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Maxwell 混合纳米流体 (Cu-Al2O3/水) 和 (CuO-Ag/...
摘要。本文研究了麦克斯韦混合纳米流体（Cu-Al 2 O 3 /水和CuO-Ag/水）在延伸薄片上的驻点处的情况。该问题的动机在于它在提高现代传热应用中的热效率方面具有潜在重要性，这对于优化制造工艺和节能技术至关重要。因此，本研究研究了非牛顿麦克斯韦纳米液体穿过混合对流边界层（BL）并传播热量通过包含混合纳米颗粒的收缩/拉伸表面。在当前的工作中，涉及两种不同类型的混合纳米流体：Cu-Al 2 O 3 /水和CuO-Ag/水。将铜颗粒（Cu）和氧化铜颗粒（CuO）混合到Al 2 O 3 /水和Ag/水纳米流体中以研究这两种类型。流动受到均匀磁场（MF）和驻点的影响。问题源于它们增强的导热性和传热能力，这对于提高先进冷却系统和涉及驻点流的工程应用中的能源效率至关重要。通过利用适当的变换，偏微分方程 (PDE) 被转换为常微分方程 (ODE)。原型利用四阶龙格-库塔 (RK-4) 方法结合射击技术进行计算分析。当前工作的成果对驻点流具有适用意义，例如核反应堆的冷却、支持者对微电子程序的冷却、拉丝、聚合物挤出和许多工程流体动力学应用。从理论和数值上研究了所选因素对温度、速度、传热速率和表面摩擦系数的影响。发现不同混合纳米粒子的存在以及其他参数的影响对速度和温度分布都起着重要作用。此外，驻点在液体流动中产生了分离极限，从而逆转了这些流动区域之间的磁场影响。 2020 数学科目分类：76A05、76D10、76W05、80A20、65L06 关键词和短语：混合纳米流体、非牛顿麦克斯韦流体、驻点、磁流体动力学、拉伸表面
Cu2O和Cuo的合成和表征...
S. Krobthong A，K。Umma B，T。Rungsawang A，T。Mirian A，S。Wongrerkdee A，*，S。Nilphai c，*，K。Hongsith D，S。S. Choopun D，S。Wongrerkdee E，C.Raktham F，P. p. pimphag g，P。萨恩校园，纳洪病原体73140，泰国b科学系科学与农业技术系，拉贾马加拉科技大学兰纳大学兰纳大学，李·梅斯，泰国C物理学计划，科学技术系，泰国科学和科学系，自由艺术与科学学院，自由艺术和科学材料科学，Roi et Rajabhat University，Roi et roi and roi I Universitiat and roi Intact et 45120科科，朝鲜迈大学，夏安格·梅50200，泰国E工程学院，拉贾曼加拉技术大学，拉纳·塔克（Lanna Tak），塔克（Lanna Tak），塔克（Lanna tak），泰国（TAK 63000），泰国f教育学院，Uttaradit Rajabhat University，Uttaradit Uttaradit Uttaradit 53000，泰国泰国Gibers The thailand thailand thailand thailand thailand ththand thate in thailand ththand phits thit the phits phits thith the金属氧化物半导体的合成由于其在电子，光电子，催化和光伏电场等领域的广泛应用而引起了很大的关注。这项研究介绍了在不同的施加电压下通过两种探针电化学过程在蒸馏水中合成蒸馏水中的铜纳米颗粒（NP）。合成的氧化铜NP表现出从光到深棕色的色谱，表明蒸馏水中氧化铜的形成。利用tyndall效应的初步观察和红色激光证实了溶液的胶体性质。氧化铜增强了这些应用的效率，准确性，耐用性和响应时间。光致发光排放突出了合成氧化铜NP的半导体特性。氧化铜NP在较低的施加电压下表现出很小的量子点（QD），而较高的电压产生的尺寸较大。戒指样图案的出现表明了多晶结构，通过选定的区域电子衍射分析进一步证实了多晶的结构，从而证实了在低压下Cu 2 O的结晶结构，在较高的电压下证实了CUO。因此，这项研究证明了使用两种探针电化学过程合成氧化铜的直接方法，并通过调节施加的电压来产生QD和NP结构。（2024年10月14日收到； 2025年1月8日接受）关键词：氧化铜，电化学过程，纳米颗粒，量子点1.引入具有显着导电性能的金属氧化物半导体（MOS）已被广泛研究用于不同的应用。氧化铜是一种特别有趣的MOS，通常在各种领域中使用，包括传感器，催化剂，导电材料，水纯化系统，能源储能，抗菌剂和光伏电源[1]。但是，传统制备的氧化铜的粒径相对较大，在控制特定特性方面面临着挑战。减少纳米结构材料的大小为
研究MN2O3的化学合成，CuO，...
关键词：化学合成，氧化铜（CUO），氧化锰（Mn 2 O 3）和Mn 2 O 3 /cuonanomamatials，超级电容器，环状伏安仪。1。Introduction: Mn 2 O 3 (manganese oxide) is helpful for supercapacitor applications due to its high specific capacitance, good electrical conductivity, and excellent electrochemical stability[1].Mn 2 O 3 is a non-toxic and environmentally benign material, making it suitable for sustainable energy storage applications[2].Mn 2 O 3 has a high specific capacitance, typically 200-400 F/g, which allows for high energy超级电容器中的存储密度[1,3] .mn 2 O 3具有相当好的电导率，可实现快速充电/放电速率和超级电容器的高功率密度。mn 2 O 3具有出色的电化学稳定性，可以长期循环寿命和超级电容器应用中的可靠性能[4] .cuo（氧化铜）可以表现出高达1000 f/g的特定电容，从而实现高能量密度。CuO的电导率比某些金属氧化物具有更好的电导率，从而改善了功率传递。它会经历可逆的还原氧化，导致高电容[5,6] .Combining Mn 2 O 3's和CuO的高电容（分别高达400 f/g和1000 f/g，分别为400 f/g和1000 f/g）会在MN 2 O 3/CUO组合中带来较低的整体电容性能[7]。 MN2O3，提高功率传递。两种金属氧化物的可逆氧化还原反应有助于高能量存储能力[8,9]。与单个氧化物相比，复合结构可以改善电化学稳定性。这些优点使用含有的土壤和低成本材料（如Mn和Cu）使这些复合材料在商业上可行[10]。
Paulos T等。用于抗菌应用的ZnO-CUO纳米复合材料的合成。 Pharma Sci分析Res J 2024，6（4）：180092。Paulos T等。用于抗菌应用的ZnO-CUO纳米复合材料的合成。 Pharma Sci分析Res J 2024，6（4）：180092。
在这项研究中，使用溶液燃烧方法在500°C的温度下成功合成了0.95zno-0.5cuO纳米复合材料6小时。使用X射线衍射（XRD）和紫外可见（UV-VIS）光谱分析材料的结构和光学特性。使用针对大肠杆菌（大肠杆菌）的琼脂井扩散法测试了抗菌特性。XRD分析显示尖锐的Bragg峰，表明纳米复合材料的高结晶度。该材料表现出六边形（ZnO）和单斜晶（CUO）相的混合物。计算的结晶石尺寸为20.18 nm，确认了复合材料的纳米级结构。UV-VIS光谱学在紫外线下显示出光学活性，测得的光条间隙为3.11 eV。抗菌测试显示出令人鼓舞的结果，复合材料在15.6 mg/ml浓度的抑制区直径为15.12 mm，针对大肠杆菌。
H2通过Cuo/ ... div>从铝废物产生能源生产H2通过Cuo/ ... div>从铝废物产生能源生产
通过含有高能量密度的废物的铜（II）（II）氧化物/石墨烯（CUO/GO）纳米复合材料生产。确定了纳米复合材料，例如CuO，铜（I）氧化物（Cu 2 O），Cuo-Go，Cu 2 O-Go对H 2生产效率的影响。用XRD和FTIR分析分析了Cuo，Cu 2 O，Cu-go，Cu 2 o的物理化学特性，例如其结构，形态和表面性能，用于H 2产生H 2的产生。用气相色谱 - 质谱法（GC-MS）测量 H 2（G）生产。在实验研究中，不断控制H 2产生的重要最佳反应条件，例如温度，压力和反应速率。对于最大H 2产生（4897 mmol），电子孔对和纳米复合材料直径的寿命应分别为350 ns和10 µm。阳离子（CD +2和Fe +3）阴离子（Cl -1和SO 4 -2）浓度应为0.01 mg/L和0.1 mg/L，而CuO/GO纳米复合材料中的Cu +2 persentage应在40 mg/L浓度的纳米复合浓度中为3％，在40 mg/L浓度下，在pH = 8.0 mg/l = 8.0，在ph 40 mg/l = 8.0。由于这些结果，Al的H IG -igh能量密度可提供高H 2的高生产，而Al +3消耗率低。最后，Al +3水反应导致零温室气体排放，而Al +3反应是放热的，并且氢氧化铝[AL（OH）3]可以转换为Al 2 O 3，可以回收Al +3。
对对乙酰氨基酚的敏感伏安检测在Cuonps-Mwcnts修饰的玻璃碳电极上具有增强的阴离子表面活性剂
在本工作中，开发了一种使用差异脉冲伏安法技术的伏安法，用于评估抗染料和镇痛药，乙酰氨基酚。制备并表征CuO纳米颗粒。使用了用CuO纳米颗粒（Cuonps）和多壁碳纳米管（MWCNT）制造的玻璃碳电极（GCE）。修饰的电极通过在磷酸盐缓冲液中引入阴离子表面活性剂硫酸钠，显示出改善的阳极峰电流。在生理pH值为7.4的情况下研究了支撑电解质的pH，纳米颗粒悬浮液的量和表面活性剂浓度的影响。使用差异脉冲伏安法，制造的电极显示了对乙酰氨基酚浓度的线性动态范围。从校准图中，计算出的检测极限为5.06 nm，定量极限为16.88 nm。该方法在一天的日期和盘中也测试了其可重现性和测定。开发的过程是有效地应用的，以检测给婴儿施用的小儿口服悬浮液中的对乙酰氨基酚。
ZnO/CuO纳米复合材料的制备和表征，用于高效可见光光催化的斜叶粉染色</div>
化学浴沉积（CBD）用于在玻璃基板上生长ZnO纳米棒。种植的Zno纳米棒被浸入含铜三水合物中[Cu（no 3）2 .3 H 2 O]在90℃的溶液30分钟，然后在400°C下在400℃退火1 h，以将Cu 2 +离子转换为CU 2 +离子以Cuo Nanoparticles转换为Zno/coopompompompompots，并形成Zno/Cuopompomps shiocompompssip。从田间发射扫描电子显微镜（FESEM）获得的图像表明，ZnO结构由Cuo纳米颗粒中涂层的纳米棒组成。ZnO NRS和ZnO/CuO纳米复合材料的光吸收均被强烈边缘，能量间隙分别为3.26和3.21 eV。在不同的pH条件下，在室温下研究了制成的ZnO NRS和ZnO/CuO纳米复合材料薄膜针对尖脂素染料的光降解速率。通过增加暴露于溶液的光和/或pH的时间来增加染料的光降解速率。随着pH值从4增加到4，在330分钟后，pH值从4增加到12，在可见光照射下的光降解速率范围从36％到100％，pH值从4增加到4，pH值为12，pH值为12，pH值为12，pH值减少到78％。此外，还进行了ZnO/CuO纳米复合材料的acriflavin Degra dation的反应性物种的捕获实验
氧化石墨烯诱导的TiO2/catio3/...
欧洲学院。 Jdeidet 90656, Lebanon C Laboratoire de Chimie Physique des Mat ´ Eriaux (LCPM/PR2N), Edst, Universit ´ and Libanaise, Facult ´ and des sciences II, d ´ttementment de Chimie, Fanar, Lebanon D Department of Analysis and Evaluation, Egyptian Petroleum Research Institute, Cairo, 11727, Egypt and Technische Universit - 柏林，材料科学技术学院教师III流程科学，高级陶瓷材料主席，Straß和Des17。juni 135，10623，柏林，德国柏林的柏林大学，柏林，弗里·塞米·伊米·伊斯蒂和生物化学研究所拉脱维亚I Riga，I萨利奥尔纳亚族Sumy州立大学的集体使用科学设备中心。31，40018 Sumy，乌克兰J苏米j化学和地球科学系物理化学系，维尔纽斯大学，维尔纽斯大学，立陶宛科学技术大学，阵风31，40018 Sumy，乌克兰J苏米j化学和地球科学系物理化学系，维尔纽斯大学，维尔纽斯大学，立陶宛科学技术大学，阵风
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积