S. Krobthong A,K。Umma B,T。Rungsawang A,T。Mirian A,S。Wongrerkdee A,*,S。Nilphai c,*,K。Hongsith D,S。S. Choopun D,S。Wongrerkdee E,C.Raktham F,P. p. pimphag g,P。萨恩校园,纳洪病原体73140,泰国b科学系科学与农业技术系,拉贾马加拉科技大学兰纳大学兰纳大学,李·梅斯,泰国C物理学计划,科学技术系,泰国科学和科学系,自由艺术与科学学院,自由艺术和科学材料科学,Roi et Rajabhat University,Roi et roi and roi I Universitiat and roi Intact et 45120科科,朝鲜迈大学,夏安格·梅50200,泰国E工程学院,拉贾曼加拉技术大学,拉纳·塔克(Lanna Tak),塔克(Lanna Tak),塔克(Lanna tak),泰国(TAK 63000),泰国f教育学院,Uttaradit Rajabhat University,Uttaradit Uttaradit Uttaradit 53000,泰国泰国Gibers The thailand thailand thailand thailand thailand ththand thate in thailand ththand phits thit the phits phits thith the金属氧化物半导体的合成由于其在电子,光电子,催化和光伏电场等领域的广泛应用而引起了很大的关注。这项研究介绍了在不同的施加电压下通过两种探针电化学过程在蒸馏水中合成蒸馏水中的铜纳米颗粒(NP)。合成的氧化铜NP表现出从光到深棕色的色谱,表明蒸馏水中氧化铜的形成。利用tyndall效应的初步观察和红色激光证实了溶液的胶体性质。氧化铜增强了这些应用的效率,准确性,耐用性和响应时间。光致发光排放突出了合成氧化铜NP的半导体特性。氧化铜NP在较低的施加电压下表现出很小的量子点(QD),而较高的电压产生的尺寸较大。戒指样图案的出现表明了多晶结构,通过选定的区域电子衍射分析进一步证实了多晶的结构,从而证实了在低压下Cu 2 O的结晶结构,在较高的电压下证实了CUO。因此,这项研究证明了使用两种探针电化学过程合成氧化铜的直接方法,并通过调节施加的电压来产生QD和NP结构。(2024年10月14日收到; 2025年1月8日接受)关键词:氧化铜,电化学过程,纳米颗粒,量子点1.引入具有显着导电性能的金属氧化物半导体(MOS)已被广泛研究用于不同的应用。氧化铜是一种特别有趣的MOS,通常在各种领域中使用,包括传感器,催化剂,导电材料,水纯化系统,能源储能,抗菌剂和光伏电源[1]。但是,传统制备的氧化铜的粒径相对较大,在控制特定特性方面面临着挑战。减少纳米结构材料的大小为
关键词:化学合成,氧化铜(CUO),氧化锰(Mn 2 O 3)和Mn 2 O 3 /cuonanomamatials,超级电容器,环状伏安仪。1。Introduction: Mn 2 O 3 (manganese oxide) is helpful for supercapacitor applications due to its high specific capacitance, good electrical conductivity, and excellent electrochemical stability[1].Mn 2 O 3 is a non-toxic and environmentally benign material, making it suitable for sustainable energy storage applications[2].Mn 2 O 3 has a high specific capacitance, typically 200-400 F/g, which allows for high energy超级电容器中的存储密度[1,3] .mn 2 O 3具有相当好的电导率,可实现快速充电/放电速率和超级电容器的高功率密度。mn 2 O 3具有出色的电化学稳定性,可以长期循环寿命和超级电容器应用中的可靠性能[4] .cuo(氧化铜)可以表现出高达1000 f/g的特定电容,从而实现高能量密度。CuO的电导率比某些金属氧化物具有更好的电导率,从而改善了功率传递。它会经历可逆的还原氧化,导致高电容[5,6] .Combining Mn 2 O 3's和CuO的高电容(分别高达400 f/g和1000 f/g,分别为400 f/g和1000 f/g)会在MN 2 O 3/CUO组合中带来较低的整体电容性能[7]。 MN2O3,提高功率传递。两种金属氧化物的可逆氧化还原反应有助于高能量存储能力[8,9]。与单个氧化物相比,复合结构可以改善电化学稳定性。这些优点使用含有的土壤和低成本材料(如Mn和Cu)使这些复合材料在商业上可行[10]。
欧洲学院。 Jdeidet 90656, Lebanon C Laboratoire de Chimie Physique des Mat ´ Eriaux (LCPM/PR2N), Edst, Universit ´ and Libanaise, Facult ´ and des sciences II, d ´ttementment de Chimie, Fanar, Lebanon D Department of Analysis and Evaluation, Egyptian Petroleum Research Institute, Cairo, 11727, Egypt and Technische Universit - 柏林,材料科学技术学院教师III流程科学,高级陶瓷材料主席,Straß和Des17。juni 135,10623,柏林,德国柏林的柏林大学,柏林,弗里·塞米·伊米·伊斯蒂和生物化学研究所拉脱维亚I Riga,I萨利奥尔纳亚族Sumy州立大学的集体使用科学设备中心。31,40018 Sumy,乌克兰J苏米j化学和地球科学系物理化学系,维尔纽斯大学,维尔纽斯大学,立陶宛科学技术大学,阵风31,40018 Sumy,乌克兰J苏米j化学和地球科学系物理化学系,维尔纽斯大学,维尔纽斯大学,立陶宛科学技术大学,阵风
通过含有高能量密度的废物的铜(II)(II)氧化物/石墨烯(CUO/GO)纳米复合材料生产。确定了纳米复合材料,例如CuO,铜(I)氧化物(Cu 2 O),Cuo-Go,Cu 2 O-Go对H 2生产效率的影响。用XRD和FTIR分析分析了Cuo,Cu 2 O,Cu-go,Cu 2 o的物理化学特性,例如其结构,形态和表面性能,用于H 2产生H 2的产生。用气相色谱 - 质谱法(GC-MS)测量 H 2(G)生产。在实验研究中,不断控制H 2产生的重要最佳反应条件,例如温度,压力和反应速率。对于最大H 2产生(4897 mmol),电子孔对和纳米复合材料直径的寿命应分别为350 ns和10 µm。阳离子(CD +2和Fe +3)阴离子(Cl -1和SO 4 -2)浓度应为0.01 mg/L和0.1 mg/L,而CuO/GO纳米复合材料中的Cu +2 persentage应在40 mg/L浓度的纳米复合浓度中为3%,在40 mg/L浓度下,在pH = 8.0 mg/l = 8.0,在ph 40 mg/l = 8.0。由于这些结果,Al的H IG -igh能量密度可提供高H 2的高生产,而Al +3消耗率低。最后,Al +3水反应导致零温室气体排放,而Al +3反应是放热的,并且氢氧化铝[AL(OH)3]可以转换为Al 2 O 3,可以回收Al +3。
摘要:本文报道了一种简单廉价的湿化学法合成 Fe/Cr 共掺杂氧化铜纳米粒子的详细方法。用溶胶-凝胶化学法制备的纯 CuO 纳米粒子和 Fe、Cr 取代的 CuO 纳米粒子适合工业应用。初步的 X 射线衍射和 Rietveld 细化研究表明,该纳米粒子具有纯晶体性质,单斜晶体具有 C2/c 相。根据 Scherrer 公式计算的平均晶粒尺寸为 21nm 量级,进一步的观察表明,随着浓度的增加,晶体尺寸增加。扫描电子显微镜 (SEM) 图像显示粒子在 20-30nm 范围内。拉曼光谱研究表明,掺杂 Cr 和 Fe 的 CuO 纳米粒子中存在分子团。
通常可以观察到,已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆(NVSM)设备,逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比,已经选择了具有简单设备体系结构,快速开关属性,低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器(RRAM)设备[2-4]。到目前为止,已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是,所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物,例如氧化钛(Tio X)[8],氧化镍(Nio X)[9],氧化锌(ZnO)[10]或氧化物(HFO X)[11,12],已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中,氧化铜(CUO)也可以表现出出色的电阻转换(RS)特征[13]。作为一种无毒的,互补的金属氧化物半导体(CMOS)兼容和丰富的地球材料,铜(CU)已被广泛用于超大级构成(ULSI)设备中。因此,作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一,基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法,例如分子束外延(MBE)[14],化学蒸气沉积
摘要:本研究采用简单的一步水热合成方法合成了定义明确的稳定化 CuO 纳米花瓣,并通过先进的纳米表征技术研究了其表面,以增强光学和催化性能。透射电子显微镜 (TEM) 分析表征证实了高结晶度 CuO 纳米花瓣的存在,其平均长度和直径分别为 1611.96 nm 和 650.50 nm。纳米花瓣单分散,表面积大,形貌可控,并表现出具有单斜结构的纳米晶体性质。通过拉曼光谱和 X 射线衍射 (XRD) 图案确认了合成样品的相纯度。在 CuO 纳米花瓣中观察到高达 800 nm 的明显宽吸收和增加的带隙。利用 X 射线光电子能谱 (XPS) 测得 CuO 表面的价带 (VB) 和导带 (CB) 位置分别为 + 0.7 和 − 1.03 eV,这对于高效的催化性能非常有前景。此外,在过氧化氢 (H 2 O 2 ) 存在下获得的 CuO 纳米花瓣对黑暗条件下降解亚甲蓝 (MB) 具有优异的催化活性,90 分钟后的降解率 > 99%,明显高于文献报道的水平。增强的催化活性归因于单分散 CuO 纳米花瓣的形貌可控、H 2 O 2 的协同作用和能带结构。这项工作为环境改善的广泛应用机会提供了一种新方法。
化学浴沉积(CBD)用于在玻璃基板上生长ZnO纳米棒。种植的Zno纳米棒被浸入含铜三水合物中[Cu(no 3)2 .3 H 2 O]在90℃的溶液30分钟,然后在400°C下在400℃退火1 h,以将Cu 2 +离子转换为CU 2 +离子以Cuo Nanoparticles转换为Zno/coopompompompompots,并形成Zno/Cuopompomps shiocompompssip。从田间发射扫描电子显微镜(FESEM)获得的图像表明,ZnO结构由Cuo纳米颗粒中涂层的纳米棒组成。ZnO NRS和ZnO/CuO纳米复合材料的光吸收均被强烈边缘,能量间隙分别为3.26和3.21 eV。在不同的pH条件下,在室温下研究了制成的ZnO NRS和ZnO/CuO纳米复合材料薄膜针对尖脂素染料的光降解速率。通过增加暴露于溶液的光和/或pH的时间来增加染料的光降解速率。随着pH值从4增加到4,在330分钟后,pH值从4增加到12,在可见光照射下的光降解速率范围从36%到100%,pH值从4增加到4,pH值为12,pH值为12,pH值为12,pH值减少到78%。此外,还进行了ZnO/CuO纳米复合材料的acriflavin Degra dation的反应性物种的捕获实验
晶体生长过程。但由于胶体纳米晶体在与周围基质相互作用的同时经历快速成核和生长,因此晶体生长动力学难以控制。纳米晶体胶体溶液中微结构的形成通常用奥斯特瓦尔德熟化 (OR) 理论来解释。21,25,26 OR 机制被广泛用于解释纳米晶体的晶体生长,纳米晶体可产生直径较大的颗粒,通常在微米尺寸范围内。然而,在某些情况下,纳米晶体的晶体生长在纳米范围内通常无法用 OR 动力学来解释。27 – 29 在纳米尺度上,有证据表明晶体生长更受另一种机制的主导,称为取向附着 (OA),其中纳米晶体通过共享共同的晶体取向自组装成单晶。 30,31“ OA ”的概念最早由 Banfield 等人在研究 TiO 2 纳米晶体的水解合成时提出。32 从那时起,这种基于聚集的晶体生长概念就对构建纳米级材料很有吸引力。由于 OA 工艺通过增强自下而上的制造工艺实现了初级纳米晶体的自组装,因此它可以生产出具有多种特性的新型结构,不同于相应的块体材料。特别是,OA 工艺已被证明是一种制备各向异性纳米结构的有效方法,其中纳米晶体种子的附着总是引导自组装到一个取向,从而产生一维纳米线或纳米棒。33 – 35 在 OA 机制中,晶体生长速率与表面能呈指数相关。晶体生长沿特定晶面进行,这取决于与晶体面相关的相对比表面能。36 各个面的表面能差异会导致较高表面能平面生长得更快,而较低表面能平面则作为产品的面。例如,研究表明,由于 [001] 和 [101] 面之间的表面能差异,金红石 TiO 2 纳米晶体通过沿 [001] 方向融合纳米晶体形成一维项链状纳米结构,从而促进 OA 机制的定向晶体生长。32 在另一项最近的研究中,实时观察到了由 OA 机制引导的氢氧化铁颗粒的形成,证明了晶体生长过程中纳米晶体的旋转和晶体取向。 37 OA 还被证实可用于制备 ZnO 纳米棒、38 MnO 多足体、39 稀土金属氧化物纳米颗粒 40 以及具有各种形貌的混合氧化物纳米结构。21 尽管 OA 指导合成了具有各种形貌的形状和尺寸控制的金属氧化物和混合氧化物纳米结构,21 在OA驱动的湿化学合成中构建尺寸控制的金属氧化物纳米线的例子非常少。41,42
摘要:开发了一种生态毒性评估(其ECO)的综合测试策略,以帮助使用Bivalve Mytilus SPP在海洋环境中沉积的工程纳米材料(ENM)的危害和命运评估。作为测试物种。以原始形式(Core)或功能化的涂层(聚乙烯乙二醇[PEG],羧基[COOH]和Ammonia [nh 3]),基于其生产水平和使用水平和使用水平和使用,以原始形式(CORE)或功能化涂料(PEG],羧基[COOH]和使用功能化的涂料(PEG)[PEG],羧基[COOH]和使用功能化的涂料(PEG),羧基[PEG],羧基[PEG] [PEG],羧基[PEG] [PEG],羧基[PEG] [PEG]),ENMS铜(II)(II)氧化物(II)(TiO 2)(TIO 2)。ITS ECO的第1层中的高吞吐量揭示了CuO ENMS会引起对贻贝血细胞溶酶体的细胞毒性作用,并具有危险的潜在Cuo PEG> Cuo Cooh> Cuo Cooh> Cuo NH 3> Cuo nh 3> Cuo Core,而不是cu 2 Enmeas 2 Enms cytoxic cytoxic。还看到了体内暴露后血细胞的遗传毒性以及贻贝的g孔细胞(48 h)对CuO ENM。在第2层(48 h - 21天)中的体内暴露更长的体内暴露显示CuO和TiO 2 ENM的亚急性和慢性氧化作用,在某些情况下导致脂质过氧化(Core TiO 2 ENMS)。在3层生物蓄积研究中,发现了Cu(主要是在g中)和Ti(主要是消化腺)以及不同核心和涂层ENM之间的不同摄取模式。明确发现对危害和命运的依赖性和涂层依赖性影响。总体而言,使用分层测试方法,ITS ECO能够区分不同组成和涂料的ENM所带来的危害(急性,亚急性和慢性效应),并为这些ENM的环境风险评估提供了有关命运的信息。环境毒素化学2022; 41:1390 - 1406。©2022作者。环境毒理学和化学由Wiley Wendericals LLC代表SETAC发表。