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固态冷却系统 - AMS 技术
amS technologies 从那时起就一直为各种高科技市场提供解决方案，包括可再生能源、医疗、国防和航空航天、电信和数据通信、研究和科学以及其他各种工业领域。我们的客户群包括欧洲最大的领先技术公司、大学和研究机构网络以及最有前途的初创企业，并通过德国、英国、法国、意大利、西班牙和挪威的当地办事处网络提供服务，并在德国慕尼黑设有专门的运营和物流中心。
重大信息技术发展项目资金年中报告
9 人类服务部 马里兰州全健康信息网络 (MD THINK) PIR 10 自然服务部 DNR 现代化和一站式集成项目 PIR 11 自然服务部 公园预订和收入管理系统 PPR 12 信息技术部 企业解决方案规划计划 (ESPI) PIR 13 信息技术部 马里兰州一站式门户 (OneStop) PIR 14 信息技术部 语音和数据通信现代化 (VDM) PIR 15 信息技术部 网络马里兰州 100GB 主干网升级 (100GB) PIR 16 信息技术部 MD FiRST 无线电塔和回程改进项目 (RADIO) PIR 17 信息技术部 企业地理信息系统 (GIS) 现代化 PIR 18 信息技术部 远程劳动力支持 (RWE) PPR 19 信息技术部 网络马里兰州 (nwMD) 现代化 PPR 20 公共安全和
（受邀）电泵送GESN/SIGESN激光
Si的光子集成电路，其中光学组件是单层集成在SI集成电路上的，有望在未来的信息和通信技术基础架构中占主导地位。由主动组件和被动组件组成的SI光子（SIPH）技术已经在大量应用中广泛使用，范围从DataCom到检测系统。最近，SIPH进入了集成量子技术，光学计算和人工智能的新兴领域中的低温应用技术平台。尽管如此，可以仅使用组IV半导体制造的有效的电泵光源仍然是一个重大挑战。通过将半金属的替代掺入替换为GE晶格而获得的新型GESN和Sigesn半导体可获得比其他组IV型半导体合金提供的一些优势：通过正确选择合金组成和外部材料，这些材料将这些材料转化为基本直接型号的单个型号bardgap semiciccaptors。第四组通常缺少的此属性使（SI）GESN系统对有效的光源非常有吸引力。使用该材料系统，近年来达到了IV激光的主要里程碑，例如光学抽水散装和多Quantum Wells（MQW）激光器的激光器，直至室温。
用于氮化硅光子学的高效超材料工程光栅耦合器
摘要：氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而，标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器，较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度，从而导致较长的衍射结构，限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起，采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中，我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中，利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料，可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度，而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟，设计了一种超材料工程光栅耦合器，其耦合效率为 − 1.7 dB，工作波长为 1.31 µ m，1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法，可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。
Microlens在光子整合电路上的集成
在本文中，我们讨论了3个示例，其中微透镜可以成为解决光纤阵列和光子积分电路（PIC）之间耦合挑战的有用工具。这项工作中使用的（阵列）通过光孔反射方法实现了（可以单层集成在PIC的背面，或者可以单独地集成在PIC的后侧，或者可以在PIC的设备侧安装。第一个示例涉及在感应图片的背面蚀刻的硅微透镜（在C波段中运行），目的是用于放松的对齐公差，并使设备侧没有接口纤维。第二个示例涉及实施4毫米长的工作距离扩展的梁（30 µm模式场直径，C型波段）界面，用于电信/数据量应用程序，该应用程序也极大地放松了PIC上的GRATINAL耦合器和A纤维阵列之间的横向和纵向对齐公差。最终示例涉及在这个长的工作距离扩展的梁界面中的隔离器的集成。隔离器堆栈由偏振器（0.55 mm厚），非重生法拉第旋转器（485 µm厚的薄膜闩锁Faraday旋转器）和半波板（HWP，91 µm石英）组成。我们获得了宽带操作，表现出非常低的（1至1.5 dB之间）的插入损失和良好的灭绝比（17至20 dB之间）C波段（约1550 nm）
晶圆级光学制造
市场新闻 6 功率半导体器件需求上升，推动宽带隙市场发展 微电子新闻 8 Fraunhofer IAF 报告创纪录的 640GHz InGaAs MOSHEMT 晶体管 •富士通荣获 IEEE HEMT 里程碑奖 •Qorvo 融资 2 亿美元 宽带隙电子新闻 14 SiCrystal 将向 ST 供应价值 1.2 亿美元的 150 毫米 SiC 晶圆 •II–VI 签署协议，供应价值 1 亿美元的 SiC 基板 •住友开始生产 150 毫米 GaN-on-SiC •GaN Systems 从 SPARX 获得资金 •IVWorks 融资 670 万美元 •GaN 电源充电器在 CES 上展出 •JST 的 NexTEP 计划生产基于 THVPE 的块状 GaN 生长设备 材料和加工设备新闻 33 Shin-Etsu 获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可 •Aixtron 获得 PlayNitride 的 μ LED 生产资格 •BluGlass 和 Luminus合作评估 RPCVD 隧道结级联 LED LED 新闻 42 Plessey 在硅上开发原生红色 InGaN LED，用于 μ LED 显示屏 • TowerJazz 与 Aledia 合作开发纳米线 LED 工艺 • MICLEDI 从 imec.xpand、PMV、FIDIMEC 融资 450 万欧元 • Nakamura 将获得 NAS 奖 光电子新闻 43 TDK 投资 SLD Laser • ON Semi 与 SOS LAB 合作开发 LiDAR • Ambarella、Lumentum 与 ON Semi 合作开发 3D 感应 光通信新闻 51 II–VI 在 150mm GaAs 上推出高速数据通信 VCSEL，用于消费电子产品中的光纤 HDMI 电缆 PV 新闻 58 晶科能源与上海空间电源研究所合作
用于 Computercom 的紧凑型光学 TX 和 RX 宏单片集成在 45nm CMOS 中
摘要 — 随着光通信的覆盖范围不断缩小，光子学正从机架到机架数据通信链路转向需要不同架构的厘米级计算机内应用 (computercom)。集成光学微环谐振器 (MRR) 正成为满足更严格的面积和效率要求的有吸引力的选择：它们通过波分复用 (WDM) 和高带宽密度提供缩放。在本文中，我们介绍了在 45 nm CMOS 中单片集成的用于 computercom 的紧凑型电光发射 (TX) 和接收 (RX) 宏。它们与 MRR 调制器和光电探测器一起工作，并包括所有必要的电子器件和光学器件，以实现片上数据源和接收器之间的光学链路。通过感测驱动电子器件中的光学设备的偏置电流而不是使用外部工作点感测光学器件，实现了最紧凑的热稳定性实现。使用场效应晶体管作为加热元件（在单片集成平台中是可能的）可进一步减少热控制所需的面积和功率。TX 宏的工作数据速率高达 16 Gb/s，消光比 (ER) 为 5.5 dB，插入损耗 (IL) 为 2.4 dB。RX 宏在 12 Gb/s 时灵敏度为 71 µ A pp，BER ≤ 10 − 10。用宏构建的芯片内链路在 10 Gb/s 时实现 ≤ 2.35 pJ/b 的电气效率和 BER ≤ 10 − 10。两个宏都在 0.0073 mm 2 内实现，每个宏的带宽密度为 1.4 Tb/s/mm 2。
choi jae -sik -Vitae学术研究网站奖/荣誉课程
•Han Kuk -Ji和Hak -Hak奖，KSC2023 Praram WI，2024年6月。•中国苏联，大尼尼·尼古恩大学的负责人和2022年11月。•KAIST KAIST KIST创新Shin Sang -Sang，Snow -Priests，Gong -Gi -Gi -Gi -Ki和扩展，2021年12月。•2019年5月，Ki -ki -ki的Ki -Gi Vanmago政府核心。•gukguk -no -no -no -no -Score，骑兵型铜生和ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki -ki and Expention，2019年4月。•GAMSA，深俄罗斯宁设备SOBO IL俄罗斯Sagi Sagi Sagi Sagi，East West Power Co.，Ltd.，2019年4月。•年轻的特别荣誉，Unist，2018年9月（约占Lim Won -Won的5％）。•Foursecoema Hyuk Shin Sang，2018年8月。•1st，UEC杯1 DI头发卷发大省，2018年3月。•第1次，比赛研讨会，Diji Hair curling Ling University，2017年11月。•gamsa，深俄罗斯宁班儿子太阳和posco，2017年7月。•Choi Woo -SOO的声明，国际大数据情报与计算会议（Datacom），IEEE计算社会，2015年。•学习 /事件 / Ingong Ji -sang，贝克·曼（Beck Man -Gu），伊利诺伊·诺伊·尤利（Il li noi ju Lip University University kyulbana）-Shampoin，2009年。< / div>•科学技术系，前Ki -kwan，前国家富斯计算机，1990年。
史坦顿岛经济发展公司
执行委员会 拉尔夫·布兰卡 主席 帝国州银行 斯坦利·M·弗里德曼 高级执行副主席 罗伯特·摩尔 执行副主席 詹姆斯·P·莫利纳罗 副主席 帕梅拉·哥伦比亚 秘书 州立消防公司 菲利普·瓜尔涅里 财务主管 帝国州银行 沃尔特·达什科夫斯基 Daszkowski，汤普金斯，Weg & Carbonella 卡罗尔·德西纳 国家电网 史蒂夫·M·克莱因 诺斯菲尔德银行 约瑟夫·托雷斯 美林证券 詹姆斯·奥基夫博士 圣约翰大学 名誉主席 R. 兰迪·李，Esq. Leewood 发展战略 Michael F. Manzulli 里士满县储蓄银行 董事会 Kimberly Althoff Santander Michael Altobelli Pratt Industries, Mill Division-NY Gary Angiuli The Angiuli Group Angelo Araimo Wagner College Dr. Brahim Ardolic, MD 史坦顿岛大学医院/Northwell Health Gina Argento Broadway Stages Lance Becca Con Edison Capital One Bank Richard Corash Corash & Hollender, PC John DiFazio Faztec Industries John DiLeo Jr. Hylan Datacom & Electrical Inc. Joseph Ferrara BFC Partners Dwight Genias JPMorgan Chase Bank, NA Brian Gomez Investors Bank Gina Laine New York Community Bancorp, Inc. Robin Lefkowitz Northfield Bank Dr. Daniel Messina Ph.D., Fache 里士满大学医学中心 Kenneth C. Mitchell 史坦顿岛动物园 Robert Myers IDB Bank 纽约电力局 Evan Petracca Triangle Equities Daniel Ryan 史坦顿岛进步银行Michael Sanicola Amazon Anthony Santo Henry F. Malarkey & Company John Scalia Historic Old Bermuda Inn Marcello Sciarrino Island Auto Group Robert Wallace 史坦顿岛学院 Cesar J. Claro SIEDC 总裁兼首席执行官
“量子”效应
带宽需求持续增长 不断增长的带宽消耗需求继续对全球数据通信行业构成挑战。随着 400G 收发器出货量在 2021 年及以后大幅扩大，800G 光器件已计划在 2022 年上市。端口速度的加速周转以及链路预算的减少，导致半导体和光电子厂商不断面临压力，需要以极具竞争力的价格提供可靠的技术。在一个以成本和性能之间的平衡为主导的领域，光纤安装的质量至关重要。 链路余量可节省成本 从 100G 到 400G+ 生态系统的过渡带来了新的复杂性。现代数据通信光器件在设计上会产生高误码率，这意味着 FEC（前向纠错）编码方案对于维持稳定的连接必不可少 1 。由于 PAM4 等先进调制技术对光学元件性能提出了更严格的要求，光损耗预算也比以往任何时候都低。因此，网络运营商必须寻求高性能光纤解决方案，例如 Legrand Quantum 2 光纤解决方案，以尽可能多地利用光学余量。有了卓越的光纤基础设施，用户就可以寻求更经济高效的收发器来适应他们的网络环境。这为 DR-Lite 等性能轻松、价格具有竞争力的标准铺平了道路。优化网络支出确保高容量网络高效运行已经是一项昂贵而复杂的操作，更不用说链路故障的威胁了。大多数故障都与连接器端面和端口受污染、收发器激光性能下降或光纤弯曲/应力有关。前面提到的故障模式将受益于高性能光纤，因为这将延长链路寿命并减少昂贵的运营商故障单。因此，从运营和采购的角度来看，最大化光学性能裕度（光学余量）与优化总体成本之间存在不可避免的关联。