12]。本文展示了拓扑自旋纹理、子和反子可以在室温下生成，并利用电脉冲在薄膜 CuMnAs 中可逆移动，CuMnAs 是一种半金属反铁磁体，是自旋电子应用的试验平台系统 [13, 14, 15, 16, 17, 18, 19]。反铁磁子子电生成和操控是充分发挥反铁磁薄膜作为高密度、高速磁存储器件有源元件的潜力的关键一步。
rinaldi基督教课程1
出生于1984年7月31日在科莫出生：已婚，两个子办公室：Polifab - Polifab - Politecnico di Milano的物理部，通过G. Colombo 81，20133 Milano电子邮件：Christian.rinaldi@rinaldi@polimi@polimi.it电话： 36545363200 Research ID: A-5686-2018 Web site: rinaldi.faculty.polimi.it/ I am an Associate Professor at Politecnico di Milano working on novel materials and phenomena related to spin-orbit physics ( spin-orbitronics ), research motivated by the willingness to exploit the spin of carriers in innovative electronic devices beyond CMOS.我从半导体Spintronics的博士学位开始了我的职业生涯。我探索了光旋取向和锗中旋转转运的物理。i开发了有效的自旋光二极管，通过自旋滤波来检测光螺旋的程度（adv。mater。2012）。作为捷克共和国物理研究所（T. Jungwirth教授）的客座研究人员，我通过对Cumnas进行开创性的研究为抗firomagnetic Spintronics的领域做出了贡献，为全电动读物和撰写反铁磁铁（Nature Commun。2013）。之后，我将精力投入到铁电性和自旋物理学的结合上，以寻求磁性或旋转传输的电气可控性。我为人工多表情的经典，非易失性的电力控制（自然公社2014，Adv。 电子。 mater。 2016）。 我撰写了对锗植也的第一次光谱研究（adv。 mater。 2016）。2014，Adv。电子。mater。2016）。我撰写了对锗植也的第一次光谱研究（adv。mater。2016）。我能够为开发自旋纹理的铁电剂作为铁电rashba半导体的发展设定独立的研究路径。i证明了这些材料允许对散装的散装式旋转纹理的前所未有的非挥发性控制（Nano Lett。2018）和硅兼容半导体中的自旋转换（自然电子2021）。这样的发现开放了一个全新的领域，并诞生了CMO之外的新设备，该设备能够进行记忆和基于旋转的计算，并在未来几十年的电子设备上具有超级功耗。