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半导体直拉生长的最佳对流条件
由于碳浓度对于高功率器件至关重要，因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器，以及即将在微电子（高速 FET 和 HEMT 器件）和功率器件（FET 阵列）中应用，到目前为止，砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度（液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”），位错问题已有所缓解。然而，腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化，典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2，以及实现用于高速设备的半绝缘材料（没有高度扩散的补偿铬）所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产（产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片）。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流，它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布（和数量？）。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式，并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。
使用连续的Czochralski方法
附录B，一项提案必须是不会：（1）威胁违反适用的法定，监管或许可证要求环境，安全和健康的要求，或者对DOE或执行命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。
直拉硅中氧化物沉淀过程中 Si 自填隙发射的实验测定
我们采用了 Torigoe 和 Ono [ J. Appl. Phys. , 121 , 215103 (2017)] 的方法来研究直拉硅中氧化物沉淀过程中 β 的动力学，β 是每个沉淀氧原子发射的自间隙子数量。为此，我们使用了具有埋入式高 B 掺杂外延层的 pp 外延晶片，并在 950 °C 下进行和未进行热预处理进行退火。根据结果，我们得出结论，在没有热预处理的氧化物沉淀的初始阶段，β 非常高，然后下降到较低的值。在 800 °C 下进行 2 小时的热预处理后，β 的初始值会稍低，然后也会下降。如果在 950 °C 热处理之前进行成核退火，β 值从一开始就很低。所有这些结果都通过实验证实了我们之前发表的理论预测。这项研究还表明，晶体拉制过程会影响初始 β 值，因为生长的氧化物沉淀物核可以通过空位吸收来降低其应变。因此，在氧化物沉淀物成核时晶体冷却过程中的高空位过饱和会导致初始 β 值略低。© 2024 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ad670d ]
IEEE 光伏专家会议 (PVSC) 的太阳能和存储技术经济分析教程
晶体硅 • 多晶硅生产 • 硅锭和硅片：直拉法 (Cz)、定向凝固 (DS)、无切口技术，可生产 Cz 和 DS 等效物 • 电池转换：通过丝网印刷、电镀和无主栅技术生产单面和双面 PERC、PERT、HJT 和 IBC • 模块组装：标准接线和串接、无主栅和叠瓦
博士bhaumik的印第安纳尔
我们的研究重点是理解晶体结构与铁族之间的相关性以及材料的光学特性，主要是单晶形式。研究区域跨越线性和非线性光学元件，激光材料，压电，铁电，宽带隙半导体和闪烁器。单晶在实验室中通过几种复杂的技术（例如Czochralski方法，光浮带，Bridgmann技术和溶液生长技术）生长。设计和开发了几种专门的水晶增长设备。我们还旨在通过将宿主晶体掺入非线性光学，激光，压电和铁电动应用来定制材料的性质。
E&CE 631 微电子加工技术
讲师：CR (Selva) Selvakumar 办公室：DC 3712，电话：x 33978（不适用于 W2021，发送电子邮件）电子邮件：selvakumar@uwaterloo.ca 网站：参见 UW-LEARN 本课程将介绍集成电路制造的原理和实践。主要重点是硅技术，尽管也将涉及 GaAs 和其他复合半导体技术的几个方面。本课程旨在涵盖的主题包括：1. 半导体 IC 工艺技术概述。2. 晶体生长（Czochralski、浮区、抛光、吸杂、挑战）3. 氧化（动力学、Deal-Grove 模型、速率常数、高压氧化、
Eu 掺杂的 Bi12GeO20 (BGO) 的光学研究...
摘要：研究了采用低热梯度提拉技术（LTG Cz）生长的 Eu 3 + 掺杂 Bi 12 GeO 20（BGO）硅铅矿块状晶体的光谱特性。测量了室温（300 K）和 10 K 下的吸收光谱和发射特性。观察到由 Eu 3 + 离子直接激发和由 Bi 3 + 和 Eu 3 + 离子之间的能量转移引起的紫外激发下的发光。研究了 Eu 3 +：BGO 掺杂基质中 Bi 3 + → Eu 3 + 的能量转移机制。基于 Judd-Ofelt 形式计算了 Ω λ 参数和辐射寿命。基于获得的实验结果，还确定了分支比和电偶极跃迁概率。已观察到 Eu 3 + 的 5 D 0,1,2 能级发出的发光，其中 5 D 0 能级的发光最强。观察到的最强发光带对应于 578.7 nm 处的 5 D 0 → 7 F 0 跃迁。研究了理论上被禁止的 5 D 0 → 7 F 0 发光强烈存在的原因。
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。